一、英飞凌科技—DRAM市场的中坚（论文文献综述）
李传志[1]（2020）在《我国集成电路产业链:国际竞争力、制约因素和发展路径》文中认为集成电路产业是基础性、先导性和战略性产业,其全球化程度高,国际竞争激烈。以我国集成电路产业链为研究对象,考察其国际竞争力、制约因素和发展路径。研究发现:我国集成电路产业在设计、制造和封装测试等环节均取得快速发展,产业规模不断壮大,产业链条初步形成。但是,由于起步晚和底子薄,产业链的关键环节缺失严重,核心技术匮乏,产能不足。制约因素既有外部因素,也有内部因素,使得产业链的完备性和安全性面临巨大的挑战。因此,需要从政府和企业两个方面给出完善我国集成电路产业链的路径。。
王定良[2]（2019）在《一种三相无刷电机驱动芯片的设计》文中认为伴随着电力电子技术的发展和集成电路制造工艺的不断进步和快速的发展,作为电力电子技术的重要基础的功率半导体的应用范围也在不断的扩展,广泛应用在电网、家用电器、交通运输、通信和国防等战略性产业和社会生活的方方面面。经过数十年的发展,功率器件经历了以双极型三极管（BJT）和可关断晶闸管（GTO）为代表的流控器件、以功率MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）为代表的压控器件再到以新型半导体材料为基础的Si C和Ga N等新型功率器件的发展历程,与之相应的是功率驱动电路也从最早的由分立器件搭建在PCB上的板级电路发展为现在的将驱动电路和功率器件集成到一起的智能功率集成电路（SPIC）。相信在日益强调节能环保的今天,功率半导体一定能得到更快的发展和更加广阔的应用前景。本文所涉及的三相无刷电机驱动电路是基于华润上华（CSMC）1μm 600V BCD工艺平台进行设计的。在该芯片的接口电路模块中引入了施密特触发器,从而实现了对3.3V CMOS电平和5V TTL电平兼容的设计要求,电源电压幅值范围为1020V,直流供电电压最高可达600V。集成了欠压保护、过流保护、过温保护等保护模块,同时集成有故障检测逻辑模块,大大提高了芯片在特殊情况下的安全性和可靠性。电路采用高压电平位移隔离技术并结合半桥驱动技术来实现高压驱动。本文首先介绍了三相无刷驱动电路各个子模块的工作原理和作用,并使用Synopsys公司的HSPICE仿真工具进行必要的仿真测试,通过仿真测试,验证子模块和整体电路在不同的工艺角和温度仿真条件下是否能正常工作,仿真结果是否符合电路设计指标要求。接着介绍驱动电路版图的设计。最后通过实际的测试电路对流片结果进行测试。
周杰[3]（2017）在《竞合能力、联盟企业间关系质量与创新绩效案例研究》文中研究指明联盟企业间既竞争又合作的竞合关系对联盟成败有非常重要的影响,企业需要具备管理竞合关系的竞合能力。采用福田汽车公司的二手案例资料进行案例研究,发现竞合能力包括三个维度,分别是竞合思维、竞合分析能力、竞合执行能力,竞合能力通过联盟企业间关系质量影响创新绩效,关系质量在竞合能力与创新绩效之间起中介作用。
陈思雨[4]（2017）在《中国半导体产业合作创新网络演化研究》文中研究指明在知识经济时代,创新成为推动区域经济发展、提升区域综合竞争力的重要因子。优化区域内部产业创新资源配置、建设区域创新网络、提升产业创新活力是经济地理学研究的重点问题之一。半导体产业在电子信息产业体系中位居基础地位,对提升制造业信息化水平具有重要影响。德国工业4.0计划、美国先进制造业回归计划以及中国制造2025,都将信息化作为重塑制造业竞争新优势的主要途径。借助经济全球化,中国半导体产业获得了突飞猛进的发展,技术不断改进,市场地位不断提高,2016年我国已经成为全球最大的半导体进出口市场。然而,我国半导体产业整体创新水平不高,在企业创新能力、产品附加值、同质化竞争等方面,与西欧、美国、日本、韩国等传统半导体强国和地区仍有很大差距。因此,合理配置本地创新资源,推动区域创新网络建设,激发本地创新活力,对于促进中国半导体产业健康发展具有十分重要的意义。这也是本文分析中国半导体产业合作创新网络的特征、发展演变过程及其影响因子的意义所在。联合申请发明专利是创新的主要形式之一,是不同主体之间创新合作关系的重要标志。中国半导体产业的发展是以中央政府为导向、地方各级政府为辅助的方式推进,本文对我国半导体产业创新网络进行研究,,利用世界知识产权保护组织（World Intellectual Property Organization,WIPO）专利数据库（PATENTSCOPE）所包含的1996-2015年中国半导体产业专利数据,并结合田野调查的访谈资料,对我国半导体产业创新合作网络发展阶段、演化过程及其动力因子进行系统研究。本文综合运用社会网络分析方法、UCINET6.0、Gephi0.8.2、ArcGIS10.2软件,计算了我国半导体产业创新合作网络规模、密度、中心度、模块化程度、结构洞限制度,分析了创新合作网络不同发展阶段及其特征。笔者发现,中国半导体产业合作创新网络规模不断扩大,内部联系模块化趋势显着,创新主体对网络中创新资源的控制范围逐渐缩小;企业仍然是合作创新网络的主体,公共研究机构数量不断增加,影响力上升。大型内资制造企业、大学拥有主要创新资源,网络权力呈现出逐渐由扁平结构向等级结构演化的趋势。从整体上看,城市群是我国半导体产业合作创新的主要空间单元,核心城市影响力进一步上升。从全国总体情况看,中国半导体产业合作创新网络呈现出以长江三角洲地区为核心,环渤海地区、珠江三角洲地区、西部地区、台湾地区为辅助的空间格局。
艾恩溪[5]（2016）在《融智、融芯、融天下——Semicon中国2016展会及技术论坛》文中研究说明Semicon中国2016展会是每年在中国举办的全球领先半导体制造技术的盛会。产业与技术投资论坛探讨中国资本在全球产业的兼并收购浪潮中,从旁观者渐成主角。技术论坛包括:做大做强中国集成电路产业链论坛、中国存储器产业发展论坛、移动和物联网技术论坛、可穿戴和物联网传感器解决方案论坛、LED China论坛2016、功率半导体论坛2016,业界从产业链上下游合作角度共议先进芯片制程、先进封装工艺,以及超越摩尔等方面在产业链上的创新与合作。
荀华凤[6]（2016）在《无锡集成电路产业公共服务体系建设研究》文中研究说明集成电路产业是关系到国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业,是信息产业发展的核心和关键,其发展关系到国民经济发展的速度和质量。世界各国和各地区都高度重视集成电路产业的战略地位,采取多种措施扶持集成电路产业发展。集成电路产业必须得到政府和社会的高度重视和强有力的推进,政府必须为集成电路产业创造良好的公共服务体系,集成电路产业才能得到迅速发展。无锡作为国内集成电路产业重镇,经过30多年的发展,无锡集成电路产业公共服务体系建设已经取得了一定的成绩。但是近年来随着集成电路产业爆炸式的发展以及北上广等一线城市的资源垄断,无锡集成电路产业公共服务体系机制建设不完善、服务水平低、投入力度小等问题逐步显现。因此无锡集成电路产业发展至今,其主要矛盾已经转变成为集成电路产业高速发展需求与落后的集成电路产业公共服务体系之间的矛盾。鉴于此,本文致力于无锡集成电路产业公共服务体系的建设研究。首先,本文在综合研究新公共管理理论、公共选择理论以及服务型政府理论等理论的基础上,确定了本文研究的主要内容及理论基础。然后从无锡集成电路产业公共服务体系建设现状、存在问题入手,找出发达国家集成电路产业公共服务体系建设经验的启示,来制定无锡集成电路产业公共服务体系的发展战略。本文通过构建由综合管理服务体系、技术创新支撑体系、科技金融资源体系组成的无锡集成电路产业公共服务体系,充分发挥政府主导地位,并强化政府服务职能等一系列措施和保障来建立健全无锡集成电路产业公共服务体系建设,从而促进无锡集成电路产业又快又好的发展。本文选取无锡集成电路公共服务体系这一案例进行研究,旨在探讨出相关政策、措施对我国发展集成电路产业的启示,以及无锡打造“东方硅谷”的现实意义。
苏志文[7]（2014）在《中国企业技术寻求型跨国并购与技术追赶研究》文中研究表明我国企业对发达国家企业的技术寻求型并购发展迅猛。这些企业往往通过基于国内的发展完成了早期的技术能力积累过程,开始接近技术的前沿,不再甘当模仿者,而是将跨国并购作为能力跃升的杠杆,通过进一步的追赶挑战领先者的地位。由于这种技术追赶的新阶段已突破原有的模式和框架,对理论工作者提出了新的挑战。已有的技术追赶的研究重点关注后发企业渐进式的技术能力积累过程,而对后发企业技术能力积累到一定阶段后的跨越式追赶没有给予足够的重视。另一方面创造性资产跨国并购理论虽然能对这些现象给予富有洞察力的解释,但由于其静态属性的限制,也难以系统解释新兴市场国家企业通过跨国并购实现技术追赶的过程。针对这一研究缺口,本文试图从动态能力视角逻辑一致地解释新兴市场国家企业技术能力的形成和追赶过程提出并拟解答如下三个研究问题：（1）后发的中国企业通过技术寻求型跨国并购实现技术追赶的技术演进过程和机制是怎样的?（2）后发的中国企业在技术寻求型并购后如何成功地实现技术迁移?（3）后发的中国企业在技术寻求型跨国并购中是如何成功地实现技术创新?为此,本文采用了采用归纳和演绎相结合、定性与定量的实证研究相结合的办法,通过三个子研究逐步对上述问题进行了系统而透彻的研究。子研究一：本文从动态能力视角整合后发企业创造性资产寻求型跨国并购理论和技术追赶理论的主要观点,对后发的中国企业通过跨国并购实现技术追赶的过程进行了系统地分析和阐述。研究中选取七个典型案例,运用扎根理论研究法中规范的译码程序对案例进行剖析,发掘出“并购企业初始技术能力”、“关键技术缺口”、“有价值的创造性资产”、“技术融合”和“技术追赶”五个范畴以及范畴之间的逻辑关系,并由此构建了以跨国并购为杠杆的后发企业技术追赶模型,从而完整地诠释后发企业通过跨国并购实现技术追赶的技术演进过程和机制,也为后续两个研究提供了源自实践的构想。子研究二：在案例分析得到的通过技术寻求型跨国并购实现技术追赶的技术演进过程和机制以及进一步理论推导的基础上,构建基于发送者-接收者模型的中国企业技术寻求型跨国并购技术迁移作用机制模型。在此基础上,基于规范的量表构建方法设计了相关变量的测度量表并收集了143份有效问卷,通过对问卷回收的数据探索性因子分析、信度分析检验了量表的效度和信度,保障了研究的有效性和可靠性。最后运用回归分析的方法对这一模型进行检验,从而深入剖析了跨国并购后影响技术迁移的效果的各种因素作用关系的显着程度以及作用路径,同时也进一步验证案例分析得出的技术追赶机制。子研究三：在探索性案例分析和技术迁移实证分析的基础上,通过进一步地文献展开和理论分析,对跨国并购后企业技术提升阶段的技术创新过程进行研究,构建了中国企业技术寻求型跨国并购中技术创新作用机制模型,同样回收了143份有效问卷,通过回归分析的方法对模型进行检验和修正,从而揭示了动态能力和吸收能力对于中国企业技术创新的影响关系,且结合子研究二的结论充分揭示了技术迁移效果作用于技术创新绩效的机制。通过上述研究的开展,本文得出了如下的主要观点及结论：（1）当后发企业接近创新的前沿时,缺乏核心技术成为制约企业发展的关键,而并购发达国家企业的创造性资产,特别是研发力量,是获取核心技术的有效途径；强烈的追赶意愿驱动了这种冒险的海外并购战略的实施,而拥有互补的产业技术和广阔的市场空间则为成功实施这一战略奠定了基础。（2）期望通过跨国并购实现技术追赶的后发企业通常将企业现有的技术能力与国际技术发展前沿之间的差距视作关键技术缺口,并将是否拥有弥补这一缺口的有价值的创造性资产作为选择目标企业的依据。（3）后发企业海外并购的技术融合过程包括技术迁移和技术提升两个阶段,技术迁移阶段应注重制定发展规划、保护被并购企业研发能力和整合双方资源；技术提升阶段则应注重让本土员工成为研发主力、移植或嫁接技术、升级技术和研发新一代技术。（4）作为能力更新的有效方式,后发企业的海外并购不仅使企业的技术能力提升至复杂技术研发、产品设计和创造产品概念阶段,而且可以使企业摆脱受制于人的不利局面,掌握技术发展的主动权,形成真正意义上的国际竞争力。（5）并购方技术吸收能力对于技术创新的作用显着,开始于并购对象的选择并贯穿于跨国并购的全过程,且技术迁移效果会中介这一作用；技术互补性对于产品创新的作用显着,并受到技术转化能力和技术应用能力的调节作用。上述研究结论深化对于后发的中国企业技术追赶机制的理解,使本文的研究具备了较强的理论贡献：（1）本文提出用动态能力视角整合后发企业创造性资产寻求型跨国并购理论和技术追赶理论的主要观点,从能力更新的角度对中国企业技术寻求型海外并购行为进行逻辑一致的解释。这是对动态能力理论应用的一种扩展,将其作为一个桥梁,有效地沟通了这两种理论之间的联系；（2）本文采用严谨的案例研究方法,并借鉴动态能力构建的相关文献,推演出后发企业以跨国并购为杠杆的技术追赶模型,对中国企业技术寻求型跨国并购中技术演进的过程和机制进行深入分析和系统归纳,这不仅弥补了后发企业技术追赶理论研究的不足,而且在一定程度上拓展了动态能力理论研究的视野；（3）本文通过将基于并购的动态能力融合到基于动态能力对技术吸收能力的四维度之中,发现基于动态能力的技术吸收能力对技术创新的作用贯穿于跨国并购的全过程,使技术创新的研究关注点延伸至跨国并购战略实施之前,进一步丰富了现有关于动态能力、跨国并购和技术创新的研究。本文也具有重要的实践指导意义。首先,对于那些已经具有一定的技术积累,但缺乏核心技术的中国企业而言,决策者应有国际化视野,敢于采取跨国并购等激进方式,获取发达国家企业的技术和研发能力,推动国际化阶段的技术追赶；其次,在选择目标企业时,不拘泥于当时的财务状况,而应在充分考察其出售动机的前提下,以能否弥补企业的关键技术缺口为标准,同时也要善于把握机会,利用自身优势,在发达国家企业陷入困境时果断出击；第三,要高度重视并购过程中技术融合的过程,采取有效措施,促进技术迁移和技术提升。最后,本文的研究也发现中国企业通过跨国并购实现的技术创新主要集中在产品领域,工艺创新效果不甚理想,这一现象亟待管理者的重视,以避免技术创新受工艺创新不足的掣肘而只是“昙花一现”情况的发生。
王婕[8]（2011）在《FS半导体公司研发人员薪酬管理实践研究》文中提出近年来,我国高科技产业高速发展,高科技企业员工整体薪酬水平较高,这一行业已成为当今社会高薪行业的代名词,但同时,伴随着高科技企业的快速发展,薪酬激励问题已逐渐成为制约高科技企业进一步做大、做强的瓶颈因素。在此背景下,本文以FS公司研发人员为研究对象,探讨在我国高科技企业中,如何通过建立与高科技行业与企业特征,以及研发人员特点相适应的薪酬结构和薪酬水平以激励研发人员。本文首先界定了高科技企业定义以及行业特征,同时归纳和界定了高科技企业当中研发人员的界定以及他们的特点。本文通过文献综述,对企业研发人员薪酬设计相关的工资理论、激励利润以及其他相关利润进行的归纳和整理。接下来,在研发人员的人力资源特征和工作特征分析的基础上,对影响薪酬设计的影响因素进行了分析。接下来,按照薪酬结构,提出了研发人员薪酬改进的策略,论述了高科技企业研发人员的外在薪酬和内在薪酬的构成内容,设计依据和设计步骤。基于以上薪酬管理理论,着重研究FS公司研发人员薪酬管理实践,并研究提出FS公司研发人员薪酬管理体系改进建议,提出了基于宽带管理的基本薪酬设计、奖金政策以及福利政策的薪酬管理策略,对企业管理实践提出了相关的意见和建议。
廖榛[9]（2010）在《全球PC增长放缓 英特尔轮番收购布局移动终端》文中提出目前发生的一切,诸如平板电脑、上网本、智能手机、电子书等移动终端的出现,都逐渐让PC的行业地位受到弱化。面对新的竞争形势,英特尔试图通过收购打开新的局面
谢海忠[10]（2010）在《基于经济周期的中国半导体装备制造业竞争力研究》文中进行了进一步梳理半导体装备制造业是典型的资本密集型、技术密集型产业,而且是多学科、多种工艺集成的具体表现,是一项集半导体材料学、流体力学、化学、精密光学、精密机械学、真空、电子电路、自动化控制和计算机等多学科于一体的大系统工程,需要多学科人员的协同攻关。半导体行业的回升和衰退与国内生产总值（GDP）的回升和衰退密切相关。一个国家的半导体装备制造业水平,决定这个国家的半导体行业水平,继而决定这个国家的综合竞争力和国际影响力。从半导体产业历史来看,“一代设备,一代工艺,一代器件”。这表明它们之间是相辅相成的、互相促进的,尤其是设备与工艺是互动的。由于更新换代非常快,所以半导体装备制造业是一个高投资、高风险的行业,同时也是创新最快的一个领域。本文分析了美国半导体装备制造业的霸主地位形成的历史原因和客观原因,介绍了日本、韩国企业的半导体装备制造业崛起之路；分析了中国半导体装备业的技术落后、创新不足、企业数量少、产品品种少等特点；结合半导体装备制造业的特性,给出了发展我国半导体装备制造业的建议。半导体设备制造企业不仅要依靠自己企业的不断创新努力,还要依靠同行业企业联盟和政府的政策法规的支持,充分利用国际半导体装备制造业的产品生命周期、技术生命周期、产业生命周期研究的有利因素,一方面发展中国的半导体装备制造业,另一方面减少世界经济危机对中国经济的影响,从而提高中国半导体装备制造业的竞争力和中国的经济实力。
二、英飞凌科技—DRAM市场的中坚（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、英飞凌科技—DRAM市场的中坚（论文提纲范文）
（1）我国集成电路产业链:国际竞争力、制约因素和发展路径（论文提纲范文）
| 一、引言 |
| 二、集成电路产业概述 |
| (一) 集成电路、半导体和芯片 |
| (二) 集成电路产业结构的演变 |
| (三) 集成电路产业的转移 |
| (四) 集成电路产业的特征 |
| 三、我国集成电路产业链的国际竞争力 |
| (一) 产业链 |
| 1. 产业规模。 |
| 2. 产业链结构。 |
| 3. 进出口。 |
| (二) 产业链各环节的国际竞争力 |
| 1. 集成电路设计。 |
| 2. 集成电路制造。 |
| 3. 集成电路封装测试。 |
| 4. 集成电路专用设备。 |
| 5. 集成电路专用材料。 |
| 四、我国集成电路产业链的制约因素 |
| (一) 外部因素 |
| 1. 美国等国家的封锁和打压。 |
| 2. 核心技术依然受制于人。 |
| (二) 内部因素 |
| 1. 主导理念存在偏差。 |
| 2. 资本投入的力度不足。 |
| 3. 自主研发能力仍待加强。 |
| 4. 税收优惠力度不够。 |
| 5. 人才短缺。 |
| 6. 产业链上下游的关联度低, 且协同不足。 |
| 五、我国集成电路产业链的发展路径 |
| (一) 政府方面 |
| 1. 强化产业顶层设计。 |
| 2. 完善产业税收优惠政策。 |
| 3. 持续推进重大专项。 |
| 4. 利用“大基金”支持有实力的企业做大做强。 |
| 5. 重视微电子方面的人才培养。 |
| (二) 企业方面 |
| 1. 不断强化技术创新。 |
| 2. 积极开展跨境并购。 |
| 3. 重视知识产权保护。 |
| 4. 深入开展国际与国内合作。 |
| 5. 加大高端人才的引进力度。 |
（2）一种三相无刷电机驱动芯片的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的研究背景及研究意义 |
| 1.2 国内外发展现状及趋势 |
| 1.3 本文主要内容 |
| 第二章 IGBT的工作原理及驱动芯片设计 |
| 2.1 IGBT器件结构 |
| 2.2 IGBT工作原理 |
| 2.3 IGBT的工作特性 |
| 2.3.1 IGBT的静态特性 |
| 2.3.2 IGBT动态特性 |
| 2.4 IGBT的擎住效应(闩锁效应) |
| 2.5 半桥电路误触发模型分析 |
| 2.5.1 dv/dt误触发模型分析 |
| 2.5.2 改善dv/dt对半桥电路影响的解决方案及结论 |
| 2.6 IGBT驱动电路系统介绍 |
| 2.7 本章总结 |
| 第三章 驱动电路子模块的设计与仿真验证 |
| 3.1 接口电路 |
| 3.1.1 接口电路的工作原理分析 |
| 3.1.2 接口电路仿真验证 |
| 3.2 脉冲产生电路 |
| 3.2.1 脉冲产生电路的工作原理分析 |
| 3.2.2 脉冲产生电路仿真验证 |
| 3.3 过温保护模块 |
| 3.3.1 过温保护模块的工作原理分析 |
| 3.3.2 过温保护模块仿真验证 |
| 3.4 过流保护模块 |
| 3.4.1 过流保护模块工作原理分析 |
| 3.4.2 过流保护模块仿真验证 |
| 3.5 欠压保护模块 |
| 3.5.1 欠压保护模块工作原理分析 |
| 3.5.2 欠压保护模块仿真验证 |
| 3.6 输出驱动模块 |
| 3.6.1 输出驱动模块工作原理分析 |
| 3.6.2 输出驱动模块仿真验证 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 驱动电路整体仿真验证 |
| 4.1 动态电学特性仿真电路的搭建和仿真 |
| 4.2 静态电学特性仿真电路的搭建和仿真 |
| 4.3 驱动电路的驱动能力仿真电路的搭建和仿真 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 驱动电路版图介绍和流片测试 |
| 5.1 驱动芯片版图介绍 |
| 5.2 驱动芯片流片测试 |
| 5.2.1 芯片封装 |
| 5.2.2 芯片测试结果 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（3）竞合能力、联盟企业间关系质量与创新绩效案例研究（论文提纲范文）
| 一、引言 |
| 二、研究述评 |
| 三、研究设计 |
| (一) 案例选择 |
| (二) 资料来源与收集过程 |
| 四、研究发现 |
| (一) 竞合能力维度分析 |
| 1. 竞合思维 |
| 2. 竞合分析能力 |
| 3. 竞合执行能力 |
| (二) 竞合关系与创新绩效关系 |
| 1. 竞合能力与关系质量 |
| 2. 竞合能力与创新绩效 |
| 五、研究讨论 |
| (一) 竞合能力维度构成分析 |
| (二) 竞合能力、关系质量与创新绩效关系分析 |
| 六、结束语 |
（4）中国半导体产业合作创新网络演化研究（论文提纲范文）
| 论文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 导言 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 研究内容及关键问题 |
| 1.2.1 研究内容 |
| 1.2.2 关键问题 |
| 1.3 研究思路及方法 |
| 1.3.1 研究框架 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 第二章 创新网络相关研究评述 |
| 2.1 创新与创新网络 |
| 2.1.1 知识和技术的产生与扩散 |
| 2.1.2 创新网络的维度 |
| 2.1.3 创新网络的研究范式 |
| 2.2 创新网络特征及演化 |
| 2.2.1 "关系转向"与创新网络 |
| 2.2.2 产业特性与地方制度环境 |
| 2.2.3 网络演化 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 研究方法与数据选择 |
| 3.1 文献分析法 |
| 3.2 社会网络分析方法与专利数据 |
| 3.2.1 方法选择 |
| 3.2.2 联合发明专利 |
| 3.3 半结构式访谈 |
| 3.3.1 访谈设计 |
| 3.3.2 访谈对象 |
| 第四章 半导体产业发展及其创新网络 |
| 4.1 半导体产业发展概况 |
| 4.2 半导体产业创新发展阶段 |
| 4.2.1 全球半导体产业发展历程 |
| 4.2.2 中国半导体产业发展历程 |
| 4.2.3 中国半导体产业的全球竞争力 |
| 4.2.4 中外半导体产业发展差异 |
| 4.3 半导体产业发展趋势 |
| 4.3.1 全球产业格局基本形成 |
| 4.3.2 产业快速整并态势明显 |
| 4.4 半导体产业创新特征及网络研究 |
| 4.4.1 半导体产业主要创新特征 |
| 4.4.2 半导体产业创新网络 |
| 第五章 中国半导体产业合作创新网络演化分析 |
| 5.1 网络演化整体特征 |
| 5.1.1 网络规模演化特征 |
| 5.1.2 阶段划分依据 |
| 5.1.3 网络拓扑特征 |
| 5.2 网络中创新主体结构特征 |
| 5.2.1 网络主体构成 |
| 5.2.2 网络资源结构 |
| 5.2.3 网络权力结构 |
| 5.3 网络空间格局特征 |
| 5.3.1 网络空间集聚性 |
| 5.3.2 网络等级结构 |
| 5.4 网络演化动因分析 |
| 5.4.1 半导体产业双重驱动特征是网络演化的条件 |
| 5.4.2 中国特色的地方制度环境是网络演化机制的影响因素 |
| 5.5 网络演化趋势研判 |
| 5.5.1 网络规模逐渐缩小 |
| 5.5.2 网络结构变化遵循"马太效应" |
| 5.5.3 公共研究机构和中介组织在网络中作用持续增强 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 主要创新点 |
| 6.3 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 作者在学期间取得科研成果 |
| 后记 |
（5）融智、融芯、融天下——Semicon中国2016展会及技术论坛（论文提纲范文）
| 1 Semicon中国2016主旨论坛 |
| 2 Semicon中国2016技术论坛 |
| 2.1 做大做强中国集成电路产业链论坛 |
| 2.2 移动和物联网技术论坛 |
| 2.3 中国存储器产业发展论坛 |
| 2.4 技术改变未来,可穿戴和物联网的传感器解决方案论坛 |
| 2.5 LED中国论坛2016 |
| 2.6 功率半导体论坛2016 |
| 3 FPD中国2016 |
| 4 Semicon中国2016展览专区 |
（6）无锡集成电路产业公共服务体系建设研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 绪论 |
| 一、研究背景和意义 |
| 二、国内外研究综述 |
| 三、本文研究的主要内容和框架结构 |
| 四、本文的研究方法 |
| 五、本文拟解决的主要问题 |
| 第一章 基本概念界定及相关理论回顾 |
| 第一节 基本概念界定 |
| 一、集成电路 |
| 二、公共服务 |
| 三、公共服务体系 |
| 第二节 相关理论回顾 |
| 一、新公共服务理论 |
| 二、公共选择理论 |
| 三、服务型政府理论 |
| 第二章 无锡集成电路产业公共服务体系分析及战略选择 |
| 第一节 无锡集成电路产业公共服务体系发展现状与存在问题 |
| 一、无锡集成电路产业公共服务体系发展现状 |
| 二、无锡集成电路产业公共服务体系存在问题 |
| 第二节 无锡集成电路产业公共服务体系要素分析 |
| 一、无锡集成电路产业政策法规 |
| 二、无锡集成电路产业基础设施建设 |
| 三、无锡集成电路产业组织机构和人才 |
| 四、无锡集成电路产业公共服务内容 |
| 五、无锡集成电路产业运作资金 |
| 第三节 无锡集成电路产业公共服务体系的SWOT分析 |
| 一、无锡公共服务体系建设的优势 |
| 二、无锡公共服务体系建设的劣势 |
| 三、无锡公共服务体系建设的机会 |
| 四、无锡公共服务体系建设的威胁 |
| 第四节 无锡集成电路产业公共服务体系的战略选择 |
| 一、无锡集成电路产业公共服务体系增长型战略 |
| 二、无锡集成电路产业公共服务体系多种经营战略 |
| 三、无锡集成电路产业公共服务体系扭转型战略 |
| 四、无锡集成电路产业公共服务体系防御型战略 |
| 第三章 国内外集成电路产业公共服务体系建设的研究与经验借鉴 |
| 第一节 国内外集成电路产业公共服务体系建设现状 |
| 一、美国集成电路产业公共服务体系建设 |
| 二、日本集成电路产业公共服务体系建设 |
| 三、韩国集成电路产业公共服务体系建设 |
| 四、北京集成电路产业公共服务体系建设 |
| 五、上海集成电路产业公共服务体系建设 |
| 第二节 国内外集成电路产业公共服务体系建设共性研究 |
| 一、集成电路公共服务体系建设比较完善 |
| 二、集成电路公共服务内容由政府提供 |
| 三、集成电路保障资金由政府与社会共同提供 |
| 第三节 国内外集成电路公共服务体系建设经验借鉴 |
| 一、公共服务内容的多层次构建 |
| 二、政府主导作用的强有力发挥 |
| 三、管理服务体制的合理建立 |
| 四、社会资源优势的高效整合 |
| 第四章 无锡集成电路产业公共服务体系建设 |
| 第一节 无锡集成电路产业公共服务体系建设规划 |
| 一、无锡集成电路产业公共服务体系指导思想 |
| 二、无锡集成电路产业公共服务体系基本原则 |
| 三、无锡集成电路产业公共服务体系发展目标 |
| 第二节 无锡集成电路产业公共服务体系建设架构 |
| 第三节 无锡集成电路产业综合管理服务体系建设 |
| 一、明确无锡集成电路产业推进机制 |
| 二、规划无锡集成电路产业发展布局 |
| 三、强化无锡集成电路专业人才支撑 |
| 四、打造无锡集成电路产业特色文化 |
| 第四节 无锡集成电路产业技术创新支撑体系建设 |
| 一、促进集成电路国产设计软件推广应用 |
| 二、推进无锡集成电路产业链服务平台建设 |
| 三、引导无锡集成电路产业战略联盟成立 |
| 四、拓展无锡集成电路产业产学研合作模式 |
| 第五节 无锡集成电路产业科技金融服务体系建设 |
| 一、完善无锡集成电路产业优惠政策 |
| 二、设立无锡集成电路产业投资基金 |
| 三、构建无锡集成电路产业融资平台 |
| 结语与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）中国企业技术寻求型跨国并购与技术追赶研究（论文提纲范文）
| 论文创新点 |
| 图目录 |
| 表目录 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 问题的提出 |
| 1.3 研宄内容 |
| 1.4 研究方法 |
| 1.5 主要创新点 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 创造性资产寻求型跨国并购研宄综述 |
| 2.2 后发企业技术追赶研究综述 |
| 2.3 动态能力理论研究综述 |
| 2.4 吸收能力理论研宄综述 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 中国企业技术寻求型跨国并购与技术追赶的探索性案例研究 |
| 3.1 案例研究方法概述 |
| 3.2 研宄方案设计 |
| 3.3 案例分析过程 |
| 3.4 研究发现与理论模型 |
| 3.5 研究结论 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 跨国并购与技术追赶的机制研宄：技术迁移阶段 |
| 4.1 理论分析框架 |
| 4.2 研究假设 |
| 4.3 研宄册 |
| 4.4 数据分析 |
| 4.4.1 数据分析思路与方法 |
| 4.4.2 信度与效度检验 |
| 4.4.3 回归分析 |
| 4.5 结果讨论 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 跨国并购与技术追赶的机制研究：技术提升阶段 |
| 5.1 中国企业技术寻求型跨国并购中技术创新作用机制模型 |
| 5.1.1 潜在吸收能力和基于并购的动态能力与技术创新 |
| 5.1.2 技术迁移效果与技术创新 |
| 5.1.3 现实吸收能力与技术创新 |
| 5.1.4 技术互补性与技术创新 |
| 5.1.5 现实吸收能力的调节作用 |
| 5.2 研究设计 |
| 5.2.1 问卷设计与数据收集 |
| 5.2.2 变量测度 |
| 5.3 数据分析 |
| 5.3.1 信度与效度检验 |
| 5.3.2 层次回归分析和中介效应的检验 |
| 5.3.3 调节效应的检验 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 主要研究结论 |
| 6.2 理论贡献与实践启示 |
| 6.3 研究局限与未来展望 |
| 参考文献 |
| 附录一：访谈提纲 |
| 附录二：中国企业跨国并购技术获取情况调查问卷 |
| 附录三：攻读博士学位期间主要的科研成果 |
| 致谢 |
（8）FS半导体公司研发人员薪酬管理实践研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 导论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究意义 |
| 1.3 研究方法 |
| 1.4 研究思路和论文结构 |
| 第2章 相关概念及理论 |
| 2.1 高科技企业的界定及特征 |
| 2.1.1 高技术与高新技术的内涵 |
| 2.1.2 高新科技企业的界定 |
| 2.1.3 高科技企业的特征 |
| 2.1.4 半导体企业特点与发展状况 |
| 2.2 研发人员的界定及特征 |
| 2.2.1 研发人员的界定 |
| 2.2.2 知识型员工的特征 |
| 2.2.3 高科技企业研发人员的特点 |
| 2.3 薪酬理论综述 |
| 2.3.1 薪酬的定义和构成 |
| 2.3.2 薪酬的功能 |
| 2.3.3 薪酬设计的影响因素 |
| 2.3.4 高科技企业研发人员薪酬管理的影响因素 |
| 2.4 中国高科技企业研发人员薪酬现状 |
| 2.5 高科技企业研发人员薪酬管理 |
| 2.5.1 基于高科技企业研发人员特点的薪酬管理策略 |
| 2.5.2 研发人员薪酬体系的主要构成 |
| 第3章 FS 公司背景介绍以及研发人员概况 |
| 3.1 FS 公司全球化背景介绍 |
| 3.2 FS 公司背景介绍 |
| 3.3 FS 公司研发人员概况 |
| 3.4 FS 公司研发人员薪酬策略 |
| 3.5 FS 公司研发人员职级 |
| 3.6 FS 公司薪酬架构 |
| 3.6.1 FS 公司薪酬福利市场定位 |
| 3.6.2 FS 公司薪酬结构 |
| 3.6.3 FS 公司研发人员薪酬分布 |
| 3.7 FS 研发人员的薪酬组成 |
| 3.7.1 FS 公司研发人员薪酬部分概述 |
| 3.7.2 FS 公司研发人员福利概述 |
| 3.8 FS 公司研发人员薪酬特点 |
| 第4章 FS 公司研发人员的薪酬体系改进 |
| 4.1 宽带薪酬对FS 公司适用性分析 |
| 4.2 宽带薪酬体系应用与实施的条件 |
| 4.3 FS 公司研发人员宽带薪酬体系设计 |
| 4.4 研发人员的可变薪酬设计方法 |
| 4.4.1 绩效奖金 |
| 4.4.2 产品销售提成 |
| 4.4.3 特殊贡献奖金 |
| 4.4.4 长期激励 |
| 4.5 研发人员福利制度设计方法 |
| 4.6 研发人员内在薪酬管理设计方法 |
| 第5章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 |
（10）基于经济周期的中国半导体装备制造业竞争力研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 序 |
| 1 引言 |
| 1.1 选题背景与依据 |
| 1.2 研究问题 |
| 1.3 现实意义 |
| 1.4 本论文的结构框架图 |
| 1.5 本章小结 |
| 2 文献回顾 |
| 2.1 竞争力周期理论回顾 |
| 2.1.1 国外竞争力周期理论 |
| 2.1.2 国内竞争力理论 |
| 2.2 周期理论 |
| 2.2.1 产品生命周期理论 |
| 2.2.2 技术生命周期理论 |
| 2.2.3 产业生命周期理论 |
| 2.2.4 经济周期理论 |
| 2.2.5 本章小结 |
| 3 发达国家的半导体装备制造业发展历程分析 |
| 3.1 美国半导体装备制造业的霸主地位分析 |
| 3.1.1 美国政府军事需求是拉动美国半导体业初期发展的关键力量 |
| 3.1.2 成立美国半导体设备与材料联合会 |
| 3.1.3 美国硅谷里的半导体产业集群是半导体装备制造业的强大基础 |
| 3.1.4 国际化的视野 |
| 3.2 日本半导体装备制造业后来居上 |
| 3.2.1 日本半导体装备制造业70年代的国际地位 |
| 3.2.2 技术差距决定日本半导体装备制造业的曲折之路 |
| 3.2.3 日本半导体装备制造业依托集成电路产业的发展而崛起 |
| 3.3 韩国半导体装备制造业的崛起之路 |
| 3.3.1 产品生命周期促进韩国半导体装备制造业发展 |
| 3.3.2 韩国微电子产业的发展模式带动装备制造业的发展 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 中国半导体装备制造业的竞争力分析 |
| 4.1 中国半导体装备制造业的要素条件 |
| 4.1.1 中国半导体专利分析 |
| 4.1.2 中国半导体设备厂家 |
| 4.1.3 中国半导体制造设备差距 |
| 4.2 中国半导体装备制造业的需求状况 |
| 4.3 中国半导体装备制造业相关和辅助产业的状况 |
| 4.3.1 中国半导体重要原料:硅材料的发展 |
| 4.3.2 半导体装备支撑产业:精密机械、精密光学的产业状况 |
| 4.3.3 半导体装备的控制系统:自动化、电子电路、软件业产业状况 |
| 4.3.4 半导体装备流动系统:流体力学、真空学 |
| 4.4 中国半导体装备制造业内企业战略、市场结构与竞争对手的情况 |
| 4.4.1 半导体装备制造业的企业战略 |
| 4.4.2 半导体装备制造业的市场结构 |
| 4.4.3 半导体装备制造业的竞争对手 |
| 4.5 中国半导体装备制造业的政府支持力度 |
| 4.6 中国半导体装备制造业的发展机遇 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 基于经济周期的中国半导体装备制造业的创新之路 |
| 5.1 突破大者恒大,强者恒强困局 |
| 5.2 建立多学科人员组成的攻关联盟 |
| 5.3 有效利用周期性 |
| 5.4 变"设备购买"为"产能和有效性购买" |
| 5.5 中国半导体装备制造业的创新之路 |
| 5.6 中国半导体装备制造业的发展建议 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 全文结论及其未来研究展望 |
| 6.1 论文研究的主要结论 |
| 6.2 论文的主要创新点 |
| 6.3 未来研究的展望 |
| 参考文献 |
| 附录A |
| 索引 |
| 作者简历 |
| 学位论文数据集 |
四、英飞凌科技—DRAM市场的中坚（论文参考文献）
- [1]我国集成电路产业链:国际竞争力、制约因素和发展路径[J]. 李传志. 山西财经大学学报, 2020(04)
- [2]一种三相无刷电机驱动芯片的设计[D]. 王定良. 电子科技大学, 2019(01)
- [3]竞合能力、联盟企业间关系质量与创新绩效案例研究[J]. 周杰. 西南政法大学学报, 2017(06)
- [4]中国半导体产业合作创新网络演化研究[D]. 陈思雨. 华东师范大学, 2017(01)
- [5]融智、融芯、融天下——Semicon中国2016展会及技术论坛[J]. 艾恩溪. 集成电路应用, 2016(04)
- [6]无锡集成电路产业公共服务体系建设研究[D]. 荀华凤. 东南大学, 2016(02)
- [7]中国企业技术寻求型跨国并购与技术追赶研究[D]. 苏志文. 武汉大学, 2014(07)
- [8]FS半导体公司研发人员薪酬管理实践研究[D]. 王婕. 上海交通大学, 2011(07)
- [9]全球PC增长放缓 英特尔轮番收购布局移动终端[J]. 廖榛. IT时代周刊, 2010(18)
- [10]基于经济周期的中国半导体装备制造业竞争力研究[D]. 谢海忠. 北京交通大学, 2010(12)
标签：集成电路论文; 国家集成电路产业投资基金论文; 创新驱动论文; 半导体论文;