一、电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算（论文文献综述）
姚丽[1]（2020）在《基于表面增强拉曼光谱技术的食源性危害因子检测方法研究》文中研究说明食品安全（Food safety）是食品中不含有或含有安全、可接受范围内的可能影响消费者健康的危害因子。食源性危害因子种类繁多,有生物性、化学性、物理性危害因子,同时也包括具有潜在危害风险的转基因食品。近年来,随着食品种类的日益丰富、食品加工方法以及加工过程的日渐复杂,食品被这些危害因子污染的风险也越来越大,由此引发的公共食品安全问题也日益突出。因此,如何能快速有效的检测出食品中潜在的危害因子,并及时有效地预防食品安全事故的发生对人民的健康与安全意义重大。表面增强拉曼光谱法（Surface enhancement Raman spectroscopy,SERS）由于其检测灵敏度高、操作简便、准确率高、以及无需样品预处理等优点,在食品安全检测研究中的应用越来越频繁。本文主要利用制备的几种常见拉曼基底以及开发的新型膜材质拉曼基底,建立了表面增强拉曼检测方法,对常见的几种具有代表性的食源性危害因子进行了检测:（1）几种表面增强拉曼基底的制备及其研究贵金属纳米粒子如金纳米粒子（AuNPs）、银纳米粒子（AgNPs）由于其特殊的表面特性,是最早被应用于表面增强拉曼研究中的基底材料。但是二者各自有其优缺点,AuNPs比较稳定,但是共振强度不明显;AgNPs拉曼增强效应较强,但其稳定性较差,容易被氧化。基于这种情况,双金属复合材料——银包金核壳结构（Au@Ag）,逐渐被应用到表面增强拉曼技术中。本章对比了以上三种粒子的拉曼信号增强效果,发现Au@Ag增强效果最好。这种基底既保持了AuNPs粒径均一、易制备、稳定性好等特点,又结合了银纳米材料拉曼增强效果好的优点,还在AuNPs基础上增大了粒径,是较为理想的基底材料;随着拉曼技术的不断发展,非金属材料SiO2纳米微球由于合成简单,粒径尺寸均一且分布窄,并且粒径大小容易控制,所以常被用来作为拉曼核壳基底材料中的核结构。与传统球状或者核壳拉曼基底相比,银包裹的二氧化硅微球（SiO2@Ag）粒径成倍增大,拉曼增强效应也显着增强;此外,本章还制备了一种新型的基于玻璃纤维膜基质的拉曼基底,成功获得了结晶紫醋酸盐（CVa）和亚甲基蓝（MB）两种信号分子的拉曼光谱图,结合玻纤材质的柔韧性,证明了该基质具有很好的应用潜力。（2）基于巯基吡啶功能化金属纳米粒子的表面增强拉曼光谱一步法检测重金属汞离子常用的汞离子表面增强拉曼检测方法,主要是利用汞离子(Hg2+)与核酸碱基中的胸腺嘧啶（T）之间形成的T-Hg2+-T结构来设计一段短链DNA作为适配体,进而设计成传感器进行检测。这种情况下,需要在基底上同时组装核酸探针和信号分子,操作繁琐。本章建立的检测方法,主要使用4-巯基吡啶（4-MPY）作为拉曼信号分子,修饰在AuNPs表面制备成检测体系,再利用吡啶基团中的N可以通过多价N键与Hg2+配位形成Hg-（吡啶）2络合物的特点,利用4-MPY-Hg-4-MPY的结构将金属纳米粒子聚集到一起,使4-MPY拉曼信号增强,得到4-MPY拉曼信号与Hg2+浓度之间的正相关关系,实现Hg2+的定量检测;此外,对AuNPs和Au@Ag核壳结构两种基质制备的体系检测灵敏度进行了比较,发现Au@Ag核壳结构制备的体系具有更好的拉曼增强效应,提高了检测灵敏度。（3）基于核壳基底侵蚀的表面增强拉曼光谱法对亚硝酸盐的检测亚硝酸盐是食品中常用的添加剂,可以有效防止食品中细菌生长和食品的氧化,所以常被用作食品防腐剂使用。蔬菜腌制过程中、或者剩菜放置太久富集的硝酸盐会在发酵过程中会被还原为亚硝酸盐。亚硝酸盐进入人体血液中,容易引起组织缺氧中毒甚至死亡,还可能诱发肿瘤致癌。本章内容主要在银材质为壳结构的核壳纳米粒子表面先修饰拉曼信号分子罗丹明6G（Rho-6G）,该体系原始状态下就具有较强的拉曼信号。之后利用亚硝酸根离子（NO2-）在酸性条件下具有温和氧化性的特点,将核壳结构表面银壳侵蚀掉,使拉曼体系拉曼增强效应降低,建立了Rho-6G信号强度与NO2-之间的负相关关系,实现了对于亚硝酸盐的定量检测;此外还对比了AuNPs和SiO2分别作为拉曼基底核结构的检测灵敏度,验证出SiO2@Ag核壳结构体系检测灵敏度更高。（4）基于玻璃纤维膜基质的表面增强拉曼光谱法快速检测虾类产品中结晶紫的残留鱼虾类水产品以及蔬菜瓜果中经常会因为保鲜或者避免病虫害等原因存在药物残留。传统的检测方法在取样制样后会对样品中存在的药物进行一定程度的稀释,如若检测方法灵敏度受限,很可能得到假阴性,影响检测结果。并且,一些制样方法操作繁琐,耗时较长,影响时效性。针对这种情况,本章制备了一种新型的拉曼基底,以玻璃纤维膜为基质,在其上原位生长银纳米粒子,得到了柔软性较好、均一性优良的膜材质拉曼基底。这种基底方便在固体样本表面取样,并且不会造成样品中分析物浓度的损失,浓度低到f M级别的分析物也能检测出来;利用制备的新型膜材质基底,成功检测出了虾样本中的CVa含量;此外,利用该基质也并不影响液体样本的检测,可直接滴加到基底上面或者通过浸泡吸附到基底,具有较为广泛的应用范围。（5）借助体外核酸等温扩增的表面增强拉曼光谱法超灵敏检测副溶血弧菌副溶血弧菌（Vibrio Parahemolyticus,VP）又称肠炎弧菌,人体感染VP后容易导致腹部不适,并伴有恶心、呕吐和腹泻等不良症状,严重腹泻还可导致脱水,甚至出现神志意识障碍。本章应用了VP的适配体与特异性抗体,构建了借助核酸等温扩增的表面增强拉曼检测方法,实现了对VP的超灵敏检测。首先,将VP抗体固定到孔板中,含有VP适配体序列的核酸作为核酸滚环扩增（Rolling Circle Amplification,RCA）的引物先在体外进行扩增。再待测样中有VP存在时,以VP作为媒介将RCA扩增产物捕获到孔板中。之后通过核酸碱基互补配对,将修饰了扩增产物中重复序列互补DNA的Au@Ag也随之固定在孔板中,形成了SERS底物。所以,待测体系中VP含量越高,拉曼信号强度越高。利用建立的方法,在菌浓度为2.2×102～2.2×108时,实现了对VP的定量检测,检测限达到1 cfu/m L,并且该方法对VP有良好的选择性。（6）基于表面增强拉曼光谱解码的侧向层析试纸同时鉴定转基因食品各组分转基因食品作为一种特殊的存在,它的安全性尚未有明确结论,一直存在很大的争议。因此,建立对转基因食品的准确筛查方法很有必要。本章是将侧向层析试纸（Lateral flow strip,LFS）技术与SERS相结合,成功构建了基于表面增强拉曼解码的侧向层析试纸传感器,可同时快速检测转基因各组分。以转基因大豆作为研究对象,利用了三个拉曼信标,实现了转基因大豆中三种组分（启动子、密码子、终止子）的精准区分;利用拉曼特征峰峰型尖锐而且窄的特点,能够在LFS传感器上同一条测试线（T线）实现多重检测,在保留了传统试纸测试简便的特点前提下,实现了无交叉影响的多重检测,并且有较好的特异性,单碱基错配的短链核酸也能够区分。
史治化[2]（2019）在《增强有机发光二极管的电子电流》文中研究指明有机发光二极管（OLED）具有反应速度快、对比度高、视角广、可绕等优点,能够满足消费者对平板显示技术的更高要求,从而引起了产业界和学术界的高度关注。虽然OLED已成功用于制备中小尺寸显示屏（例如可折叠手机屏幕）,但OLED屏幕普遍存在着价格昂贵、易烧屏和寿命短等问题,这限制了它们更大规模的商业化应用。本论文主要利用电掺杂传输层的优点,设计了几种新型的发光器件结构,以期解决目前OLED存在的缺陷,推动OLED显示技术的发展。本论文的研究内容主要包括以下几个方面:（1）反向有机发光二极管（IOLED）器件结构的优化。有机n-型掺杂层的性能与掺杂剂浓度相关。通过调控电掺杂浓度的分布,优化了IOLED器件结构。研究结果表明,跟传统的有机n-型掺杂层30 nm 4:1 BCP:Li2CO3或30 nm 8:1 BCP:Li2CO3相比,10 nm 4:1 BCP:Li2CO3/10 nm 8:1 BCP:Li2CO3/10 nm 4:1 BCP:Li2CO3能够降低注入损耗、传输损耗以及传输势垒引起的界面损失,增强了IOLED的电子电流及其发光性能。（2）磷光p-i-n OLED器件结构的优化。有机p-型掺杂层的性能与掺杂剂浓度相关。通过调控p-型掺杂浓度的分布,优化了p-i-n OLED器件结构。结果表明,跟传统的p-型掺杂传输层30 nm 4:1 CBP:MoO3或30 nm 2:1 CBP:MoO3相比,10 nm 2:1CBP:MoO3/20 nm 4:1 CBP:MoO3提高了器件的电流密度和效率。（3）反向有机太阳能电池（OSC）器件的优化。使用CBP:MoO3作为空穴抽取层,制备了反向OSC,并与使用传统空穴抽取层（MoO3）的反向OSC进行了比较。当抽取层的厚度≤20 nm时,两种反向OSCs的短路电流几乎相同,但是CBP:MoO3比MoO3提高了器件的填充因子和能量转换效率。调控电掺杂浓度能够增强p-i-n OLED的电子电流和空穴电流,对于促进OLED的进一步发展具有重要意义。本论文为解决目前OLED产业中存在的问题提供了新的思路。
薛菲[3]（2018）在《Zn/Co共掺杂TiO2纳米材料抗菌陶瓷的制备工艺及其性能研究》文中认为近年来,人们在生活中对抗菌材料的需求越来越多,因此新一代环保型二氧化钛抗菌陶瓷应运而生。本论文选取具有良好抗菌性的Zn/Co共掺杂TiO2纳米材料,采用超声喷雾热解法及浸渍提拉法系统的研究喷雾镀膜高度、喷雾时间、提拉速度、提拉浸渍时间、焙烧温度及保温时间对抗菌陶瓷抗菌性的影响,探索最佳镀膜工艺。采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见漫反射光谱（UV-Vis-DRS）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）等分析方法对所制备的纳米材料进行物相组成及光吸收性能等分析。在可见光照射条件下,采用烧瓶振荡法和抑菌环法对所制备的材料进行抗菌性能的研究。采用薄膜密着法来研究所制备抗菌陶瓷的抗菌性能,同时结合XRD、SEM对抗菌陶瓷薄膜的性能表征,选择出制备抗菌陶瓷抗菌效果最佳的镀膜工艺。实验结果表明,以钛酸四丁酯作为前驱物,无水乙醇为溶剂,冰醋酸为螯合剂,十二烷基苯磺酸钠作为表面活性剂,掺杂硝酸锌、硝酸钴（摩尔比为2:1）,制备出抗菌性能较好的Zn/Co共掺杂TiO2溶胶,可用做抗菌陶瓷的制备。采用自制超声喷雾热解装置制备Zn/Co共掺杂TiO2纳米抗菌陶瓷,喷雾口距离陶瓷基片高度最佳为5 cm,镀膜层数最佳为二层。SEM图谱分析及抗菌实验表明,此条件下成膜均匀无开裂现象,并且抗菌率最高。陶瓷在马弗炉中的最佳焙烧温度为600℃,最佳保温时间为2 h,此时成膜效果最好且抗菌率最高。超声喷雾热解法最佳制备工艺下抗菌陶瓷有较强的耐污性,抗自然水冲刷性略有下降。采用浸渍提拉法制备Zn/Co共掺杂TiO2纳米抗菌陶瓷,提拉速度200μm/s、提拉浸渍时间200 s时,镀膜层数一层为最佳值。覆盖时间及层数过多都会使光催化物质被覆盖,出现成膜不均匀且抗菌率下降的情况。陶瓷在马弗炉中的最佳焙烧温度为600℃,600℃时Zn/Co共掺杂TiO2以具有光催化性的锐钛矿型存在,抗菌率最高。浸渍提拉法最佳制备工艺下抗菌陶瓷有较强的耐污性,但抗自然水冲刷性不理想,这与浸渍提拉法成膜牢固性有关。
陈弘达[4]（2015）在《电子信息材料》文中指出1前言进入21世纪,整个世界正飞速地经历着前所未有的关键性历史转折。在度过了农业革命、工业革命之后,人类也迎来信息革命和知识经济时代。2049年是新中国100年华诞,可以毫不夸张的说,那时的中国已列入发达国家行列,我们的科学技术将跻身科技强国的前列,电子信息材料产业也将得到稳步、健康的发展。
杨杰[5]（2015）在《硅基MEMS压电式振动能量采集器设计制造及其性能研究》文中进行了进一步梳理MEMS振动能量采集器具有体积小、灵敏度高、可实现微小型化制造、寿命长、环境适应性强、能量密度和转换效率高等特点，它可以通过机械振动能量拾取装置将环境中普遍存在的振动能转换成电能，进而有望全天候地为无线传感器网络节点、野外和植入结构的微系统、各种低功耗电子元件等提供电能。MEMS振动能量采集器有力地推进了低碳经济、清洁能源的发展，已成为微能源技术领域的一个重要发展方向，在MEMS技术发展中具有重要的里程碑意义，对其进行的相关研究工作极具科学意义和发展前景。本文创新性地设计了一种低频压电d31模式的八悬臂梁-中心质量块结构MEMS振动能量采集器，实现将环境中的振动能量向电性能的转换。在每个悬臂梁上都异质集成制备PZT压电功能厚膜层，将所加工制造成的16个PZT压电敏感单元相串联增加了压电发电能量，提高了系统的总体输出电压、机电转化效率、输出功率及输出功率密度；同时，八悬臂梁-中心质量块结构的一阶谐振频率较低，与环境机械振动极易产生共振，更易于产生高密度的电能量。本文硅基MEMS压电式振动能量采集器的研究工作为可再生微能源研究提供了一种新的思路。本文揭示振动驱动下PZT压电功能材料的机电转换效应机理；构建八悬臂梁-中心质量块基础结构压电式力-电转化模型，通过理论计算及MATLAB软件分析器件八悬臂梁-中心质量块微结构的力学行为，利用有限元仿真分析软件ANSYS对八悬臂梁-中心质量块微结构进行静力学仿真分析、模态仿真分析以及谐响应仿真分析，揭示器件结构与一阶谐振频率之间的依赖关系，结合MEMS加工制造工艺限制条件，得到器件微结构的最优尺寸；采用Sol-Gel工艺实现硅基PZT压电厚膜膜的异质集成制造，获得的PZT压电功能厚膜层的高度为3.5μm；结合湿法腐蚀、磁控溅射、干法刻蚀、光刻、剥离等MEMS工艺技术，完成器件基础微结构的设计与MEMS加工制造；利用表面键合、引线键合等器件封装技术完成压电式振动能量采集器的集成封装工作；自主搭建振动测试系统，模拟周围环境中的机械振动，对封装好的器件进行输出电性能的测试与分析。测试结果表明：DeviceA/Device B的一阶谐振频率为16Hz/41Hz、加速度激励为3.0g时，振动能量采集器件的输出电压峰-峰值达到最大166.4mVP-P/264.00mVP-P。在器件两端加载1.20MΩ/3.00MΩ的负载时最大输出功率为73.05×10-2nW/71.85×10-2nW，输出功率密度为37.27nW×cm-3/36.66nW×cm-3，PZT压电敏感单元有效面积下的输出功率密度为30.44nW×cm-2/14.97nW×cm-2。该低频响应、高能量密度输出MEMS压电式振动能量采集器的研究工作为解决无线传感网络节点供电问题奠定理论和技术基础。
董艳锋[6]（2012）在《ZnO及其掺杂薄膜结构与性质研究》文中指出氧化锌（ZnO）是一种新型直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，有优良的物理和化学性质，在平板显示器、太阳能电池、紫外探测器和透明导电薄膜等领域有广泛的应用前景。尽管人们已对ZnO薄膜进行了研究，并取得了一些有价值的研究成果，但目前ZnO薄膜的质量没有达到实用化要求，因此制备高质量的ZnO薄膜是目前研究的一个重要方向。脉冲激光沉积（PLD）法是一种有效的方法。ZnO优异的光电性能被广泛研究的同时，在ZnO基质中掺入外来的离子从而改变ZnO结构性能更是拓宽了ZnO潜在的应用领域。作为一种重要的红光发光中心，稀土Eu3+近年来被广泛关注。稀土Eu3+掺杂ZnO的研究引起了人们的兴趣，但基于PLD法制备的稀土Eu3+掺杂ZnO研究很少。ZnO基器件大多选用Au、Ag、Pt及ITO等比较昂贵的电极，考虑到铜良好的导电性、较强的抗电迁移性能和较低的成本，我们尝试用铜作电极得到了MSM结构的Cu/ZnO接触。本文研究的主要内容包括以下几个方面：1.利用PLD技术在S（i111）衬底上生长了ZnO薄膜，通过XRD测试和光致发光（PL）谱分析研究了衬底温度、氧流量和缓冲层对样品的结构和发光性能的影响。XRD研究结果表明，所有样品仅出现ZnO（002）衍射峰，说明样品具有很好的c轴择优取向。随着衬底温度的升高，衍射峰半高宽（FWHM）先减小后增加，当衬底温度为300℃时，FWHM最小，结晶质量最好。当氧流量较小时，结晶质量较差。随着氧流量的增加，衍射峰强度增大，FWHM减小；氧流量为10sccm时，衍射峰最强，FWHM最小；当氧流量继续增加，半高宽增大，结晶质量变差。随着缓冲层厚度的增加，外延层的结晶质量逐步提高，当脉冲个数为1000时，FWHM最小。但是当缓冲层厚度继续增加时，ZnO外延层结晶质量变差。PL谱研究表明，当用350nm的光激发样品时，样品呈现三个发光带，分别是位于380nm左右的紫外发射、440－480nm范围的蓝光发射和位于600nm左右的橙黄发射。PL谱测试结果表明，制备条件对样品发光强度影响较大。随着衬底温度从室温增加到300℃，样品的发光强度逐渐增加，但当温度升高到400℃时，发光强度又降低。发光强度随氧流量的变化规律与随衬底温度的变化规律相似，当氧流量为10sccm时样品发光最强。研究还发现，有缓冲层时样品的发光明显增强，当缓冲层脉冲个数为1000时样品发光增强，和真空中生长的样品相比，外延层在有氧气氛中制备的样品发光较强。通过CIE标准色度学对样品的色度表征结果表明，所有样品均呈现白光发射，在白光LED荧光粉方面有潜在的应用前景。2.利用PLD技术在Si（111）衬底上制备了ZnO:Eu3+,Li+薄膜，分别研究了生长氧压、退火气氛和退火温度对样品结构和发光性质的影响。XRD谱研究表明，所有样品均仅出现ZnO基质的（002）衍射峰，说明Eu3+已进入ZnO基质晶格，没有单独形成结晶氧化物。随着氧压的增加， FWHM先减小后增加，氧压为0.3Pa时达到最小。随着氧压的增大，晶面间距逐渐减小，但由于Eu3+进入了ZnO晶格，薄膜晶面间距均大于ZnO材料的标准值。和真空中退火的样品相比，氧气气氛中退火的样品的FWHM较小，薄膜结晶质量较好。在真空中退火时，当退火温度为550℃时样品衍射峰强度最大，FWHM最小，结晶质量最好。PL谱研究表明：（1）对于不同氧压下生长的样品，当用325nm的光激发时，所有样品的发光主要由ZnO基质的紫外发射和绿光发射组成，并没有出现稀土Eu3+的特征发射峰。随着氧压的变化，峰位变化较小，发光强度变化较大。当用395nm的光激发样品时，在613nm处出现明显的Eu3+电偶极（5D0→7F2）跃迁发光峰，随着氧压的增加，Eu3+的特征发光峰明显增强。（2）对于退火的样品，用395nm的光激发样品时，光谱中没有出现Eu3+位于613nm的特征发光峰，这表明退火处理不利于Eu3+的电偶极（5D0→7F2）跃迁，而且随着退火温度的增加并没有改变这一现象。本研究为实现基于Eu3+、Li+共掺杂的ZnO材料的应用进行了有意义的探索。3.利用PLD法在Si （111）衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜，用Cu薄膜作电极，研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜（SEM）和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了分析。结果表明，样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向；退火前Cu薄膜表面不均匀，晶粒不明显，结晶质量较差；退火后，有明显的晶粒出现，晶粒均匀致密，Cu薄膜结晶质量得到明显改善。当Cu和ZnO直接接触时，样品的I-V特性是非线性的；当Cu和ZnO之间通过ZnO:Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触，而且退火后欧姆接触性能明显提高，电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。
董瑞光[7]（2010）在《Bi2A2Co2Oy（A＝Ca、Sr、Ba）体系热电薄膜的LITV效应及其电输运性质的研究》文中研究表明本文首次在倾斜生长的Bi2Ca2Co2Oy.Bi2Ba2Co2Oy热电薄膜中观察到激光感生热电电压（LITV）效应。并根据LITV信号的拟合数据研究了薄膜的热扩散系数和各向异性塞贝克系数。分析了薄膜的层间失配度对其热电性能和LITV信号的影响。采用固相反应法制备了Bi2Ca2Co2Oy、Bi2Sr2Co2Oy、Bi2Ba2Co2Oy多晶陶瓷作为沉积薄膜的靶材。用X射线衍射（XRD）分析了它们的结构,表明所制备的靶材基本上为单相的具有c轴择优取向的多晶陶瓷。用四引线法测量了电阻-温度曲线,得出在所测温度范围内Bi2Ca2Co2Oy表现为半导体导电特性,Bi2Sr2Co2Oy存在一个由半导体导电向金属导电转变的温度,Bi2Ba2Co2Oy表现为金属导电特性。对靶材的半导体导电行为根据公式计算了电阻率-温度曲线,并应用半导体导电的热激活模型的理论计算了热激活能。分析表明导电性是随着多晶的层间失配度的降低而变好的。采用脉冲激光沉积技术（PLD）在A1203单晶衬底上制备了Bi2Ca2Co2Oy. Bi2Ca2Co2Oy外延薄膜,讨论了温度、氧压等参数对其生长质量的影响。用X射线衍射（XRD）分析表明它们都具有高度的c轴择优取向。用四探针法测量了电阻-温度曲线,表明Bi2Ca2Co2Oy和Bi2Sr2Co2Oy都存在一个由半导体导电向金属导电转变的温度,Bi2Ba2Co2Oy表现为金属导电特性。分析了薄膜的导电性随晶格失配度的变化关系,并和多晶的电输运性能做了简单的对比和分析。在倾斜角度为10。的A1203单晶衬底上制备了以上三个系列的热电薄膜,并在其中观察到了LITV信号。研究了厚度对LITV信号的影响,表明对应LITV信号的最大值存在一个最佳的薄膜厚度。研究了层间失配度对LITV信号的影响,表明层间失配度越大LITV信号也越大。通过拟合LITV信号下降沿时间参数得到了薄膜的热扩散系数D与薄膜厚度的关系,根据一维热传导模型推导了薄膜上下表面的温差,结合文献中报道的激光感生热电电压公式,推导出了一个崭新的计算各向异性塞贝克系数（Sab-Sc）的公式；根据上述结论和测量的薄膜的LITV信号,计算出了薄膜的热扩散系数D和Sab-Sc。分析了D和Sab-Sc随层间失配度的变化关系,D是随着层间失配度的增大而先减小后增大,Sab-Sc。是随着层间失配度的增大而减小的,另一方面也说明了塞贝克系数大的材料其各向异性塞贝克系数也大,反之亦然。根据以上结论,提出了快速评估该体系材料热电性能的新方法。即：通过测量LITV信号可以根据其峰值的高低来判断其各向异性塞贝克系数（Sab-Sc）的大小,而（Sab-Sc）大的材料其塞贝克系数也大；通过拟合LITV信号的下降沿时间可以估算其热扩散系数,从而也可以比较其热导率的大小：通过四探针法测量R-T关系可以推断其电输运性质的优劣。这样影响热电材料的优值的三个重要的参数我们都可以进行判断,进而可以分析比较其热电性能的好坏了。
张爽[8]（2004）在《用于紫外光探测器的TiO2及其复合氧化物的结构和光学性质研究》文中研究表明紫外光探测器无论在军用还是在民用上都有重要的应用价值，所以引起人们的极大关注。近年来，随着材料制备技术的发展而迅速发展。目前研究较多的是宽禁带半导体GaN基紫外光探测器，并且取得了大的进展。基于宽禁带半导体ZnO材料的紫外光探测器也受到的很大的关注。TiO2是一种宽禁带半导体，它不但具有很好的物理和化学性质，而且具备较好的光学性质。由于它的体材料禁带宽度为3.2eV，对应于紫外光波段，所以具有很大的制作紫外光探测器的潜力。本论文的主要内容之一就是探索性地制作以TiO2为基体材料的紫外光探测器。对于制作紫外光探测器来说，我们希望扩大材料的光吸收范围，从而增大探测器的可探测波长范围。要实现这一目的就必须制备出与TiO2具有相似结构且带隙可调的半导体材料。通过参考AlxGa1-xN和MgxZn1-xO等基材料的研究结果，我们发现：在基体材料中适当的引入其它组分元素而得到的三元或四元系合金材料不但具有与基体相似的结构和光学特性，而且其带隙宽度可以在一定范围内进行调节。这样我们就可以根据实际需要来设计基体材料，选用符合要求的基体材料。因此，如何选择和研制一种同时具有好的结构和光学性质的带隙宽<WP=138>度可以在一定范围内调节的合金半导体材料就成了一项十分重要的课题。本文利用溶胶－凝胶法制备了TiO2薄膜材料，研究了不同烧结温度对材料结构性质和光学性质的影响。初步探索性地利用TiO2作为基体材料制作了MSM型紫外光探测器。另外，利用溶胶－凝胶法分别制备了MnxTi1-xO2， SrxTi1-xO2，LaxTi1-xO2，NdxTi1-xO2合金薄膜，并深入研究了它们的结构和光学性质。通过各种表征手段对不同组分含量，不同热处理温度下的薄膜材料的性质进行研究，了解其结构和光学性质的变化规律，从而选择适宜的条件制备符合设计要求的基体材料。首先，利用溶胶－凝胶法制备了纳米晶TiO2薄膜材料。通过对不同烧结温度下制备样品的X－射线衍射分析可以看出，烧结温度为350-750℃时，材料具有锐钛矿型结构。当烧结温度升至850℃时，材料是由金红石和锐钛矿两种结构共存。而且随着烧结温度的升高，晶粒尺寸越来越大，材料的结晶度越来越好。我们又对650、750、850℃下制备的样品的紫外吸收特性进行测量，发现各样品在紫外波段均有较强的吸收，在可见光波段几乎不吸收。随着烧结温度的升高，材料的吸收光谱的吸收边出现红移现象。我们首次报道了以TiO2薄膜作为基体材料制作紫外光探测器。通过器件的光电流与照射光波长之间的关系曲线我们看出，器件对小于280nm波段的紫外光有较好的响应，截止边出现在360nm。由于实验条件的限制，目前我们还不能对器件的其他参数进行测量。为了实现探测器的响应波长范围可调，我们制备了组分可调的Ti系复合氧化物。首先在不同烧结温度下制备了具有不同Mn组分含量的复合氧化物MnxTi1-xO2薄膜。XRD研究结果表明，Mn0.1Ti0.9O2薄膜的锐钛矿和金红石型结构同时出现的温度为550℃，随着烧结温度升高，锐钛矿型的衍射峰逐渐减弱，金红石型的衍射峰逐渐加强。750℃时已经观察不到锐钛矿型的衍射峰。对于Mn0.2Ti0.8O2 、Mn0.33Ti0.67O2、 Mn0.5Ti0.5O2薄膜，在450℃时就观察不到锐钛矿型的衍射峰。随着烧结温度升高，金红石型衍射峰逐渐<WP=139>加强。观测结果表明组分Mn的引入不但保持TiO2的结构，而且对体系呈稳定的金红石相的相转变温度趋向降低。通过研究烧结温度对复合氧化物MnxTi1-xO2薄膜光学性质的影响我们发现，随着烧结温度的升高，各材料的吸收光谱的吸收边出现红移。通过研究各烧结温度下Mn含量对吸收光谱的影响发现，复合氧化物MnxTi1-xO2薄膜的吸收边较TiO2的吸收边红移。而且随着Mn含量的增加，红移的距离加大。这说明通过提高烧结温度和增加Mn的含量都可以使材料的光吸收范围向长波方向扩大。 接下来，我们在不同烧结温度下制备了具有不同Sr组分含量的复合氧化物SrxTi1-xO2薄膜。我们发现只有当Sr的含量x值小于0.3时，材料才具备TiO2的结构。对这些具有TiO2结构的样品紫外吸收性质的研究发现，与TiO2相比它们的吸收光谱的吸收边蓝移，与复合氧化物MnxTi1-xO2薄膜的吸收边移动方向相反。这说明Sr的引入可以使材料的吸收范围向短波方向扩大，而Mn的引入可以使材料的吸收范围向长波方向扩大，这样我们就可以根据器件设计的要求来选择基体材料。 另外，我们还制备了LaxTi1-xO2，NdxTi1-xO2合金薄膜。通过对其结构性质和光学性质的研究发现，这些材料不具备作为紫外光探测器基体材料的要求。但是它们可以为以后的实验研究提供参考数据。
胡德云[9]（2000）在《电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算》文中进行了进一步梳理
李博[10]（2009）在《Co-N薄膜的制备与磁性研究》文中提出Co-N相属于典型的间隙化合物相,早期研究表明,Co-N相薄膜具有优良的铁磁性能和高垂直磁各向异性特点,有望应用于垂直磁记录介质中。对这类氮化物薄膜材料的结构及磁性研究多年来受到科学家们的广泛关注。本论文以Ar和N2为放电气体,用直流磁控溅射方法在Si（111）基底上制备了Co-N薄膜,并对其进行了一系列表征:用X射线衍射（XRD）和选区电子衍射（SAED）对薄膜的结构进行了分析;用扫描电镜（SEM）确定了薄膜厚度并获得了薄膜的表面形貌;用超导量子干涉仪（SQUIDS）对薄膜的磁性进行了分析。通过这些表征,我讨论了氮气分压和溅射功率对Co-N薄膜结构和磁性性能的影响规律,优化了Co-N薄膜的制备工艺,获得了具有不同Co含量的Co4N化合物相,为Co-N薄膜材料的实际应用提供了依据。
二、电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算（论文提纲范文）
（1）基于表面增强拉曼光谱技术的食源性危害因子检测方法研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| abstract |
| 英文缩略词 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题目的及意义 |
| 1.2 食品安全问题 |
| 1.2.1 食品安全问题来源 |
| 1.2.2 食源性危害因子种类及特点 |
| 1.2.3 食源性危害因子的检测方法 |
| 1.3 拉曼(RAMAN)光谱及表面增强拉曼光谱 |
| 1.3.1 拉曼光谱的基本原理及特点 |
| 1.3.2 拉曼光谱的应用 |
| 1.3.3 表面增强拉曼光谱及增强机理 |
| 1.3.4 表面增强拉曼光谱的活性基底 |
| 1.4 表面增强拉曼光谱在检测领域的应用 |
| 1.4.1 表面增强拉曼光谱在药物分析中的应用 |
| 1.4.2 表面增强拉曼光谱在环境检测中的应用 |
| 1.4.3 表面增强拉曼光谱在指纹识别中的应用 |
| 1.4.4 表面增强拉曼光谱在毒品检测中的应用 |
| 1.4.5 表面增强拉曼光谱在食品安全检测中的应用 |
| 1.5 本论文的研究内容及创新点 |
| 第二章 几种表面增强拉曼基底的制备及其研究 |
| 2.1 前言 |
| 2.1.1 金纳米粒子 |
| 2.1.2 银纳米粒子 |
| 2.1.3 银包金(Au@Ag)核壳结构 |
| 2.1.4 银包裹二氧化硅(SiO_2@Ag)核壳结构 |
| 2.1.5 基于银纳米粒子原位生长的玻璃纤维膜结构 |
| 2.2 实验材料及设备 |
| 2.2.1 实验所用试剂原料 |
| 2.2.2 实验所用主要仪器 |
| 2.3 各种基底的制备 |
| 2.3.1 金纳米粒子的制备 |
| 2.3.2 银纳米粒子的制备 |
| 2.3.3 银包金(Au@Ag)核壳结构的制备 |
| 2.3.4 银包裹二氧化硅(SiO_2@Ag)核壳结构的制备 |
| 2.3.5 基于金属纳米粒子原位生长的玻璃纤维膜基底的制备 |
| 2.4 基底的表征 |
| 2.4.1 胶体金的特性 |
| 2.4.2 银纳米粒子的特征 |
| 2.4.3 银包金(Au@Ag)核壳结构的表征 |
| 2.4.4 银包裹二氧化硅(SiO_2@Ag)核壳结构的基底的特性 |
| 2.4.5 基于原位生长银纳米粒子的玻璃纤维膜基底的特性 |
| 2.5 各基底的拉曼信号增强效果 |
| 2.6 结论 |
| 第三章 基于巯基吡啶功能化金属纳米粒子的表面增强拉曼法对重金属汞离子的直接检测 |
| 3.1 引言 |
| 3.1.1 重金属汞离子的危害与检测 |
| 3.1.2 4-巯基吡啶 |
| 3.2 实验原理 |
| 3.3 实验材料及设备 |
| 3.3.1 实验试剂及材料 |
| 3.3.2 实验过程中用到的溶液 |
| 3.3.3 实验设备及仪器 |
| 3.4 实验方法 |
| 3.4.1 拉曼基底的制备 |
| 3.4.2 4-MPY功能化金属纳米粒子的制备 |
| 3.4.3 制备测试体系过程中K_2CO_3量的优化 |
| 3.4.4 检测体系重悬液的选择 |
| 3.4.5 检测体系信号分子浓度的优化 |
| 3.4.6 对不同浓度Hg~(2+)的拉曼检测 |
| 3.4.7 Au@Ag核壳结构体系对Hg~(2+)的定量检测 |
| 3.4.8 体系对于Hg~(2+)的特异性检测 |
| 3.5 结果与讨论 |
| 3.5.1 金纳米粒子表面4-MPY修饰的验证 |
| 3.5.2 检测体系pH的优化 |
| 3.5.3 体系制备过程中重悬液种类的优化 |
| 3.5.4 检测体系中使用的4-MPY浓度的优化 |
| 3.5.5 金纳米粒子检测体系对于不同浓度Hg~(2+)的检测 |
| 3.5.6 金纳米粒子与Au@Ag两种检测体系增强效应的比较 |
| 3.5.7 Au@Ag检测体系对于Hg~(2+)的定量检测 |
| 3.5.8 检测体系的特异性研究 |
| 3.6 结论 |
| 第四章 基于核壳基底侵蚀的表面增强拉曼光谱法对亚硝酸盐的检测 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 亚硝酸盐的来源及危害 |
| 4.1.2 亚硝酸盐的检测方法 |
| 4.2 基于表面增强拉曼光谱的亚硝酸盐的检测方法的原理 |
| 4.3 实验材料及 |
| 4.3.1 实验试剂及材料 |
| 4.3.2 实验设备及仪器 |
| 4.4 实验方法 |
| 4.4.1 拉曼信号基底(Au@Ag以及SiO_2@Ag)的制备 |
| 4.4.2 信号分子的修饰 |
| 4.4.3 标准样品的制备 |
| 4.4.4 检测体系pH值的优化 |
| 4.4.5 不同浓度亚硝酸盐标样的检测 |
| 4.4.6 两种基底检测灵敏度的比较 |
| 4.4.7 亚硝酸盐的特异性检测 |
| 4.4.8 实际样品的检测 |
| 4.5 结果与讨论 |
| 4.5.1 检测体系pH值的选择 |
| 4.5.2 基底变化的验证 |
| 4.5.3 银包金体系对不同浓度亚硝酸钠的检测 |
| 4.5.4 两种基底检测灵敏度的比较 |
| 4.5.5 亚硝酸盐浓度与拉曼信号强度线性关系的建立 |
| 4.5.6 亚硝酸盐特异性检测结果 |
| 4.5.7 实际样品检测结果 |
| 4.6 结论 |
| 第五章 基于玻璃纤维膜基质的表面增强拉曼光谱法快速检测虾类产品中结晶紫的残留 |
| 5.1 引言 |
| 5.1.1 鱼虾类产品常见药物残留及其危害 |
| 5.1.2 鱼虾类产品药物残留检测方法 |
| 5.2 实验材料及设备 |
| 5.2.1 实验试剂及材料 |
| 5.2.2 实验设备及仪器 |
| 5.3 实验方法 |
| 5.3.1 基底的制备 |
| 5.3.2 将基质用于检测的可行性研究 |
| 5.3.3 两种条件下制备的膜基质性状比较 |
| 5.3.4 膜基质稳定性验证 |
| 5.3.5 膜基质制备条件的优化 |
| 5.3.6 制备的膜基质对不同浓度结晶紫的检测 |
| 5.3.7 制备的膜基质对于虾样品中药物残留的检测应用 |
| 5.3.8 拉曼基底重复性验证 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 基底可行性验证 |
| 5.4.2 两种条件下制备的膜基质的表征 |
| 5.4.3 基质稳定性的验证 |
| 5.4.4 膜基质制备的条件的选择 |
| 5.4.5 拉曼信号与结晶紫浓度之间的线性关系的建立 |
| 5.4.6 制备的膜基质对于实际鱼虾类样本中药物残留的检测结果 |
| 5.4.7 重复性验证 |
| 5.5 结论 |
| 第六章 借助体外核酸等温扩增的表面增强拉曼光谱法超灵敏检测副溶血弧菌 |
| 6.1 引言 |
| 6.1.1 副溶血弧菌的特点 |
| 6.1.2 副溶血弧菌的危害及检测 |
| 6.2 实验原理 |
| 6.3 实验材料及设备 |
| 6.3.1 实验试剂及材料 |
| 6.3.2 实验所需溶液 |
| 6.3.3 实验设备及仪器 |
| 6.4 实验方法 |
| 6.4.1 表面增强拉曼信标的制备 |
| 6.4.2 拉曼信标表面DNA的组装 |
| 6.4.3 孔板中抗体的固定以及菌体的捕获 |
| 6.4.4 体外核酸滚环扩增(RCA) |
| 6.4.5 菌体的检测 |
| 6.4.6 实验条件的优化 |
| 6.4.7 不同浓度副溶血弧菌的检测 |
| 6.4.8 体系对于副溶血弧菌的特异性检测 |
| 6.4.9 检测体系重复性的验证 |
| 6.4.10 检测体系稳定性的验证 |
| 6.4.11 食物样本中副溶血弧菌的检测 |
| 6.5 结果与讨论 |
| 6.5.1 滚环扩增产物以及其与Au@Ag核壳结构拉曼信标组装的验证 |
| 6.5.2 扩增前后拉曼检测信号强度的比较 |
| 6.5.3 实验条件的优化结果 |
| 6.5.4 副溶血弧菌浓度与拉曼信号强度线性关系的建立 |
| 6.5.5 副溶血弧菌特异性检测结果 |
| 6.5.6 检测体系重复性验证结果 |
| 6.5.7 检测体系稳定性验证结果 |
| 6.5.8 实际样品检测结果 |
| 6.6 结论 |
| 第七章 基于表面增强拉曼光谱解码的侧向层析试纸同时鉴定转基因食品各组分 |
| 7.1 引言 |
| 7.1.1 转基因食品简介 |
| 7.1.2 转基因食品的潜在隐患与争议 |
| 7.1.3 转基因食品的检测 |
| 7.2 实验原理 |
| 7.3 实验材料及设备 |
| 7.3.1 实验试剂及材料 |
| 7.3.2 实验设备及仪器 |
| 7.3.3 实验所需溶液 |
| 7.4 实验方法 |
| 7.4.1 拉曼信标的制备与表征 |
| 7.4.2 拉曼信标表面信号探针的组装及标记垫的制备 |
| 7.4.3 C、T线母液制备及喷涂 |
| 7.4.4 样品垫的制备及试纸条的组装 |
| 7.4.5 多重检测可行性验证 |
| 7.4.6 不同浓度单组份目标物的检测 |
| 7.4.7 相同浓度趋势的多组分目标物同时检测 |
| 7.4.8 不同浓度趋势的多组分目标物同时检测 |
| 7.4.9 特异性验证 |
| 7.5 结果与讨论 |
| 7.5.1 拉曼信标的制备 |
| 7.5.2 用于检测不同种类目标物的拉曼信标的拉曼信号特征 |
| 7.5.3 多重检测验证 |
| 7.5.4 各单组份目标物浓度与拉曼信号强度线性关系的建立 |
| 7.5.5 不同浓度趋势多组分目标物检测结果 |
| 7.5.6 特异性检测结果 |
| 7.5.7 实际样品检测结果 |
| 7.6 结论 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的学术活动及成果清单 |
（2）增强有机发光二极管的电子电流（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机发光二极管 |
| 1.2 有机发光二极管的研究意义 |
| 1.3 有机发光二极管的发展 |
| 1.4 有机发光二极管的发光机理 |
| 1.4.1 电荷注入 |
| 1.4.2 载流子传输 |
| 1.4.3 载流子的复合及其辐射跃迁 |
| 1.4.4 光的传播 |
| 1.4.5 非辐射跃迁 |
| 1.5 有机发光二极管器件的材料 |
| 1.5.1 阳极材料 |
| 1.5.2 空穴注入材料 |
| 1.5.3 空穴传输材料 |
| 1.5.4 发光材料 |
| 1.5.5 电子传输材料 |
| 1.5.6 阴极材料 |
| 1.5.7 有机材料的提纯 |
| 1.6 有机发光二极管器件的重要参数 |
| 1.6.1 有机发光二极管的光度学参数 |
| 1.6.2 有机半导体的电学参数 |
| 1.6.3 有机发光二极管的效率 |
| 1.6.4 有机发光二极管的色彩参数 |
| 1.7 有机发光二极管的优化 |
| 1.7.1 相关材料的预处理 |
| 1.7.2 掺杂 |
| 1.7.3 界面修饰 |
| 1.7.4 降低驱动电压 |
| 1.7.5 提高器件效率 |
| 1.8 有机发光二极管的制备工艺 |
| 1.8.1 真空镀膜技术 |
| 1.8.2 溶液加工技术 |
| 1.8.3 喷墨打印技术 |
| 1.8.4 丝网印刷技术 |
| 1.8.5 封装技术 |
| 1.9 有机发光二极管的应用 |
| 1.9.1 有机发光二极管的照明应用 |
| 1.9.2 有机发光二极管的显示应用 |
| 1.9.3 有机发光二极管的最新应用 |
| 1.10 有机发光二极管面临的挑战 |
| 1.10.1 寿命 |
| 1.10.2 制备 |
| 1.10.3 器件老化 |
| 1.10.4 大尺寸有机发光电子产品 |
| 1.11 本论文的研究内容 |
| 第二章 本论文涉及的实验及表征 |
| 2.1 制备有机发光二极管的药品和设备 |
| 2.1.1 耗材和药品 |
| 2.1.2 设备 |
| 2.2 有机发光二极管器件的制备 |
| 2.2.1 实验前期准备 |
| 2.2.2 抽真空 |
| 2.2.3 真空镀膜 |
| 2.3 有机发光二极管器件的表征 |
| 2.3.1 电流-电压(I-V)特性曲线 |
| 2.3.2 电流密度-电压(J-V)特性曲线 |
| 2.3.3 亮度-电压(L-V)特性曲线 |
| 2.3.4 电流效率-电流密度(E-J)特性曲线 |
| 2.3.5 功率效率-电流密度(P-J)特性曲线 |
| 2.3.6 发光光谱 |
| 2.3.7 寿命 |
| 第三章 电子传输层的电掺杂浓度对有机发光二极管性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 器件1和器件2电导率的比较 |
| 3.3.2 IOLEDs1-3 的性能比较 |
| 3.3.3 IOLEDs4-6 的性能比较 |
| 3.3.4 结合两种电掺杂浓度降低欧姆损耗 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 空穴传输层的电掺杂浓度对有机发光二极管性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 两种不同掺杂浓度有机层电导率的比较 |
| 4.3.2 调控MoO_3掺杂浓度分布对PHOLED性能的影响 |
| 4.3.3 调控MoO_3掺杂浓度分布对空穴注入势垒和传输势垒的影响 |
| 4.3.4 调控MoO_3掺杂浓度分布对器件效率的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 有机p-型掺杂层对有机太阳能电池性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 材料 |
| 5.2.2 器件的制备与测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 CBP:MoO_3与MoO_3之间的性能比较 |
| 5.3.2 使用不同空穴抽取层的反向OSCs之间的性能比较 |
| 5.3.3 组合两种空穴抽取层的反向OSCs之间的性能比较 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 |
| 致谢 |
（3）Zn/Co共掺杂TiO2纳米材料抗菌陶瓷的制备工艺及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 抗菌材料概述 |
| 1.3 影响薄膜光催化活性的因素 |
| 1.3.1 晶型 |
| 1.3.2 缺陷 |
| 1.3.3 粒子尺寸 |
| 1.3.4 表面积 |
| 1.3.5 光照条件 |
| 1.4 TiO_2光催化剂改性的主要途径 |
| 1.4.1 TiO_2表面光敏化 |
| 1.4.2 非金属掺杂 |
| 1.4.3 金属离子掺杂 |
| 1.4.4 金属/非金属共掺杂 |
| 1.5 TiO_2光催化抗菌材料的制备方法 |
| 1.5.1 水热法 |
| 1.5.2 均匀沉淀法 |
| 1.5.3 溶胶-凝胶法 |
| 1.6 TiO_2光催化剂的应用 |
| 1.6.1 抗菌、杀菌 |
| 1.7 抗菌陶瓷的制备 |
| 1.7.1 浸渍提拉法 |
| 1.7.2 MOCVD |
| 1.7.3 PVD |
| 1.7.4 电泳 |
| 1.7.5 LDP(液相沉积法) |
| 1.7.6 TiO_2粉末料浆法 |
| 1.8 抗菌陶瓷国内外研究现状与发展动态 |
| 1.9 本论文研究内容和拟解决的关键技术 |
| 1.9.1 主要研究内容 |
| 1.9.2 拟解决的关键技术 |
| 第2章 Zn/Co共掺杂TiO_2纳米抗菌材料的制备 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验设备及药品 |
| 2.3 纳米材料表征方法 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.3.3 紫外-可见漫反射光谱(UV-VIS-DRS) |
| 2.3.4 傅里叶变换红外光谱(FT-IR) |
| 2.4 抗菌性能评价方法 |
| 2.4.1 菌悬液的制备 |
| 2.4.2 抑菌环法 |
| 2.4.3 烧瓶振荡法 |
| 2.5 Zn/Co共掺杂TiO_2纳米抗菌材料的制备与抗菌性能评价 |
| 2.5.1 Zn/Co共掺杂TiO_2纳米抗菌材料的制备 |
| 2.5.2 材料表征 |
| 2.5.3 Zn/Co共掺杂TiO_2纳米材料抗菌性能实验及讨论 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 超声喷雾热解法制备Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验药品和实验设备 |
| 3.2.1 实验设备 |
| 3.2.2 实验药品 |
| 3.3 抗菌陶瓷的制备 |
| 3.3.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌溶胶的制备 |
| 3.3.2 瓷砖样片的制备 |
| 3.3.3 超声喷雾热解法制备工艺步骤 |
| 3.4 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能评价方法 |
| 3.4.1 悬浊液的制备 |
| 3.4.2 薄膜密着法 |
| 3.5 镀膜高度对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 3.5.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 3.5.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 3.5.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 3.6 镀膜层数对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 3.6.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 3.6.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 3.6.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 3.7 焙烧保温时间对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 3.7.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 3.7.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 3.7.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 3.8 焙烧温度对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 3.8.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 3.8.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 3.8.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 3.9 污水浸泡及自然水冲刷对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能的影响 |
| 3.9.1 不同污水浸泡时间后Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能的变化 |
| 3.9.2 不同自然水冲刷时间后Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能的变化 |
| 3.10 本章小结 |
| 第4章 浸渍提拉法制备Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验药品设备和抗菌陶瓷的制备步骤 |
| 4.2.1 实验设备 |
| 4.2.2 实验药品 |
| 4.3 抗菌陶瓷的制备 |
| 4.3.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌溶胶的制备 |
| 4.3.2 瓷砖样片的制备 |
| 4.3.3 浸渍提拉法制备工艺步骤 |
| 4.4 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能评价方法 |
| 4.5 提拉速度对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 4.5.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 4.5.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 4.5.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 4.6 提拉浸渍时间对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 4.6.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 4.6.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 4.6.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 4.7 提拉镀膜层数对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 4.7.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 4.7.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 4.7.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 4.8 提拉焙烧温度对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷性能及抗菌性的影响 |
| 4.8.1 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷XRD |
| 4.8.2 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷SEM |
| 4.8.3 Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性 |
| 4.9 污水浸泡及自然水冲刷对Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能的影响 |
| 4.9.1 不同污水浸泡时间后Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能的变化 |
| 4.9.2 不同自然水冲刷时间后Zn/Co共掺杂TiO_2抗菌陶瓷抗菌性能的变化 |
| 4.10 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间研究成果 |
（4）电子信息材料（论文提纲范文）
| 1 前言 |
| 2 今天的电子信息材料 |
| 2.1 微电子材料 |
| 2.1.1 微电子产业的发展 |
| 2.1.2 单晶硅材料的发展 |
| 2.1.3 绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)的发展现状 |
| 2.1.4 应变硅的兴起 |
| 2.2 存储器材料 |
| 2.2.1 存储技术的发展 |
| 2.2.2 存储架构变革 |
| 2.2.3存储技术关键材料 |
| 2.3 信息材料与技术 |
| 2.3.1 传感器材料 |
| 2.3.2 可见光通信 |
| 2.3.3 激光技术 |
| 2.3.3.1 激光显示技术 |
| 2.3.3.2激光加工技术 |
| 2.3.3.3 激光探测技术 |
| 2.3.4 柔性印刷电子材料 |
| 3 面向2049 的电子信息材料 |
| 3.1 微纳电子产业及材料的发展趋势 |
| 3.1.1 基础材料—单晶硅 |
| 3.1.2 逻辑电路的主体材料 |
| 3.1.3 硅基光电集成 |
| 3.1.4 超越CMOS时代的材料 |
| 3.2 新存储技术与新型存储器材料 |
| 3.2.1 类脑存储与新存储技术 |
| 3.2.2 嵌入式存储技术 |
| 3.2.3 新型存储器材料 |
| 3.3 信息材料的发展方向 |
| 3.3.1 多功能及智能化的传感器材料 |
| 3.3.2 可见光通信在未来发展中的关键技术 |
| 3.3.2.1 发射、接收带宽拓展技术及其集成 |
| 3.3.2.2 编码与调制 |
| 3.3.2.3 应用软件 |
| 3.3.3 激光技术的多元化、广泛化应用 |
| 3.3.3.1 显示方面 |
| 3.3.3.2 材料加工方面 |
| 3.3.3.3 激光探测方面 |
| 3.4 柔性印刷电子材料快速发展 |
| 4 未来的电子信息材料与人类生活 |
| 4.1电子信息材料与技术改变人类生活 |
| 4.2 未来场景 |
| 5 电子信息材料产业发展的若干建议 |
| 5.1 微电子材料方面 |
| 5.2 存储技术与材料方面 |
| 5.3 传感技术与未来物联网的发展方面 |
| 5.4 可见光通信方面 |
| 5.5 激光技术发展方面 |
| 5.6 柔性印刷电子材料方面 |
（5）硅基MEMS压电式振动能量采集器设计制造及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 论文研究的背景及意义 |
| 1.2 振动能量采集器概述 |
| 1.2.1 振动能量采集器的类型及特点 |
| 1.2.2 振动能量采集器国内外研究进展 |
| 1.3 本论文主要研究内容 |
| 第二章 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器工作原理 |
| 2.1 压电效应与压电材料 |
| 2.2 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器工作模式 |
| 2.3 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器动力学振动模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器结构设计与仿真分析 |
| 3.1 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器整体结构设计 |
| 3.2 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器结构尺寸参数设计 |
| 3.3 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器结构仿真分析 |
| 3.3.1 静力学仿真分析 |
| 3.3.2 模态仿真分析 |
| 3.3.3 谐响应仿真分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器加工制造 |
| 4.1 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器基础结构加工工艺设计 |
| 4.2 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器基础结构光刻掩膜版图设计 |
| 4.3 硅基 PZT 压电功能厚膜异质集成制造研究 |
| 4.3.1 PZT 压电功能膜的主要制备方法 |
| 4.3.2 Sol-Gel 法制备 PZT 压电功能材料厚膜层 |
| 4.3.3 PZT 压电功能材料厚膜性能研究 |
| 4.4 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器基础结构制造工艺技术研究 |
| 4.4.1 PZT 压电厚膜层湿法腐蚀工艺 |
| 4.4.2 下电极 Pt/Ti 层图形化刻蚀工艺 |
| 4.4.3 上电极 Au/Ti 层加工制作工艺 |
| 4.4.4 Si3N4绝缘层沉积及图形化加工工艺 |
| 4.4.5 上电极焊盘点引线层制作工艺 |
| 4.4.6 正面刻蚀加工工艺 |
| 4.4.7 反面刻蚀加工工艺 |
| 4.4.8 微结构释放工艺 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器封装及性能测试 |
| 5.1 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器封装 |
| 5.2 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器输出性能测试 |
| 5.2.1 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器扫频测试 |
| 5.2.2 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器定频测试 |
| 5.2.3 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器输出功率测试 |
| 5.2.4 硅基 MEMS 压电式振动能量采集器输出性能测试分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 主要研究内容及结论 |
| 6.2 主要创新点 |
| 6.3 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所取得的研究成果 |
| 致谢 |
（6）ZnO及其掺杂薄膜结构与性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 纳米材料 |
| 1.3 半导体材料简介 |
| 1.4 ZnO 简介 |
| 1.4.1 ZnO 的基本性质 |
| 1.4.2 ZnO 的应用 |
| 1.4.3 ZnO 掺杂 |
| 1.5 稀土简介 |
| 1.5.1 稀土材料 |
| 1.5.2 稀土离子 |
| 1.5.3 Eu 掺杂 ZnO 薄膜的研究进展 |
| 1.6 本论文研究的主要内容和意义 |
| 第二章 ZnO 薄膜制备方法及检测技术 |
| 2.1 ZnO 薄膜制备方法 |
| 2.1.1 有机金属化学气相沉积（MOCVD） |
| 2.1.2 分子束外延（MBE） |
| 2.1.3 磁控溅射（MS）技术 |
| 2.1.4 溶胶一凝胶(Sol-Gel)技术 |
| 2.1.5 水热法(Hydrothermalmethod) |
| 2.1.6 脉冲激光沉积（PLD） |
| 2.2 常用的薄膜检测技术 |
| 2.2.1 X 射线衍射（XRD） |
| 2.2.2 扫描电子显微（SEM） |
| 2.2.3 光致荧光光谱（PL） |
| 第三章 ZnO 薄膜结构和发光性质的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备及测量 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 衬底温度对 ZnO 薄膜结构和发光性质的影响 |
| 3.3.1.1 样品结构分析 |
| 3.3.1.2 样品 PL 谱分析 |
| 3.3.2 氧流量对 ZnO 薄膜结构和光学性质的影响 |
| 3.3.2.1 样品结构分析 |
| 3.3.2.2 样品 PL 谱分析 |
| 3.3.3 同质缓冲层对 ZnO 薄膜的结构和发光性质的影响 |
| 3.3.3.1 样品结构分析 |
| 3.3.3.2 样品 PL 谱分析 |
| 3.4 本章小节 |
| 第四章 铕掺杂 ZnO 薄膜结构和光学性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备及测量 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 氧压对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构与光学性质的影响 |
| 4.3.1.1 样品结构分析 |
| 4.3.1.2 样品 PL 谱分析 |
| 4.3.2 退火气氛对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质研究 |
| 4.3.2.1 样品结构分析 |
| 4.3.2.2 样品 PL 谱分析 |
| 4.3.3 退火温度对 ZnO:Eu3+,Li+薄膜结构和发光性质的影响 |
| 4.3.3.1 样品结构分析 |
| 4.3.3.2 样品 PL 谱分析 |
| 4.4 本章小节 |
| 第五章 MSM 结构 ZnO/Cu 薄膜欧姆接触特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 金属－半导体欧姆接触理论 |
| 5.3 样品制备与测量 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 不同接触类型对样品 XRD 图谱的影响 |
| 5.4.2 退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品结构的影响 |
| 5.4.2.1 退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品表面形貌的影响 |
| 5.4.2.2 退火处理对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品 XRD 图谱的影响 |
| 5.4.3 样品的 I-V 特性分析 |
| 5.4.3.1 不同接触类型对样品 I-V 特性的影响 |
| 5.4.3.2 退火对 Cu-ZnO:Cu-ZnO 接触样品 I-V 特性的影响 |
| 5.5 本章小节 |
| 第六章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表和完成的学术论文 |
| 致谢 |
（7）Bi2A2Co2Oy（A＝Ca、Sr、Ba）体系热电薄膜的LITV效应及其电输运性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 热电材料概述 |
| 1.1.1 热电效应 |
| 1.1.2 热电材料的研发及应用 |
| 1.1.3 提高效率的困难和途径 |
| 1.1.4 低维热电材料的研究 |
| 1.1.5 钴基层状氧化物热电材料 |
| 1.1.6 热电材料的发展前景 |
| 1.2 激光感生热电电压(LITV)效应与原子层热电堆材料 |
| 1.2.1 激光感生热电电压效应的发现 |
| 1.2.2 激光感生热电电压效应的原理及其和热电材料中的联系 |
| 1.3 本论文的意义及创新点 |
| 第二章 多晶陶瓷的制备与表征 |
| 2.1 热电陶瓷的制备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.1.3 实验方法 |
| 2.1.4 实验工艺流程 |
| 2.1.5 烧结工艺 |
| 2.2 结果分析与讨论 |
| 2.2.1 陶瓷样品的XRD图谱分析 |
| 2.2.2 热电陶瓷的电学性能分析 |
| 第三章 热电薄膜的制备与表征 |
| 3.1 紫外脉冲激光沉积(PLD)技术原理及其装置 |
| 3.2 PLD的技术特点和优势 |
| 3.3 衬底选择与衬底清洗 |
| 3.4 镀膜工艺流程 |
| 3.5 PLD法制备Bi_2Ca_2Co_2O_y、Bi_2Sr_2CO_2O_y、Bi_2Ba_2CO_2O_y薄膜 |
| 3.5.1 Bi_2Ca_2CO_2O_y的制备 |
| 3.5.2 Bi_2Sr_2CO_2O_y的制备 |
| 3.5.3 Bi_2Ba_2CO_2O_y的制备 |
| 3.5.4 薄膜的晶格参数的计算 |
| 3.6 薄膜的电学性能测试 |
| 3.6.1 测量装置 |
| 3.6.2 结果分析 |
| 第四章 热电薄膜的激光感生热电电压效应研究 |
| 4.1 激光感生热电电压(LITV)效应的原理 |
| 4.2 层状热电薄膜的LITV效应 |
| 4.2.1 Bi_2Ca_2CO_2O_y薄膜的LITV效应 |
| 4.2.2 Bi_2Sr_2CO_2O_y薄膜的LITV效应 |
| 4.2.3 Bi_2Ba_2CO_2O_y薄膜的LITV效应 |
| 4.2.4 层状氧化物热电薄膜的LITV效应与层间失配度的关系 |
| 4.3 根据LITV效应分析薄膜的物性 |
| 4.3.1 关于薄膜热输运性能的分析 |
| 4.3.2 薄膜各向异性系数的分析 |
| 4.3.3 快速判断材料的热电性能的新方法 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表的论文 |
（8）用于紫外光探测器的TiO2及其复合氧化物的结构和光学性质研究（论文提纲范文）
| 第一章 引 言 |
| 1.1 纳米材料的概况 |
| 1.1.1 纳米材料的发展 |
| 1.1.2 纳米材料分类 |
| 1.1.3 纳米粒子的物理特性 |
| 1.1.4 纳米粒子的光学特性 |
| 1.1.5 纳米材料的应用 |
| 1.2 TiO2的制备方法及表征手段 |
| 1.2.1 制备方法 |
| 1.2.2 表征手段 |
| 1.3 金属－半导体－金属(MSM)光电探测器原理 |
| 1.3.1 MSM光电探测器的发展和特点 |
| 1.3.2 MSM光电导探测器的结构和工作原理 |
| 1.3.3 MSM探测器的主要参量及其物理意义 |
| 1.4 本论文的主要内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 TiO2薄膜材料的制备及紫外光探测器的制作 |
| 2.1 TiO2薄膜的制备 |
| 2.1.1 TiO2溶胶的制备过程 |
| 2.1.2 涂膜过程 |
| 2.1.3 热处理过程 |
| 2.2 TiO2薄膜的表征 |
| 2.2.1 X－射线衍射分析(XRD) |
| 2.2.2 原子力显微镜分析(AFM) |
| 2.2.3 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.4 紫外吸收光谱 |
| 2.3 TiO2基MSM光电探测器的研制 |
| 2.3.1 器件的制作 |
| 2.3.2 器件性能测试 |
| 2.4 小 结 |
| 参考文献 |
| 第三章 复合氧化物MnxTi1-xO2薄膜材料的制备及表征 |
| 3.1 MnxTi1-xO2薄膜的制备 |
| 3.1.1 MnxTi1-xO2溶胶的制备过程 |
| 3.1.2 涂膜过程 |
| 3.1.3 热处理过程 |
| 3.2 MnxTi1-xO2薄膜的表征 |
| 3.2.1 X-射线衍射分析 (XRD) |
| 3.2.2 原子力显微镜分析(AFM) |
| 3.2.3 X-射线光电子能谱(XPS) |
| 3.2.4 紫外吸收光谱 |
| 3.3 第一原理理论计算 |
| 3.3.1 计算方法 |
| 3.3.2 第一原理计算结果与讨论 |
| 3.4 小 结 |
| 参考文献 |
| 第四章 其他复合氧化物半导体材料的制备及表征 |
| 4.1 SrxTi1-xO2薄膜的制备及表征 |
| 4.1.1 SrxTi1-xO2薄膜的制备 |
| 4.1.2 SrxTi1-xO2薄膜的表征 |
| 4.2 LaxTi1-xO2薄膜的制备及表征 |
| 4.2.1 LaxTi1-xO2薄膜的制备 |
| 4.2.2 LaxTi1-xO2薄膜的表征 |
| 4.3 NdxTi1-xO2薄膜的制备及表征 |
| 4.3.1 NdxTi1-xO2薄膜的制备 |
| 4.3.2 NdxTi1-xO2薄膜的表征 |
| 4.4 小 结 |
| 参考文献 |
| 第五章 结 论 |
| 致谢 |
| 发表文章 |
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
（9）电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算（论文提纲范文）
| 1国内外电冰箱行业塑料衬底材料 |
| 2塑料衬底的尺寸计算 |
| 3塑料衬底片材质量要求 |
（10）Co-N薄膜的制备与磁性研究（论文提纲范文）
| 提要 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 磁性材料简介 |
| 1.2 磁性薄膜材料及其制备方法 |
| 1.3 典型金属氮化物磁性薄膜的结构及性能简介 |
| 1.4 Co-N 薄膜材料的研究现状 |
| 1.5 本论文的研究目的及内容 |
| 第2章 薄膜的制备方法与表征手段 |
| 2.1 溅射镀膜的工作原理 |
| 2.2 溅射镀膜的种类 |
| 2.3 对靶磁控溅射实验装置 |
| 2.4 薄膜的表征手段 |
| 第3章 氮气分压对Co-N 薄膜结构、表面形貌和磁性的影响.. |
| 3.1 氮气分压对 Co-N 薄膜结构的影响 |
| 3.2 氮气分压对 Co-N 薄膜表面形貌的影响 |
| 3.3 氮气分压对 Co-N 薄膜磁性的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 溅射功率对 Co-N 薄膜结构、表面形貌和磁性的影响.. |
| 4.1 溅射功率对 Co-N 薄膜结构的影响 |
| 4.2 溅射功率对 Co-N 薄膜表面形貌的影响 |
| 4.3 溅射功率对 Co-N 薄膜磁性的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 结论 |
| 参考文献 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 致谢 |
四、电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算（论文参考文献）
- [1]基于表面增强拉曼光谱技术的食源性危害因子检测方法研究[D]. 姚丽. 合肥工业大学, 2020(01)
- [2]增强有机发光二极管的电子电流[D]. 史治化. 河北工业大学, 2019(06)
- [3]Zn/Co共掺杂TiO2纳米材料抗菌陶瓷的制备工艺及其性能研究[D]. 薛菲. 东北大学, 2018(02)
- [4]电子信息材料[J]. 陈弘达. 新型工业化, 2015(11)
- [5]硅基MEMS压电式振动能量采集器设计制造及其性能研究[D]. 杨杰. 中北大学, 2015(07)
- [6]ZnO及其掺杂薄膜结构与性质研究[D]. 董艳锋. 曲阜师范大学, 2012(12)
- [7]Bi2A2Co2Oy（A＝Ca、Sr、Ba）体系热电薄膜的LITV效应及其电输运性质的研究[D]. 董瑞光. 昆明理工大学, 2010(03)
- [8]用于紫外光探测器的TiO2及其复合氧化物的结构和光学性质研究[D]. 张爽. 吉林大学, 2004(02)
- [9]电冰箱塑料衬底的材料及尺寸计算[J]. 胡德云. 家用电器科技, 2000(01)
- [10]Co-N薄膜的制备与磁性研究[D]. 李博. 吉林大学, 2009(08)