一、关于石英晶体频率稳定度高的论述（论文文献综述）
苗自云[1]（2021）在《基于神经网络的高精度守时系统的研究与设计》文中提出晶体振荡器作为频率源,在通信、卫星导航、靶场、作战指挥、电力、金融、智能制造等领域有着广泛的应用,涉及物理、测量、机械等多个学科。一般情况下,当存在外部参考时钟源时,晶振处于驯服状态,当参考时钟源不可用时,就必须采用频率补偿技术来维持本地晶振输出频率的精度和稳定度。本论文就守时系统在失去参考时钟源后如何对本地晶振的输出频率偏移进行补偿展开研究。首先阐述了晶体振荡器的发展历史、应用及研究现状,由众多研究者的研究内容可知,目前对于高精度守时系统的研究主要集中在如何最大可能地减少频率预测的误差,最终补偿晶体振荡器的频率偏移的落脚点仍然落在补偿电压值上。接着介绍了晶体振荡器的有关特性和工作原理,对影响输出频率稳定度的主要因素进行分析,阐明导致晶体振荡器稳定性差的原因,并通过分析压控特性得到补偿频率偏移的方法。在此基础上,考虑到温度和老化是导致频率偏移的主要因素,提出了一种基于神经网络的晶振频率预测算法。该算法利用晶振频率的以往测量值训练神经网络模型,刻画出晶振频率漂移的规律,提高晶振频率的预测精度。最后,根据晶振的压控特性,提出了一种基于CPLD和MCU芯片的高精度守时系统的设计方案,利用本身输出频率精度不高的压控晶体振荡器设计守时系统。该系统将由神经网络模型预测的频偏值转换为补偿电压值作用于晶振的压控端,改善晶振的输出频率稳定度从而实现高精度守时功能。同时搭建测试环境,对系统进行了性能测试,测试结果表明,使用该方法补偿后的晶体振荡器输出频率稳定度得到提高,使用神经网络预测频偏的方法是有效的,为实现低成本、高精度的频率源提供了有力保障。
胡建国[2]（2021）在《石英晶体微天平（QCM）质量灵敏度的关键技术研究》文中研究说明随着科技的日益快速发展,传感器作为信息获取的源头,其作用和地位愈加重要。石英晶体微天平（Quartz crystal microbalance,QCM）作为一类十分重要的质量传感器,目前,在很多领域获得了广泛应用。本文以QCM传感器质量灵敏度的关键技术为研究对象,通过深入研究QCM的传感机理,并结合有限元仿真技术,揭示了决定QCM传感器质量灵敏度的关键因素,提出了通过优化电极结构设计来提高QCM传感器质量灵敏度的方法;针对非对称电极构型QCM质量灵敏度理论计算复杂性问题,提出了一种基于电化学电镀的方法,建立了三电极电化学电镀实验平台,测量了该非对称电极构型QCM的质量灵敏度,并指出该方法可以进行推广使用,进而测量其他电极构型QCM的质量灵敏度,也即此方法具有普遍适用性。本文主要研究工作和创新点如下:第一,本文深入研究了QCM的传感机理,并结合详细的理论推导,揭示了QCM质量灵敏度及其分布与石英晶体谐振器质点位移振动幅度及其分布之间的关系。接着,基于石英晶体谐振器的Mason等效电路模型和BVD等效电路模型对谐振器质点位移振动方程进行了详细的理论推导,这为采用有限元方法对QCM质量灵敏度及其分布的分析提供了理论依据。第二,通过有限元方法并结合Comsol软件仿真,给出了QCM质点位移振动幅度分布和石英晶体内电势分布的切面图,并结合QCM质量灵敏度分布与其质点位移振幅分布之间的关系,分析并给出了QCM质量灵敏度分布。接着,通过传统对称电极构型QCM和非对称环形电极构型QCM质量灵敏度分布的仿真分析,发现了环形电极构型QCM的质量灵敏度分布更均匀。第三,由于经典的Sauerbrey方程并未考虑到QCM电极材料对其质量灵敏度的影响,因此有必要研究不同电极材料的QCM的质量灵敏度。通过研究和对比金电极和银电极QCM的质量灵敏度,发现了金电极QCM质量灵敏度明显高于银电极QCM质量灵敏度,进而指出了QCM电极材料对其质量灵敏度具有重要影响。接着,研究了同一电极材料情况下电极厚度尺寸对其质量灵敏度的影响。第四,本文针对非对称电极构型QCM质量灵敏度理论计算高度复杂性的问题,提出了一种基于电化学电镀测量QCM质量灵敏度的方法,建立了三电极电化学电镀实验平台,测量了非对称电极构型QCM质量灵敏度,并结合SEM、AFM和XRD技术分析了铜薄膜的表面形貌和薄膜表面的洁净度。接着,采用电化学电镀的方法测量了传统对称电极QCM的质量灵敏度,进而指出该方法可以推广测量其他电极构型QCM的质量灵敏度,即采用电化学电镀来测量QCM质量灵敏度的方法具有普遍适用性。
范凡[3]（2020）在《晶体振荡器频率漂移自校准技术的研究》文中研究表明随着卫星导航、移动通信等技术的高速发展,对时钟频率源的性能提出了更高的要求。当前,晶体振荡器因为它的高性价比而在众多频率源中脱颖而出,但是由于其在连续运行的过程中容易受到内部老化、环境因素和负载特性变化的影响,输出频率值会发生单方向的漂移,限制了它在高精度领域的独立应用。为了提高晶振的性能,研制出符合5G时代标准的高稳晶体振荡器,本文研究了一种晶体振荡器频率漂移自校准技术。本文首先深入分析了晶体振荡器的工作原理、频漂特性和现有的频漂补偿技术;针对晶体振荡器在发生频率漂移时,其谐振参数也会发生相应的改变,从而引起谐振器两端输出瞬态相移变化这一现象,分析证明了晶体谐振参数分别与其输出频率和两端瞬态相移具有相关性;对晶体振荡器的输出频率与其两端输出瞬态相移进行同步测量,通过对数据进行处理和拟合,建立晶体振荡器的输出频率与其两端输出瞬态相移的数学模型;针对晶体振荡器的输出会因外部不稳定因素而掺杂噪声的问题,对采集到的数据进行均值滤波处理,根据排序统计理论将所有邻域的数据点进行排序,再取其中间值的方式来对异常点进行去除以完成滤波;为解决晶体谐振器两端的直接输出信号功率过小的问题,设计了功率增益更高的双共射放大电路,并结合L型匹配网络实现功率放大器,在工作频带内获得足够的增益,实现最大功率匹配;根据晶体振荡器的压控特性,用单片机控制模数转换器输出由低至高的电压给晶体振荡器压控端,记录频率变化数据,并利用最小二乘法拟合得出输出频率和压控电压之间的对应关系,最后得到相移、频率和压控电压三者之间的函数关系,并以此为理论依据研究了一种晶体振荡器频率漂移自校准技术。自校准系统通过数字化技术实现高精度的测量和控制,利用ADC对晶体谐振器两端输出信号进行实时采集,根据同频测相原理将采集到的数据转换为谐振器两端的输出瞬态相移,单片机通过相移与频率的函数关系计算出晶体振荡器输出频率的累计变化量,最后控制DAC输出反向补偿电压给晶体振荡器压控端,以补偿晶体振荡器的频率漂移,提升其频率准确度。实验结果证明本系统可以对晶体振荡器的频率漂移进行补偿,补偿后的晶体振荡器频率准确度相比之前提高了一个数量级。该系统无需引入外界高性能的基准源,其结构简单、应用灵活,为晶体振荡器的补偿技术提供了新的手段,具有很高的应用价值与意义。
崔志浩[4]（2020）在《晶振动态温频特性测试系统的校正与数据模型分析》文中指出石英晶体振荡器（简称:晶振）作为电子系统和设备的频率源,广泛应用于通信、导航、仪器仪表、及生活电子等领域。温度频率稳定性是其重要性能指标之一,现代高端电子产品对晶振频率稳定性和精度的要求越来越高,特别是电路瞬态热效应引起的晶振频率漂移会严重影响产品性能,提高晶振的动态温度频率稳定性尤为重要。为实现晶振在温度快速变化时频率的动态温度补偿,必须研制一套高精度的动态温频特性测试系统,本文所研究的晶振温度测量电路的设计、分析和校正,以及晶振动态温频特性的数据模型分析是该系统的重要组成部分。系统对晶体温度的测量精度要求较高,校准主要是解决恒流源芯片的温度漂移、电流切换时因电路的充电过程引起的系统测量误差以及电路测量噪声等问题。在此前提下,设计了适合本系统的硬件电路校正方案,对测试电路进行工作温度范围内的标定实现温度补偿,固定电阻标定实现恒流源电流切换补偿,电路校正的基础理论依据是多项式拟合,工频干扰降噪采用数字滤波方式。经过校正后,晶体温度测量精度可达到±4m℃,满足系统对晶体动态温度的测量要求。晶振温频测试数据分析与建模包括热敏晶体在准静态温度下（<0.1℃/s）温频特性提取建模,基础理论是最小二乘非线性特征曲线拟合。热敏晶体在-5～+5℃/s温度变化率范围内动态温度-频率特性提取,频率微跳变的识别和记录,局部和全局热滞特性提取和数学描述,理论依据是ELM神经网络优化算法实现频率的动态温度补偿。经验证,补偿后晶体在±1～±5℃/s温度变化率下,其频率误差稳定度可达到±0.05～±0.08ppm。测试系统和配套补偿算法的应用,可实现晶振动态温频特性的快速标定,有效提高晶振频率组件在温度快速变化情况下的频率稳定性。
王鹏钧[5]（2020）在《适于集成的低噪声温度补偿晶体振荡器的设计》文中指出晶体振荡器利用晶体的压电效应,可以产生机械振动,同时物理特性好,稳定度高,常作为脉冲信号和频率源,广泛应用于电子技术产业、通信雷达、国防军事等重点领域,成为电子领域的重要器件。随着人工智能、5G等技术的出现,各行业都向智能化、小型化转型,现如今晶体振荡器也朝着智能化、高稳定性、低功耗等方向发展,但是由于晶体自身固有的属性,当外界温度发生变化时,会影响振荡器频率的输出,导致与标称频率出现偏差。为了改善振荡器的频率温度特性,很早就出现了关于温度补偿技术的研究和应用,目前无论是模拟温度补偿晶体振荡器还是数字温度补偿晶体振荡器,其中变容二极管的电压包含振荡器的交流电压,会使振荡器的相位噪声指标恶化。本文设计了一种适于集成的新型温度补偿晶体振荡器,其负载可变电容采用温度系数电容,同时与晶体振荡器串联形成补偿电路,这样就避免了变容二极管的使用。该方案把晶体振荡器的温度频率曲线近似看成几条直线段相连,由于单个电容只能在某段温度区间内进行补偿,因此设计了模拟开关电路,能够根据当前的温度来选择各直线段对应的温度系数电容,实现自动分段温度补偿。本文首先介绍了晶体谐振器的组成结构和相关主要的参数,简单分析了相位噪声,介绍了温度补偿的基本原理和常见的补偿方法,接着对方案中的各个硬件电路设计以及各元器件的选型进行了详细说明,对软件部分的编程思想也进行了概述,完成了上述工作后,进行了软件模拟仿真调试,检测电路的运行情况,确保补偿方案的可行。在电路原理图的基础上进行PCB电路图的绘制,并完成实物焊接的工作,对焊接好的实物电路进行测试检测,保证实际过程中能达到设计要求。最后进行温箱实验,对温箱的数据处理后得到补偿后的温度频率曲线,观察补偿结果以及相位噪声等情况。在-20℃+70℃的实验温度范围内,晶体振荡器的输出频率稳定度达到了±2ppm,在偏离载波1KHz处相位噪声指标为-129dBc/Hz。该设计方案可行,但由于对频率温度曲线采用近似的方法,补偿精度还有待改进和提高。
叶羽铭[6]（2020）在《一种压控温补晶体振荡器（VCTCXO）的设计和实现》文中研究表明晶体振荡器作为现代通信、精密仪器等各个高精尖领域的频率基准源,对保持仪器设备的正常稳定工作起着至关重要的作用。由于石英晶体自身的物理特性,使用石英晶体构成的石英谐振器具有非常高的品质因素和振荡频率,而品质因素是决定振荡器工作稳定的必要条件。同样由于其物理特性,石英晶振的频率随温度变化逐渐偏离中心频率,如果晶振采用基于变容二级管的调频功能设计压控温补晶体振荡器（Voltage Controlled and Temperature Compensated Oscillator）,其因温度变化带来的频率偏移会随着调节频偏的增加而增加,也就是所谓的Trim效应。为了应对Trim效应带来的频率不稳定性,结合电压控制和温度补偿的原理,使用一个变容二级管构成基于反相器的皮尔斯振荡电路,使用微处理器记录控制信息,根据实时温度对压控温补晶体振荡器进行补偿。本设计的重点在于获取振荡器的温度-频率-电压的准确数据和有效拟合,所以采用两种补偿方案。第一种基于传统的最小二乘法拟合控制曲线,简单有效,能够通过微处理器快速计算控制电压进行反馈,但是因为补偿函数自身局限性导致控制精度不足。经过对于最小二乘法补偿导致误差的分析,基于传统方案,提出第二种补偿方案,新型插值补偿。该补偿函数结合最小二乘法拟合函数的变化趋势,并且利用原始数据对构建函数进行插值修正,仍然能够快速进行控制电压实时计算,同时可以减轻传统方案带来的控制精度下降问题。本设计从振荡原理出发,研究了起振原理,结合LC振荡电路、石英晶体谐振器进行具体分析,使用仿真进行验证,分析了石英晶体振荡器具有非常高的品质因素和频率稳定度,还有使用变容二级管进行频率调节的原因。为了便于集成到数字电路之中,采用皮尔斯振荡电路,接着对硬件电路,包括存储控制曲面进行总体调度的主控电路、测量实时温度的测温电路、控制变容二级管电压的DAC电路、保证PCB电压稳定的供电电路和下载通信电路的搭建进行了说明。通过相关芯片文档,结合具体的需求编写驱动和软件,经过测试验证达到设计要求。最后进行数据的获取和处理,拟合函数对两种数据采集方案进行对比,结果证明本次设计的压控温补晶体振荡器能够在-3070摄氏度的温度范围,±60ppm的频率调节范围达到±1ppm的频率稳定度,达到本次设计的预期目标。
李磊[7]（2019）在《低G灵敏度恒温晶振研制》文中研究表明随着通讯技术的发展,电子设备在振动下工作的性能指标要求越来越高。石英晶体振荡器作为电子仪器设备的时钟频率源,受石英器件自身结构和工作原理的限制,在外部振动环境下更容易受到影响,影响电子设备的正常使用。因此晶体振荡器的抗振性能可以说是通信设备在振动环境下正常使用的性能短板,只有改善了这一指标,才有可能整体提高上述电子设备在振动环境下的稳定性和可靠性。另外随着近年来发达国家加强对军用和通信领域的技术封锁,具有高抗振性能的晶体振荡器被列入管制名录,制约了我国通讯技术的发展。因此,本文以研制出一款低G灵敏度恒温晶振为设计目标,展开相关工作。在研制低G灵敏度恒温晶振时,首先介绍了作为晶体振荡器中核心部件的晶体谐振器的原理及相关计算方法,讨论了恒温晶体振荡器的主振电路和控温系统。之后介绍了晶振G灵敏度的原理,通过推导得出G灵敏度的测量方法,介绍了一种提高评估准确性的计算方法,并编写软件实现了数据采集和G灵敏度的自动计算。在此基础上,分析了提高G灵敏度指标的几种方法,确定了产品的研发方向。晶体谐振器是晶体振荡器中最容易受到振动影响的器件,提高了晶体谐振器的抗振指标,可以从根本上改善晶振的抗振性能。通过计算对比两种基座的结构参数,选择抗振效果更好的TO基座;通过实验分析晶片的曲率与曲面中心偏离对G灵敏的影响,得出最优的凸面曲率和降低凸面中心偏离的方法;通过改进镀膜方式和镀膜速率,有利于提高晶片电极的对称性,降低晶体的G灵敏度。通过以上晶体设计优化,经过实验验证,发现晶振G灵敏度降低了3倍。振动隔离设计可以抑制外界振动的幅度,通过分析振动隔离的模型,并使用有限元方法对橡胶材料进行仿真,分析不同密度、杨氏模量和结构设计对减振效果的影响,设计了一款橡胶减振结构。通过振动相噪测试发现此结构在高频段具有减振效果。通过使用加速度传感器实时监测外界振动情况,经过单片机计算出反向补偿电压,加到晶振的压控端,实现振动补偿的效果。论文介绍了数字补偿设计的软件硬件设计与上位机采集程序,并验证了补偿效果。通过三个方面的工作,研制出一款在0Hz到2KHz下G灵敏度指标优于0.16ppb/g的恒温晶振,在500Hz到1kHz范围内G灵敏度指标优于0.02ppb/g,接近国际领先水平,实现了设计目标。
黄李贝[8]（2019）在《温度补偿晶体振荡器广泛补偿方法的研究》文中研究指明晶体振荡器作为高精度的频率源而广泛的应用于通信、测量、航空航天、仪器仪表等多个领域。温度补偿晶体振荡器因具有低功耗、便于集成等优势成为了目前最常用的晶体振荡器之一。传统的温度补偿方式是通过对晶体振荡器的输出频率进行控制,来保证晶体振荡器输出频率的稳定性,达到温度补偿的效果。这种补偿方式的结构比较复杂,并且在补偿过程中会受到温滞效应的干扰,表现为升温和降温过程中的温-频特性曲线不一致,从而引起温度误差。本文针对频率测量等仪器对温度补偿晶体振荡器的使用需求,提出一种新型的开环软件补偿的微机补偿晶体振荡器（MCXO）,旨在提高频率测量的准确度并简化MCXO的结构。本文没有从硬件上对MCXO的输出频率进行控制,而是在其作为频率计的标准对其它信号进行测量时,以软件数据修正的方式达到温度补偿的目的。首先需要提前通过温度实验获得晶体振荡器在不同温度下的频差,然后在频率测量的数据处理过程中,将这一误差进行修正,即不断地以数据的形式修正测量过程中的频率标称值,始终保证以晶体振荡器准确的频率输出为基准进行运算和处理,从而达到MCXO应用于频率测量时温度补偿的目的。为了对温滞效应进行抑制,本文选择SC切双模晶体振荡器进行实验,利用其特殊的温度特性,基频信号与三次泛音信号的谐波差频信号与温度具有一个线性关系,将这个差频信号作为温度传感信号能够反映晶体振荡器自身的温度变化,从而在最大程度上抑制了温滞效应带来的误差,提高测量的准确度。由于这种开环软件补偿的MCXO自身的特殊性,其性能指标的优劣需要由与其共同构成的测量系统一起进行检测,系统的准确度指标会受到软件算法的影响。因此,为了进一步提高测量准确度,本文采用了高精度的数字化测量方案与该MCXO结合设计对其指标进行验证,数据处理的部分共用一个MCU,进一步简化了整个系统的结构。最后通过实验证明这种开环软件补偿的MCXO应用于频率测量系统的频率标准时,在同等条件下其结构更为简单且能够获得更高的准确度,在宽的温度范围内,测量误差可达到5×10-8。
刘项力[9]（2019）在《层状磁电复合材料中声表面波的磁场调制作用研究》文中研究说明层状复合磁电传感器具有灵敏度和分辨率高、结构以及制备工艺简单等特点,在磁场检测领域具有巨大的应用前景。然而,这种基于磁致伸缩和压电效应相互作用的器件,其输出响应在谐振频率处急剧增强,在非谐振频率处响应幅度急剧减弱。对于块材,其谐振状态通常出现在几十个k Hz甚至MHz的频率范围;对于薄膜器件结构,其谐振频率降频现阶段最低也就在200Hz附近,难以进一步降低器件的谐振频率。而对于地磁、心磁和脑磁等信号的探测,要求磁传感器具有较好的直流和超低频信号响应。所以,如何实现低频和直流磁场的高灵敏、高分辨率检测,具有重要学术研究意义和实际应用价值。基于磁致伸缩材料的Delta-E效应与压电声表面波单端谐振器相互作用的多层复合磁致频移型磁电器件,其检测磁场范围可以从DC到低频AC连续变化,而且器件一直工作在响应谐振增强状态,是当前磁传感器的研究热点。本论文采用非晶FeCoSiB薄膜作为磁致伸缩材料,对层状磁电复合材料中声表面波的磁场调制作用进行了深入的研究。采用ST-cut 90°X石英单晶/FeCoSiB多层复合结构,仔细研究了磁性层厚度、磁场下退火、磁性层的掺杂改性等对于器件灵敏度的影响。又对delta-E效应和SAW之间的相互作用进行了深入的研究与分析。本论文得出以下结论:首先,采用磁控溅射完成ST-cut 90°X石英单晶/Ta叉指/Si O2绝缘层/FeCoSiB磁性层多层复合结构的器件制备,揭示了磁性层厚度、磁场下退火、磁性层的掺杂改性等对器件灵敏度的影响,实现了测量范围、灵敏度、方波响应的调制。当磁性层较薄,且未经磁场下退火时,器件长度方向的灵敏度大于宽度方向的灵敏度;但经过后期沿着长度方向磁场下退火处理,宽度方向的最大灵敏度大于长度方向的最大灵敏度。当磁性层较厚且未经磁场下退火时,器件宽度方向的灵敏度远大于长度方向的灵敏度。对于未经磁场下退火、磁性层较厚的300nm ST-cut 90o X石英单晶样品,宽度和长度方向的灵敏度分别达到364.28 Hz/μT以及76.06 Hz/μT,相差接近于4.79倍,且宽度方向非线性区域的最大灵敏度达到了663.98 Hz/μT。相比于纯FeCoSiB磁性薄膜,采用Terfenol-D掺杂之后,其磁场灵敏度降低,但是线性测试范围显着增加。然后,在前面直流磁场灵敏度响应测试的基础上,研究了多层复合磁电传感器对低频交流磁场的响应。结果表明,其一,制备的器件在正弦交流磁场下可以实现稳定的输出;其二,固定交流磁场的幅度大小不变,当磁场频率从0.001Hz变化到1Hz时,其器件谐振频率的变化量偏差很小,且和直流下的周期测试结果相一致。所以,研制的基于delta-E效应和声表面波的多层复合磁电传感器样品,具有从DC到低频AC的非色散性稳定响应输出。最后,通过分析磁弹耦合、电弹耦合、损耗三者之间相互作用的关系,研究了声表面波器件的电学特性、声学特性等随着外界磁场的变化,探究了delta-E效应和SAW之间的相互作用机制。随着外磁场幅度的增加,除电导峰的半峰宽和delta-E效应的变化趋势相反,其他SAW参数的变化趋势都和delta-E效应相一致。原因是外磁场下,磁性层的磁弹耦合系数变化导致了压电层机电耦合系数的变化。另外,除磁性层较厚时,难轴方向,中间磁场区域,SAW参数随着外磁场幅度的增加发生急剧的变化;其他情况下,SAW参数变化趋势都较缓。
吴豪[10]（2019）在《晶体振荡器自校准技术研究》文中研究说明随着科学技术的迅猛发展,通信、导航等众多系统中,都需要更高质量的频率源作为日趋复杂的基带信息的载波,对频率源的性能指标也提出了越来越高的要求。晶体振荡器因其成本低、短稳好等优点,广泛应用于卫星导航、国防军工、通讯、天文等高科技领域,在民用消费类产品中也有广泛应用。但晶体振荡器的老化漂移一直是其重要的缺陷,研究改善晶体振荡器老化漂移的方法具有重要的研究意义和应用价值。本文深入分析晶体振荡器的物理特性和工作原理,研究影响晶体振荡器老化漂移的各方面因素,发现晶体谐振器等效谐振参数的变化会引起输出频率的变化,而等效谐振参数随着晶体振荡器工作时间的推移,由于“应力松弛”和“质量迁移”等因素会发生改变。同时,压控端电压和输出频率之间存在函数关系。本文以此为理论依据,结合传统的晶体振荡器老化漂移的改善方法,提出设计数字化的自校准系统来改善晶体振荡器老化特性的新方法。数字化的自校准系统无需引入外界更高频率稳定度的频率源作为基准,而是以自身内部晶体谐振器的一路谐振信号为时钟,对另一路谐振信号进行A/D采样。根据同频测相原理,将采集到的幅值数据经过三角函数关系转换可得到两路同频信号的相位差变化,即相移变化。相移的变化可以反映输出频率的变化,而同时,输出频率和压控端电压之间存在固定的函数关系。本文采用频率计数器同步采集晶体振荡器输出频率和谐振器两端信号的相移数据,并用单片机控制模数转换器输出由零递增的电压给压控端,记录频率变化数据。将最小二乘法拟合所得的相移变化和输出频率变化之间的函数关系,以及输出频率和压控电压之间的函数关系,作为算法中参数之间转换的依据。数字化自校准系统通过检测谐振器两端信号的相移变化,根据相移、频率和压控电压三者之间的函数关系,反馈控制晶体振荡器的压控端,拉回输出频率到标称频率,达到改善晶体振荡器老化漂移的目的。实验结果表明,数字化的自校准系统有效改善了晶体振荡器的老化漂移。晶体振荡器的日老化率由10-9量级降低到10-10量级。观测十天的老化漂移,系统控制后的老化率相比控制前均有明显改善。
二、关于石英晶体频率稳定度高的论述（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、关于石英晶体频率稳定度高的论述（论文提纲范文）
（1）基于神经网络的高精度守时系统的研究与设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 晶体振荡器的国内外发展历史及研究现状 |
| 1.2.1 国内外发展历史 |
| 1.2.2 研究现状 |
| 1.3 论文研究内容及章节安排 |
| 第2章 守时系统与晶体振荡器 |
| 2.1 守时系统 |
| 2.1.1 概述 |
| 2.1.2 石英谐振器相关特性 |
| 2.2 晶体振荡器的分类 |
| 2.2.1 按晶体切型分类 |
| 2.2.2 按晶体补偿类型分类 |
| 2.3 晶体振荡器的主要性能指标及压控特性 |
| 2.3.1 主要性能指标 |
| 2.3.2 晶体振荡器的压控特性 |
| 2.4 晶体振荡器的影响因素 |
| 2.4.1 温度特性 |
| 2.4.2 老化特性 |
| 2.4.3 其它因素 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 基于神经网络的晶振频偏预测算法 |
| 3.1 神经网络概述 |
| 3.2 神经网络模型结构与学习算法 |
| 3.2.1 BP神经网络模型结构与学习算法 |
| 3.2.2 RBF神经网络模型结构与学习算法 |
| 3.3 数据样本及数据预处理 |
| 3.3.1 数据样本 |
| 3.3.2 数据预处理 |
| 3.4 神经网络的构建 |
| 3.4.1 BP神经网络的构建 |
| 3.4.2 RBF神经网络的构建 |
| 3.5 基于神经网络的预测结果与分析 |
| 3.5.1 算法仿真实现 |
| 3.5.2 仿真结果分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 晶振频率漂移补偿设计 |
| 4.1 系统总体方案 |
| 4.2 硬件方案的选择 |
| 4.2.1 硬件总体设计 |
| 4.2.2 FPGA和 MCU的选型 |
| 4.2.3 其它硬件的选型 |
| 4.3 软件总体设计 |
| 4.4 补偿系统性能测试及误差分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 |
| 致谢 |
（2）石英晶体微天平（QCM）质量灵敏度的关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 主要符号表及缩略词说明 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 石英晶体微天平技术国内外研究历史与现状 |
| 1.2.1 石英晶体微天平技术国外研究历史与现状 |
| 1.2.2 石英晶体微天平技术国内研究历史与现状 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 石英晶体微天平传感器的基本理论 |
| 2.1 石英晶体的压电效应 |
| 2.2 石英晶体的切型及压电本构方程 |
| 2.2.1 石英晶体的切型 |
| 2.2.2 石英晶体的压电本构方程 |
| 2.3 石英晶体的温度频率特性 |
| 2.4 石英晶体的振动模式 |
| 2.4.1 弯曲振动模式 |
| 2.4.2 伸缩振动模式 |
| 2.4.3 面切变振动模式 |
| 2.4.4 厚度切变振动模式 |
| 2.5 QCM传感器的基本原理 |
| 2.5.1 QCM传感器的工作原理 |
| 2.5.2 QCM传感器的基本结构 |
| 2.5.2.1 石英晶体谐振器 |
| 2.5.2.2 振荡电路 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 基于有限元方法的QCM质量灵敏度的仿真分析 |
| 3.1 QCM质量灵敏度的基本概念 |
| 3.2 质点位移方程 |
| 3.3 基于有限元方法的质点位移振幅分析 |
| 3.3.1 石英晶体质点位移振动方程 |
| 3.3.1.1 全电极区振动分析 |
| 3.3.1.2 部分电极区振动分析 |
| 3.3.1.3 非电极区振动分析 |
| 3.3.2 基于有限元方法的各类电极结构的质点振动幅度分析 |
| 3.3.2.1 能陷效应理论 |
| 3.3.2.2 各类电极结构的质点振动幅度分析与仿真 |
| 3.4 基于有限元方法的QCM质量灵敏度的仿真分析 |
| 3.4.1 m-m型QCM质量灵敏度分析 |
| 3.4.2 环形电极构型QCM质量灵敏度分析 |
| 3.5 本章小节 |
| 第四章 电极参数与QCM质量灵敏度的关系研究 |
| 4.1 QCM积分等效质量灵敏度模型 |
| 4.2 电极材料对QCM质量灵敏度的影响 |
| 4.2.1 基于积分等效质量灵敏度的理论计算 |
| 4.2.2 电极材料对积分等效质量灵敏度影响的实验验证 |
| 4.3 电极尺寸对QCM质量灵敏度的影响 |
| 4.3.1 不同电极厚度的QCM积分等效质量灵敏度的理论计算 |
| 4.3.2 电极厚度对积分等效质量灵敏度影响的实验验证 |
| 4.4 本章小节 |
| 第五章 基于电化学电镀方法的QCM质量灵敏度研究 |
| 5.1 电沉积 |
| 5.2 电化学电镀基本理论 |
| 5.3 实验平台和装置 |
| 5.3.1 电化学电镀实验平台介绍 |
| 5.3.2 实验流程 |
| 5.4 基于电化学电镀方法的环形QCM质量灵敏度的测量 |
| 5.4.1 基于电化学电镀方法的环形QCM微分等效质量灵敏度分析 |
| 5.4.2 电镀实验过程 |
| 5.4.3 实验结果分析 |
| 5.4.3.1 铜薄膜SEM和 AFM测试分析 |
| 5.4.3.2 电极表面铜薄膜XRD测试分析 |
| 5.4.3.3 环形QCM微分等效质量灵敏度 |
| 5.5 环形和圆形电极QCM质量灵敏度的比较 |
| 5.5.1 基于电化学电镀的QCM质量灵敏度分析 |
| 5.5.2 电化学电镀实验 |
| 5.5.3 实验结果分析 |
| 5.5.3.1 循环伏安特性和恒压电镀 |
| 5.5.3.2 铜薄膜SEM和 AFM测试分析 |
| 5.5.3.3 铜薄膜XRD测试分析 |
| 5.5.3.4 环形 QCM和圆形 QCM质量灵敏度 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（3）晶体振荡器频率漂移自校准技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状和发展动态 |
| 1.2.1 国外研究现状及发展动态 |
| 1.2.2 国内研究现状及发展动态 |
| 1.3 论文内容及章节安排 |
| 第二章 晶体振荡器的基本原理和频漂特性 |
| 2.1 晶体振荡器的工作原理 |
| 2.2 晶体振荡器的压控特性 |
| 2.3 晶体振荡器频率漂移特性的分析 |
| 2.3.1 温度因素 |
| 2.3.2 老化因素 |
| 2.4 晶体振荡器的补偿方法探究 |
| 2.4.1 老化模型预测 |
| 2.4.2 温度补偿方法 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 方案的理论分析和实验验证 |
| 3.1 晶体谐振器的谐振参数和电抗频率特性 |
| 3.2 谐振器两端相移与频率的函数关系的理论分析 |
| 3.3 谐振器两端瞬态相移变化与频率变化关系的实验验证 |
| 3.4 数学模型的建立 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 数字化的自校准系统设计 |
| 4.1 系统方案设计 |
| 4.2 数字化测量方法的分析与ADC的运用 |
| 4.3 系统各个模块的设计与选型 |
| 4.3.1 放大电路设计 |
| 4.3.2 数据处理模块 |
| 4.3.3 反馈控制模块设计 |
| 4.3.4 硬件设计 |
| 4.4 压控晶体振荡器压控端电压与输出频率之间的关系建立 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 实验结果及误差分析 |
| 5.1 系统验证和数据分析 |
| 5.1.1 晶体振荡器的开机特性和频率漂移 |
| 5.1.2 晶体振荡器老化漂移现象的改善效果 |
| 5.2 自校准系统的主要影响因素分析 |
| 5.2.1 外部干扰对实验的影响 |
| 5.2.2 模数转换过程中的影响 |
| 5.2.3 运放对测量相位差的影响 |
| 5.2.4 其它误差 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 研究总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（4）晶振动态温频特性测试系统的校正与数据模型分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 缩略语对照表 |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 研究目的 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.4 研究内容及论文结构安排 |
| 2 石英晶振的类型与特性 |
| 2.1 晶振的分类 |
| 2.2 物理特性 |
| 2.3 电学特性 |
| 2.4 频率-温度特性 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 晶振温频测试系统组成 |
| 3.1 系统介绍 |
| 3.2 TSXO温度采集 |
| 3.3 TSXO频率采集 |
| 3.4 软件设计 |
| 3.5 可视化用户界面 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 测量电路的校正与分析 |
| 4.1 AD板与CON板标定与温度补偿 |
| 4.2 数字滤波过程处理 |
| 4.3 DAC电流切换与补偿 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 TSXO频率特性模型与数据分析 |
| 5.1 静态温频特性测试 |
| 5.2 静态模型建立与分析 |
| 5.3 动态温频特性测试 |
| 5.4 动态模型补偿与分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
| 致谢 |
| 学位论文数据集 |
（5）适于集成的低噪声温度补偿晶体振荡器的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 晶体振荡器的研究背景与意义 |
| 1.2 晶体振荡器的国内外发展历史及研究现状 |
| 1.2.1 晶体振荡器的国内外发展历史 |
| 1.2.2 晶体振荡器的研究现状 |
| 1.3 论文的主要研究工作 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 振荡器概述 |
| 2.1 石英晶体的结构和性质 |
| 2.2 晶体振荡器 |
| 2.2.1 石英晶体谐振器介绍 |
| 2.2.2 振荡器的主要性能参数 |
| 2.2.3 相位噪声分析 |
| 2.3 振荡电路分析 |
| 2.4 温度补偿晶体振荡器 |
| 2.4.1 温度补偿原理 |
| 2.4.2 模拟温度补偿晶体振荡器 |
| 2.4.3 数字温度补偿晶体振荡器 |
| 2.4.4 本文温度补偿设计方案 |
| 2.5 本章小节 |
| 第三章 硬件电路和软件程序设计 |
| 3.1 硬件电路设计 |
| 3.1.1 振荡电路 |
| 3.1.2 测温电路 |
| 3.1.3 模拟开关电路 |
| 3.1.4 通信接口电路 |
| 3.1.5 电源电路 |
| 3.2 软件编程设计 |
| 3.3 电路板绘制及实物焊接工作 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 电路仿真及测试 |
| 4.1 电路软件仿真 |
| 4.2 测温电路模块仿真及整体调试 |
| 4.3 电路测试 |
| 4.3.1 电源电路测试 |
| 4.3.2 振荡电路测试 |
| 4.3.3 测温电路测试 |
| 4.3.4 控制电路及串口测试 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 实验验证与分析 |
| 5.1 实验平台搭建与温箱实验 |
| 5.1.1 实验平台搭建 |
| 5.1.2 温箱实验 |
| 5.2 相位噪声测量 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 全文的总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后期展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（6）一种压控温补晶体振荡器（VCTCXO）的设计和实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 发展历程和研究现状 |
| 1.3 本文的主要内容与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 振荡器和补偿方式 |
| 2.1 振荡原理 |
| 2.2 LC振荡电路 |
| 2.2.1 LC谐振器频率特性和Q值 |
| 2.2.2 LC振荡电路 |
| 2.3 石英晶体振荡器 |
| 2.3.1 石英谐振器的频率特性 |
| 2.3.2 石英晶体谐振器的切型 |
| 2.3.3 晶体振荡器分类 |
| 2.3.3.1 普通晶振(packaged crystal oscillator) |
| 2.3.3.2 压控晶振(voltage controlled oscillator) |
| 2.3.3.3 温补晶振(temperature compensated crystal oscillator) |
| 2.3.3.4 恒温晶振(oven controlled crystal oscillator) |
| 2.3.3.5 压控温补晶振(vctcxo) |
| 2.4 最小二乘法拟合曲线的优缺点 |
| 2.5 本设计方案 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 VCTCXO硬件设计 |
| 3.1 晶振电路选型 |
| 3.1.1 变容二极管 |
| 3.1.2 反相器 |
| 3.1.3 晶振电路 |
| 3.2 控制电路选型 |
| 3.3 下载和通信电路 |
| 3.4 测温电路 |
| 3.5 Dac模块 |
| 3.6 供电模块 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 VCTCXO软件设计 |
| 4.1 硬件测试 |
| 4.1.1 电源测试 |
| 4.1.2 晶振输出测试 |
| 4.2 串口通信/下载 |
| 4.3 温度测量 |
| 4.4 DAC模块 |
| 4.5 数据测试和温度补偿程序 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 实验和补偿实现 |
| 5.1 实验平台搭建 |
| 5.2 压控特性实验 |
| 5.3 压控数值实验 |
| 5.4 最小二乘法拟合曲线补偿 |
| 5.5 新型插值拟合补偿 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结和展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（7）低G灵敏度恒温晶振研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 低G灵敏度恒温晶振国内外研究历史与现状 |
| 1.3 本文的主要贡献与创新 |
| 1.4 本论文的结构安排 |
| 第二章 低G灵敏度恒温晶振基础 |
| 2.1 晶体谐振器基础 |
| 2.1.1 晶体谐振器原理 |
| 2.1.2 晶体切型 |
| 2.1.3 晶体谐振器参数计算 |
| 2.2 恒温晶体振荡器电路 |
| 2.2.1 主振电路 |
| 2.2.2 控温系统 |
| 2.3 恒温晶体振荡器的主要技术指标 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 晶体振荡器的G灵敏度 |
| 3.1 振动对晶体谐振器的影响 |
| 3.2 G灵敏度的频域分析 |
| 3.3 随机振动 |
| 3.4 G灵敏度的测量 |
| 3.5 提高G灵敏度的几种方法 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 低G灵敏度恒温晶振研制方法 |
| 4.1 低G灵敏度晶体谐振器设计 |
| 4.1.1 晶体基座影响 |
| 4.1.2 晶片凸面设计 |
| 4.1.3 镀膜对称性 |
| 4.1.4 晶体设计效果验证 |
| 4.2 振动隔离设计 |
| 4.2.1 橡胶隔振系统基本模型分析 |
| 4.2.2 振动隔离仿真 |
| 4.2.3 振动隔离验证 |
| 4.3 电路数字补偿 |
| 4.3.1 系统工作流程 |
| 4.3.2 硬件 |
| 4.3.3 上位机程序 |
| 4.3.4 数据采集软件和数据分析 |
| 4.4 低G灵敏度恒温晶振测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（8）温度补偿晶体振荡器广泛补偿方法的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 |
| 1.2.1 国内外研究现状 |
| 1.2.2 发展趋势 |
| 1.3 研究内容和章节安排 |
| 第二章 晶体谐振器和晶体振荡器 |
| 2.1 晶体谐振器的压电效应与等效电路 |
| 2.2 晶体谐振器的切型与封装 |
| 2.2.1 AT切晶体谐振器 |
| 2.2.2 SC切晶体谐振器 |
| 2.2.3 晶体谐振器的封装 |
| 2.3 晶体振荡器的分类与影响因素 |
| 2.3.1 晶体振荡器的分类 |
| 2.3.2 晶体振荡器的影响因素 |
| 2.4 温度补偿晶体振荡器的原理及方案选择 |
| 2.4.1 温度补偿原理 |
| 2.4.2 模拟温度补偿晶体振荡器 |
| 2.4.3 数字温度补偿晶体振荡器 |
| 2.4.4 微机温度补偿晶体振荡器 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 微机补偿晶体振荡器的系统设计 |
| 3.1 微机补偿晶体振荡器的系统方案设计 |
| 3.2 微机补偿晶体振荡器的硬件实现 |
| 3.2.1 双模振荡线路 |
| 3.2.2 B膜抑制网络 |
| 3.2.3 温度转换模块 |
| 3.3 微机补偿晶体振荡器的软件实现 |
| 3.3.1 单片机模块 |
| 3.3.2 曲线拟合设计 |
| 3.3.3 Matlab算法程序设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 微机补偿晶体振荡器的测量方案 |
| 4.1 频率测量方案设计及原理分析 |
| 4.1.1 时钟游标原理 |
| 4.1.2 频率测量原理 |
| 4.1.3 频率测量方案 |
| 4.2 频率测量硬件实现 |
| 4.2.1 ADC采集模块 |
| 4.2.2 FPGA模块 |
| 4.2.3 单片机控制模块 |
| 4.2.4 电源控制模块 |
| 4.3 频率测量软件实现 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 实验验证与误差分析 |
| 5.1 实验验证 |
| 5.2 误差分析 |
| 5.2.1 温度测量误差 |
| 5.2.2 ADC数据转换误差 |
| 5.2.3 信号噪声误差 |
| 5.2.4 测量误差计算 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）层状磁电复合材料中声表面波的磁场调制作用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 磁致频移型层状复合结构磁电传感器 |
| 1.3 本文的研究内容及组织结构 |
| 2 磁致频移型层状复合结构磁电器件的设计、制备与测试 |
| 2.1 ST-cut90°X石英单晶以及Al N压电薄膜的压电特性 |
| 2.2 FeCoSiB非晶磁性薄膜 |
| 2.3 薄膜及器件的测试分析方法 |
| 2.4 磁致频移器件结构的设计思路 |
| 2.5 器件的制备 |
| 2.6 频移器件的性能测试方法 |
| 2.7 本章小结 |
| 3 ST-cut90°X石英单晶/FeCoSiB层状复合结构的频移特性 |
| 3.1 绝缘层厚度的影响 |
| 3.2 磁性层厚度的影响 |
| 3.3 Terfenol-D掺杂 |
| 3.4 低频AC磁场测试 |
| 3.5 方位角灵敏度测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 Al N压电薄膜/FeCoSiB层状复合结构的频移特性 |
| 4.1 AlN压电薄膜的制备 |
| 4.2 Al N薄膜的XRD测试 |
| 4.3 Al N薄膜的SEM、TEM、AFM以及纳米压痕测试 |
| 4.4 Al N压电薄膜/FeCoSiB多层复合结构频移效应的测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 Delta-E效应和SAW相互作用的研究与分析 |
| 5.1 电导峰的谱图 |
| 5.2 谐振频率、半峰宽、幅度和Q值 |
| 5.3 机电耦合系数和FOM |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 下一步工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读博士期间发表的论文 |
（10）晶体振荡器自校准技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 |
| 1.3 论文内容及章节安排 |
| 1.4 本章小结 |
| 第二章 方案的理论基础 |
| 2.1 晶体振荡器的主要类型 |
| 2.2 晶体振荡器的主要参数 |
| 2.3 晶体振荡器的工作原理 |
| 2.4 晶体振荡器的补偿方法探究 |
| 2.4.1 数模混合温度补偿方法探究 |
| 2.4.2 应力补偿方法探究 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 晶体振荡器特性分析及验证 |
| 3.1 晶体谐振器的等效电路和电抗频率特性 |
| 3.2 晶体振荡器的并联类型 |
| 3.3 晶体振荡器谐振频率的影响因素 |
| 3.3.1 温度因素 |
| 3.3.2 电源电压因素 |
| 3.3.3 品质因数Q值 |
| 3.3.4 晶体振荡器的老化特性因素 |
| 3.4 谐振器两端信号相移与频率的函数关系分析及验证 |
| 3.4.1 相移与频率的函数关系的理论分析 |
| 3.4.2 谐振器两端信号相移与频率关系验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 数字化的自校准系统设计 |
| 4.1 系统介绍 |
| 4.2 数字化测量方法的分析 |
| 4.3 A/D采样的运用 |
| 4.3.1 正弦信号的幅度测量 |
| 4.3.2 相移的测量 |
| 4.4 系统各个模块的设计 |
| 4.4.1 放大电路设计 |
| 4.4.2 ADC模块设计 |
| 4.4.3 DAC模块设计 |
| 4.5 压控晶体振荡器压控端电压与输出频率之间的关系建立 |
| 4.5.1 压控晶体振荡器的工作原理 |
| 4.5.2 压控端电压与输出频率之间的关系建立 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 实验结果及误差分析 |
| 5.1 系统验证和数据分析 |
| 5.1.1 晶体振荡器的开机特性和频率漂移 |
| 5.1.2 自校准系统对频率的改善效果 |
| 5.2 自校准系统的主要影响因素分析 |
| 5.2.1 导线的影响 |
| 5.2.2 模数转换过程的影响 |
| 5.2.3 信号幅度的影响 |
| 5.2.4 算法的不完善性 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 研究总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
四、关于石英晶体频率稳定度高的论述（论文参考文献）
- [1]基于神经网络的高精度守时系统的研究与设计[D]. 苗自云. 山东工商学院, 2021(12)
- [2]石英晶体微天平（QCM）质量灵敏度的关键技术研究[D]. 胡建国. 电子科技大学, 2021(01)
- [3]晶体振荡器频率漂移自校准技术的研究[D]. 范凡. 西安电子科技大学, 2020(02)
- [4]晶振动态温频特性测试系统的校正与数据模型分析[D]. 崔志浩. 山东科技大学, 2020(06)
- [5]适于集成的低噪声温度补偿晶体振荡器的设计[D]. 王鹏钧. 电子科技大学, 2020(08)
- [6]一种压控温补晶体振荡器（VCTCXO）的设计和实现[D]. 叶羽铭. 电子科技大学, 2020(07)
- [7]低G灵敏度恒温晶振研制[D]. 李磊. 电子科技大学, 2019(04)
- [8]温度补偿晶体振荡器广泛补偿方法的研究[D]. 黄李贝. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [9]层状磁电复合材料中声表面波的磁场调制作用研究[D]. 刘项力. 华中科技大学, 2019(01)
- [10]晶体振荡器自校准技术研究[D]. 吴豪. 西安电子科技大学, 2019(02)