一、Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究（论文文献综述）
曹燕强[1]（2016）在《原子层沉积制备几种纳米薄膜、纳米复合结构及其在微电子和储能器件中的应用研究》文中指出原子层沉积（atomic layer deposition, ALD）是基于气态前驱体在沉积表面发生化学吸附反应的一种新型薄膜沉积技术,由于其独特的自限制、自饱和反应机理,因而具有优异的三维共形性、大面积的均匀性和精确的亚单层膜厚控制等特点。目前它在微电子、能源、光电子、光学、纳米技术、催化等领域的研究方兴未艾,赢得了学术界和工业界的广泛关注。ALD技术发展最强劲的推动力来自微电子工业,其在深亚微米集成电路制备上表现出的优势,一直受到半导体工艺的青睐。本博士论文针对高介电（高k）栅介质材料与新型半导体衬底集成遇到的障碍,系统地研究了金属脉冲自清洁效应和原位钝化对原子层沉积高k薄膜与GaAs和Ge界面质量和电学性能的影响,表征了ALD沉积氧化铝栅介质在表面预处理石墨烯上的生长特性,重点发展了一种大面积化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）石墨烯顶栅场效应晶体管（field-effect transistor, FET）阵列的制备方法,并对器件性能进行了表征。随着ALD技术的不断发展,诞生了分子层沉积（molecular layer deposition, MLD）, MLD生长的有机-无机杂化材料集合了有机物、无机物各自的优点,在光学、能源、催化等领域展现巨大的应用前景。本文采用MLD着重研究了新型钛基-富马酸杂化薄膜的生长工艺与反应机制以及稳定性,并探讨了其在电荷俘获型存储器和储能器件中的应用。ALD作为一种适合锂离子电池电极材料修饰的新技术正被广泛研究,其对电极表面的包覆可有效提高电池性能,然而目前ALD应用于金属锂负极的研究还很少。因此,本文深入研究了ALD技术对锂电池中金属锂负极的保护作用,分别使用ALD沉积的固态电解质作为非原位固态电解质界面（solid electrolyte interface, SEI）保护膜和悬浮ALD氧化物薄膜作为机械保护层,比较了两种方法对锂电池性能的影响。此外还利用ALD进行了表面增强拉曼散射（surface enhanced Raman scattering, SERS）纳米结构基底的制备研究。主要进展如下：一、ALD沉积栅介质薄膜及其在微电子领域的应用1.研究了不同ALD金属前驱体脉冲对GaAs表面的自清洁效应,发现三甲基铝（TMA）和二甲基氨基铪（TDMAH）的联合处理具有最佳的自清洁效果,可有效去除GaAs表面的天然氧化物,显着改善界面质量,提升电学性能。TMA和TDMAH联合处理的GaAs/1-nm-Al2O3/2.8-nm-HfO2/Pt样品,电容等效厚度（capacitance equivalent thickness, CET）为1.5 nm。此外,还深入比较了A1N和A1203界面钝化层对HfO2/GaAs界面热稳定性的影响,证实NH3等离子体也具有很好的自清洁效应,且AlN沉积过程有效地去除了GaAs表面的天然氧化物,AIN/GaAs界面具有优异的热稳定性,500 ℃C后退火处理后,获得最佳的电学性能,界面态密度仅为2.11×1011 eV-1cm-2。2.利用等离子体增强ALD （plasma-enhanced ALD, PEALD）中的原位NH3等离子体对Ge表面进行预处理,Ge表面的GeOx转变为GeOxNy钝化层,可有效改进HfO2/Ge的界面质量。NH3等离子体处理过的Pt/3-nm-HfO2/Ge样品,获得了CET仅为0.96 nm、漏电流密度为1.12 mA/cm2（+1V）的优异电学性能。因此,采用原位的NH3等离子体预处理是获得高质量Ge基金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor, MOS）器件的一个有效途径。另外,通过在Hf02与Ge之间引入原位PEALD沉积的Si02钝化层,有效阻挡了后退火过程中Ge向栅介质层的扩散,性能优于金属有机化学气相沉积（metalogranic CVD, MOCVD）制备的Si02作为钝化层的MOS器件。3.研究了石墨烯表面预处理对ALD沉积氧化铝栅介质薄膜的影响。通过将石墨烯在水中浸泡,实现了ALD在其表面非常均匀且平整的氧化铝沉积,且没有引入任何缺陷。利用铜箔（或铝箔）作为牺牲模板,成功获得了可转移的ALD氧化铝薄膜,发展了一种大面积CVD石墨烯顶栅FETs阵列的制备方法。研究表明,转移的ALD氧化铝薄膜具有较高的质量,能够作为石墨烯的栅介质层用于顶栅FET的制备,栅源漏电流仅为75 pA/μm2,所加顶栅压可有效调控石墨烯FETs中的源漏电流,在Vds为0.5 V时获得最大电流为0.85开关比约为5.7,迁移率为77.7cm2·V-1·s-1。利用二甲乙氨基铪（TEMAH）和H2S作为前驱体,采用ALD方法制备了大面积非晶HfS2薄膜,其生长符合自限制生长机制。且ALD原位沉积的A1203保护层,可有效提高HfS2在空气中的稳定性。二、ALD/MLD沉积新型薄膜材料及其在储能领域的应用1.利用MLD沉积了新型钛基-富马酸无机-有机杂化薄膜,其生长与沉积温度有着很强的依赖关系：沉积温度由180℃上升至30℃时,生长速度明显减小,薄膜的组成C:O:Ti比由8.35：7.49：1.00变化到4.66：4.80：1.00,结构则由低温200 ℃C的桥连方式转变为较高温250 ℃C和300℃下的桥连／双齿连接的混合态；沉积温度350 ℃C,薄膜的成分与结构发生剧烈的变化,C、O的含量大幅减小,仅为1.97：2.76：1.00（C:O:Ti）,与富马酸高温分解产生水导致薄膜中O-Ti键含量增加密切相关。表征了钛基-富马酸杂化薄膜的溶剂稳定性、空气稳定性和热稳定性。探索了钛基-富马酸杂化薄膜在电荷俘获型存储器中作为电荷存储层的应用。钛基-富马酸杂化薄膜对空穴显示出了优异存储能力,归因于杂化薄膜中存在的大π键。±14 V的扫描电压下获得了高达8.01 V的存储窗口,与ALD制备的金属Pt、Ir纳米晶存储器相当。2.研究了基于钛基-富马酸杂化薄膜的多孔Ti02纳米结构在超级电容器、锂离子电池领域的应用。作为超级电容器电极时,极少量的活性材料（约0.067mg/cm2）在充放电电流为1.25 mA/cm2下就能获得270.2 mF/cm2的高容量,归因于MLD衍生的多孔纳米结构孔隙在1 nm以下,具有较大的比表面积,电化学性能远远优于ALD沉积的Ti02薄膜,面积比容量约是其236倍,且具有优异的倍率性能,充放电电流提高至10 mA/cm2时,仍具有176.9 mF/cm2的容量。多孔二氧化钛作为锂离子电池的负极同样表现出优异的性能,在130μA/cm2的高充放电流下,具有30.4 μAh/cm2的面积比容量,库伦效率高达99%。3.ALD技术制备了一种新型的锂离子固态电解质LixAlyS,50 nm LixAlyS （Li/Al循环比1：1）薄膜在室温下具有较高的锂离子电导率（2.5×10-7S/cm）,高于绝大多数ALD制备的固态电解质薄膜。使用LixAlyS固态电解质薄膜作为非原位的SEI薄膜来保护金属锂负极,不仅能够稳定电解液中的金属锂,抑制金属锂与电解液的反应,使得界面层阻抗降低5倍,还能阻止金属锂枝晶的形成,大大提高电池的循环稳定性与安全性,Li-Cu电池寿命提高近一倍。4.深入研究了悬浮ALD氧化物薄膜对金属锂负极的保护性能。ALD沉积氧化物薄膜结合化学腐蚀工艺,成功制备了悬浮ALD氧化物薄膜保护的铜箔电极。实验表明,在金属锂的沉积过程中,锂离子穿过悬浮氧化物薄膜在铜表面沉积,而悬浮的氧化物薄膜能够上下移动,始终在金属锂的表面,对其起到保护作用,抑制了金属锂枝晶的生长。悬浮保护层提高Li-Cu电池近10%的库伦效率,150循环内库伦效率没有任何衰减。而直接在铜箔电极上沉积的ALD保护层却反而恶化了电池性能,主要是其与衬底之间为强化学键力连接,无法上下移动以适应锂金属巨大的体积变化。尽管LixAlyS非原位SEI膜和悬浮ALD氧化物机械保护层均能有效抑制金属锂枝晶的生长,相比较而言,SEI膜的机械强度不如氧化物薄膜,悬浮ALD氧化物机械保护层更具优势。三、ALD制备纳米复合结构基底及其表面增强拉曼散射效应研究1. 系统研究了间隙可控的Au纳米颗粒（nanoparticles, NPs）/纳米间隙/Au NPs结构的制备与SERS效应之间的关系。利用磁控溅射和退火的方法制备金纳米颗粒,使用ALD技术在两层金纳米颗粒之间引入超薄氧化铝牺牲层,化学腐蚀去除部分氧化铝得到Au NPs/纳米间隙/Au NPs结构,间隙的大小可由ALD沉积的氧化铝厚度进行调控。研究表明,Au NPs/纳米间隙/Au NPs结构对亚甲基蓝分子的SERS效应大大增强,纳米间隙越小,亚甲基蓝分子的拉曼信号越强,2nm间隙获得的拉曼信号相比于腐蚀前增强了近14倍。使用有限时域差分法（finite-difference time-domain, FDTD）方法对腐蚀前后两种结构中的电磁场分布进行了理论模拟,计算表明,Au NPs/纳米间隙/Au NPs结构中较强的电磁场主要分布于纳米颗粒间隙之中,且金属纳米间隙越小,间隙中的电磁场越强,2 nm间隙的电磁场增强近10倍,与实验测量结果相当吻合。2.探索在三维ZnO纳米线（nanowires, NWs）上沉积金属Ir纳米颗粒作为SERS基底。实验表明,少量Ir金属纳米颗粒的沉积具有一定的SERS效果,但是随着沉积Ir量的增多,衬底对可见光的吸收能力急剧增强,200循环的IrNPs/ZnO NWs复合结构对波长为633 nm的光达到了99%以上的吸收,产生的热效应使得亚甲基蓝探测分子分解,造成了拉曼信号的衰减。虽然此结构没有获得理想的SERS效果,但是其对于可见光近乎100%的吸收,在光催化、海水淡化等领域有着广阔的应用前景。
汪礼胜[2]（2015）在《堆栈高k栅介质（In）GaAs MOS器件电子迁移率模型及界面特性研究》文中指出当MOSFET特征尺寸缩小到10纳米节点后,基于硅的CMOS技术将趋于理论极限,而高迁移率沟道材料（如Ge和Ⅲ-Ⅴ族半导体）最有可能替代应变硅沟道。其中,（In）GaAs化合物半导体具有高的电子迁移率,是实现超高速、低功耗n-MOSFET的理想沟道材料。然而,与SiO2/Si系统相比,（In）GaAs表面缺乏高质量的本族氧化物。为了获得优良的高（In）GaAs界面特性,需在淀积高k栅介质前对（In）GaAs衬底表面进行化学处理（如硫钝化）、等离子体处理或淀积薄的界面钝化层等。而堆栈高k栅介质的使用将会引入远程库仑散射和远程界面粗糙散射,使沟道载流子迁移率F降。针对上述问题,本文从理论上分析了影响迁移率退化的各种散射机制,由此建立了堆栈高k栅介质InGaAs n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型；实验方面,围绕高k栅介质（In）GaAs MOS器件界面特性和电特性的改善,开展了一系列有意义的研究工作。理论上,在分析反型沟道二维电子气迁移率各种散射机制的基础上,建立了堆栈高k栅介质InGaAs n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型。重点研究了远程库仑散射和远程界面粗糙散射对迁移率的影响,并详细分析了器件物理和结构参数,包括高k介质和界面层的厚度、介电常数、固定电荷、界面关联长度和界面粗糙度等对沟道电子输运特性的影响。模拟结果显示,为了获得更小的EOT和更高的电子迁移率,高k介质和界面层需有最佳的厚度匹配（如界面层～1nm,高k介质层～3nm）以及合理的k值（如界面层～14,高k介质层～30）,并需对介质制备工艺进行优化,以减小高k介质中固定电荷密度和高k/界面层粗糙度。实验方面,首先分别以TaON, AlON和GGO作为界面层,在硫钝化的GaAs衬底上制备了HfTiON/界面层/GaAs MOS电容,在常用的退火温度和气体范围,比较了两种退火温度和两种退火气氛（NH3,N2）对器件界面特性和电特性的影响,确定出合适的淀积后退火温度（600℃）和退火气氛（NH3）。对三种不同界面钝化层样品的电特性测量表明,MOS器件的界面质量均得到改善,获得了低的界面态密度Dit、低的栅极漏电和高的器件可靠性,其中,以TaON为界面层的HfTiON/TaON/GaAs MOS器件呈现出最好的界面特性（带隙中间附近Dit～1.0×1012cm-2eV-1）.最低的栅极漏电流密度（7.3×10-5Acm-2@Vg=Vfb+1V）、最小的电容等效厚度（1.65nm）和最高的k值（26.2）。在上述实验研究基础上,进一步采用NH3等离子体氮化处理GGO作为界面层,以HfTiON作为高k栅介质,制备了HfTiON/GGON堆栈高k栅介质InGaAs MOS电容。另一方面,采用射频磁控溅射方法制备了TiON/TaON多层复合栅介质InGaAsMOS电容。结果表明,两种表面钝化方法,均可有效抑制界面低k氧化物（In/Ga/As-O）和单质As的形成,显着减少了高k/InGaAs界面及其附近相关缺陷,消除了费米能级钉扎效应,从而获得了优良的界面特性、低的栅极漏电、小的CET、高的等效k值和器件可靠性。两种钝化方法相比,TiON/TaON多层复合栅介质的制备工艺相对简单,没有GGON的吸潮问题,稳定性更好。因此,TiON/TaON多层复合栅介质在制备高性能InGaAs MOS器件方面显示出更大的优势。
谭葛明[3]（2011）在《高k栅介质/半导体衬底界面的钝化和性能提升》文中研究表明随着微电子产业的飞速发展,CMOS器件特征尺寸在不断缩小,传统的氧化硅栅介质材料/Si体系为基础的MOS器件已经走到了物理极限。一方面,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,漏电流将变得很大而无法正常工作。因此我们要寻求一种高介电常数材料来代替SiO2。其中,HfO2其较高的介电常数（-25）、较大的禁带宽度（-5.6eV）、与Si的导带和价带势垒较大（AEc=1.5eV,△Ev= 1.7eV）、以及与Si的高的热稳定性等特征,被认为是最有希望的替代SiO2的栅介质材料。高k材料要取代SiO2成为MOSFET器件栅介质,高k材料/Si体系必须具有与SiO2/Si体系相似的性质,并且与当前的半导体制造工艺兼容。因此,作为候选的高k材料必须符合以下几方面的要求：（1）具有比较高的介电常数和势垒高度;（2）薄膜在半导体热处理条件下能保持非晶态；（3）具有良好的热稳定性；（4）具有良好的界面品质；（5）与半导体工艺兼容等。另一方面,由于器件工作的速度越来越快,这对衬底的载流子迁移率提出了更高的要求。具有较高迁移率的Ⅲ-Ⅴ族半导体（GaAs等）,Ge以及GeSi等材料成为研究和应用的热点。但是这些材料自身的氧化层不仅不能像Si02氧化层对Si起到有效地保护,反而会引入很高的界面态密度。GaAs的表面钝化技术进步是在GaAs衬底材料上制备高性能的MOS器件的核心技术之一。本论文工作主要分为以下两个方面：1.采用先进的原子层淀积工艺在Si（100）的衬底上制备了高k栅介质Al203和HfAlO, Al、Hf和O的前躯体分别为三甲基铝（TMA）,四（乙基甲胺基）铪（TEMAH）和H2O。研究了在Si衬底和HfAlO栅介质之间插入Al203缓冲层后MOS电容和TMA预处理后的MOS电容的电学性能。在1 MHz条件下测试TMA预处理,5个10个ALD周期的Al203缓冲层样品,积累区电容密度分别为0.813,1.143,0.772μF/cm2,禁带中央的Dit分别为7.09×1011,5.01×1011和8.12×1011 （cm-2.eV-1）。直接淀积HfAlO介质的样品的积累电容密度为1.626μF/cm2,虽然HfAlO/Si MOS结构拥有最高的积累电容密度,但是其界面态密度和频率耗散特性较差。两种淀积不同厚度的Al203缓冲层的HfAlO/Al203/Si结构在100 kHz和1 MHz的频率测试下的频率耗散特性很小,两种样品的漏电流密度比较低且相差很小,但是前者的电容等效厚度（CET）却比后者要小1.4nm。这说明5个周期Al203厚度的缓冲层既能够保证较小的漏电流,还可以降低MOS结构的CET。此外,使用Al203缓冲层的HfAlO/Al203/Si结构的热稳定性提高了,可以阻挡住有害杂质的扩散和抑制栅介质的结晶。2.采用硫钝化溶液进行湿法钝化处理可以去除GaAs表面的氧化物和As,从而抑制GaAs表面反位缺陷AsGa的形成,并在GaAs表面留下致密的GaSx防止氧化。为了在GaAs衬底上原子层淀积高质量的A12O31高k栅介质,采用硫代乙酰胺（CH3CSNH2）作为硫钝化溶液处理GaAs,还使用了（NH4）2S钝化处理GaAs表面作为对比。对这两种表面前处理后制备的Al2O3/GaAs样品的XPS的分析表明,硫钝化处理可以在界面上形成Ga-S键,有效地减少Al2O3/GaAs界面处的As-O键,但是却不能完全消除界面处的Ga-O键和As-As键,综合比较得出硫代乙酰胺的钝化效果更佳。研究了两种硫钝化样品和TMA预处理的样品的电学特性,其中硫代乙酰胺处理过的样品的积累电容密度和界面态密度特性最好。在500℃下的N2气氛中快速热退火5min后,硫钝化样品的积累电容密度因为的Al2O3紧致化而增大,这说明硫钝化处理可以提高Al2O3/GaAs体系的稳定性。
杨晶[4]（2011）在《大功率半导体激光器腔面钝化工艺研究》文中提出随着科技的发展,对高功率半导体激光器的需求变得越来越大,因此研究它的可靠性和提高它的输出功率就显得非常重要。研究表明,腔面退化是激光器产生退化的主要原因,特别是以GaAs为基础的含Al的高功率半导体激光器的腔面退化更为严重。所以,本论文从腔面退化机理展开,以808nm GaAs/AlGaAs高功率半导体激光器做为研究对象,提出了可以改善激光器腔面退化问题的方案,即腔面钝化的工艺,从而提高激光器的输出功率和可靠性。本论文首先研究分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的表面性质,指出表面态引起的非辐射复合是GaAs/AlGaAs激光器腔面发生光学灾变损伤的主要原因。在激光器腔面钝化工艺的研究方面,本论文深入研究了含硫溶液的湿法钝化及硫化氢和氩混合等离子体的干法钝化工艺。在激光器腔面镀膜工艺方面,研究了高反射膜和增透膜的工艺。总之,本论文通过对激光器腔面的钝化工艺技术的研究,进一步提高了激光器的稳定性和COD的阈值,为激光器在高功率和高温条件下的应用提供了保证。
邱忠阳[5]（2010）在《半导体激光器腔面钝化的研究》文中进行了进一步梳理半导体激光器腔面钝化主要是通过引入某种原子与工作物质表面的悬挂键结合形成较稳定的、新的化学键,即形成一个稳定的钝化层。本论文以Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器为研究对象,研究腔面钝化层不同制备方法,如含硫溶液钝化、氧钝化、氢钝化、氮钝化、硫化氢等离子体钝化。叙述钝化工艺的产生背景及工艺方法。详细对比硫溶液钝化、氮钝化、硫化氢等离子体钝化在不同钝化条件下的钝化效果:硫溶液钝化腔面多种钝化液中,（NH4）2S+t-C4H9OH溶液的钝化效果最佳;用氮钝化、硫化氢等离子体钝化时,N2和H2流量比为20:1、H2S和Ar流量比为1:1。论文归纳各种钝化工艺的存在的问题,提出可能的解决方法。
汪建广[6]（2004）在《Au在Si（001）表面及Fe在Au钝化的Si（001）表面的化学吸附》文中指出用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合（ TB―LMTO）方法对Au在Si（001）表面以及Fe在Au钝化的Si（001）表面化学吸附的电子结构和性质进行了研究。在研究Au在Si（001）表面的化学吸附时,计算中所取的超级原胞模型如下:用九个Si原子层来模拟基底,在基底两边各吸附一单层的Au原子,同时包含相当于五个原子层厚度的真空层,且模型具有镜面对称性。用增加基底厚度的办法与该模型作对比,结果表明所取模型是合理的。计算并分析Au原子在不同位置的吸附能,吸附体系与清洁的Si（001）表面的层投影态密度,以及电子转移情况。结果表明, Au原子在吸附面上方的顶位吸附最稳定,Au钝化Si（001）表面可以取得明显的钝化效果。并且在界面处存在Au-Si混合层,此结论从理论上解释了单层的Au原子在Si（001）表面吸附时,Au/Si（001）的界面结构。这些结论与实验的结论一致。对Fe在Au钝化的Si（001）表面化学吸附的研究,用单层的Au原子饱和超级原胞两侧的悬挂键。所取模型包含八个Si原子层和两个Au钝化层以及一个Fe吸附层,另外还有一个相当于五个原子层厚度的真空层。为了对比,同时也对Fe在清洁的Si（001）表面的吸附情况进行了研究。其超级原胞的下表面被Au原子钝化掉。模型的厚度仍为十六层,包含八个Si原子层和一个Au钝化层以及一个Fe吸附层,另外还有一个相当于六个原子层厚度的真空层。引入Au原子钝化层可以有效地避免Fe与Si的相互混合,并且使得能够用一个较小的原胞来模拟Fe在Si（001）表面上的吸附,从而可以减小计算量。分别对Fe原子在清洁Si（001）表面和Au钝化的Si（001）表面的化学吸附进行了讨论。通过对Fe原子在不同位置的吸附能,吸附体系与清洁表面的层投影态密度以及电子转移情况进行计算。结果表明Fe原子在清洁Si（001）表面的最佳吸附位置是四度位,在Fe/Si（001）界面处存在Fe-Si混合层。Fe原子在Au-Si（001）表面吸附的稳定位置是Au表面下方的四度位,因此,在Fe/Au-Si（001）界面处有Au-Fe混合层生成。然而, Fe原子不能存在于Si表面下方,这样在界面处也就没有Fe-Si混合层形成。通过以上的讨论,可以得出单层的Au作为钝化层有效地阻止了界面处Fe-Si的相互混合,从而从理论上证明了在Au钝化的Si（001）表面上长高质量的Fe膜的可能性。取得与实验一致的结论。
任殿胜[7]（2003）在《砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究》文中研究表明砷化镓（GaAs）半导体材料在国防、卫星通讯等领域有极其重要的作用。但由于砷化镓表面的特殊性和复杂性，限制了该类器件的发展。本文用各种现代表面分析技术着重研究了砷化镓表面的化学特性以及紫外光激发下砷化镓表面的氧化反应，讨论了反应机理，开展了表面处理技术在砷化镓器件中的应用研究。通过研究取得如下成果：建立了一套用XPS准确测量砷化镓表面化学组成、氧化层厚度的测量方法。研究发现自然氧化层主要由Ga2O3、As2O5、As2O3及元素As组成，表面明显富镓，而且表面晶体完整性越差，表面自然氧化层越厚；而氧化层越厚镓砷比越大。首次尝试了用有机溶剂作为Na2S和（NH4）2S处理介质，对砷化镓表面进行硫钝化处理。结果表明，砷化镓表面硫化层厚度与所用溶液的极性有关，用极性小的有机醇（乙醇和异丙醇）作溶剂可以得到更厚的硫钝化层。首次用软硬酸碱理论解释了实验现象，即：溶剂改变了含硫物质（Lewis碱）的软硬度，使之能与GaAs表面相匹配。首次系统地研究了紫外光激发下，反应气氛、紫外光源强度、样品与光源距离、辅助臭氧增强装置等对砷化镓表面氧化反应的影响，并对砷化镓表面的氧化反应过程进行了较深入的探讨。研究发现，紫外光激发下， GaAs表面生成了氧化膜，同时清除了表面污染碳。一定时间内，氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致；随着反应时间的延长，更有利于As氧化物的形成。用此方法获得了具有一定的化学稳定性的，适合于器件制备的钝化层。首次发现该反应分两个阶段，并提出紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应。首次成功地将“紫外光/臭氧处理法”应用于制作GaAs MESFET器件。结果表明，与传统方法比，用“紫外光/臭氧处理法”处理的GaAs晶片，可使器件性能得到改善。提供了砷化镓表面制备的新工艺。
刘立浩[8]（2003）在《GaAs MESFET击穿特性研究》文中研究说明砷化镓（GaAs）晶体是一种电学性能优越的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，以其为衬底制作的半导体器件及其集成电路由于具有信息处理速度快、超高频、低功耗、低噪声等突出的优点而得到广泛应用。GaAs器件及其集成电路在微波通信和军事领域显示出它的重要性。MESFET是GaAs电路中最常用，也是最成熟的一种器件。目前国产MESFET存在钝化后栅—漏反向击穿电压大幅度降低而且不稳定的问题，严重影响了器件的输出功率、效率、抗烧毁能力及长期可靠性。国内对于GaAs MESFET的击穿特性研究依然处于初期阶段，所以解决GaAs MESFET的击穿问题已经成为一个非常重要的问题。为了满足民用和国防工程需要，必须解决国产器件钝化后栅—漏反向击穿电压大幅降低的问题。本论文对GaAs MESFET的击穿特性进行了较为系统的研究。对使用不同方法处理过的GaAs外延片表面进行了XPS谱测试。对各外延片的Ga3d谱和AS3d谱进行了对比，并比较了各外延片表面的镓砷比。结果表明：氨水和（NH4）2SX(溶液都有较强的去除GaAs自体氧化层能力；紫外臭氧和氨水处理过的表面镓砷比接近1∶1，（NH4）2SX，溶液处理过的GaAs表面镓砷比约为1.5∶1，富镓。我们在13所3英寸GaAs生产线上制作了GaAs MESFET，并研究了其动态和直流击穿特性。在动态击穿特性测试中，我们发现，GaAs MESFET的击穿电压随栅极与漏极上所加脉冲电压宽度的增大而增大。我们认为击穿电压与脉冲宽度的关系，主要是因为表面态的原因。在直流特性测试中，分别使用（NH4）2SX溶液、酸碱液和等离子体对GaAs MESFET进行了处理。发现使用（NH4）2SX溶液对GaAs MESFET进行处理，器件击穿电压有了大幅度的提高。我们认为硫钝化减小了GaAs表面的Nd／Na值（Nd为施主型缺陷浓度，Na为受主型缺陷浓度）。表面受主态的增多使表面负电荷密度增大，表面聚集的负电荷可以分散漏侧栅边缘的电力线密度，所以随着表面负电荷密度的增大，漏侧栅边缘的电场强度将减小，因此器件的击穿电压就会提高。对于GaAs MESFET在真空中200℃下退火引起的击穿电压的减小，我们提出是由于As—S键很不稳定，在较高温度下分解，As—S键引入的受主缺陷就会减少，则GaAs表面负电荷密度减小，导致器件击穿电压降低。使用酸碱液处理和等离子体预处理法都未观察到击穿电压的明显提高。 ＊田AS MM＊SP【T击穿特性研究 通过实验，我们认为影响GaAS MESFET击穿特性的最重要因素是受主缺陷引入的表面负电荷密度。随着表面负电荷密度的增大，漏侧栅边缘的电场强度将减弱，因此器件的的击穿电压就会提高。
祝传刚,徐彭寿,陆尔东,徐法强,潘海斌[9]（2001）在《CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响》文中提出通过实验对比 ,研究了CH3CSNH2 钝化对铁磁金属与GaAs界面处As扩散行为的影响 .发现S钝化处理改变了表面As元素的化学环境 ,减弱了As元素向铁磁金属外延层中的扩散现象 ,削弱了As与铁磁金属的反应 ,形成了较窄的反应层 ,并且改善了界面磁性 .初步探讨了S钝化影响As扩散的原因 .
祝传刚[10]（2001）在《表面S钝化技术与金属/GaAs界面异质结构》文中指出本文详细讨论了GaAs表面S钝化技术的发展过程,总结了近年来人们对S钝化技术的研究成果,并针对该技术在金属/GaAs异质结构领域的广泛应用前景进行了讨论。
二、Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究（论文提纲范文）
（1）原子层沉积制备几种纳米薄膜、纳米复合结构及其在微电子和储能器件中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 原子层沉积技术介绍 |
| 1.1.1 原子层沉积技术的原理与特点 |
| 1.1.2 等离子体增强原子层沉积技术及其特点 |
| 1.1.3 分子层沉积简介 |
| 1.2 原子层沉积在微电子领域的应用 |
| 1.2.1 微电子技术的发展现状 |
| 1.2.2 新型半导体材料及其研究进展 |
| 1.3 原子层沉积技术在能源领域的应用 |
| 1.3.1 电极材料的表面修饰 |
| 1.3.2 锂离子电池材料的ALD合成 |
| 1.4 本论文的研究目的和主要内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 材料制备与表征方法 |
| 2.1 原子层沉积系统简介 |
| 2.2 薄膜表面和界面结构的表征方法 |
| 2.3 电学性能测试分析方法 |
| 2.4 电化学表征手段 |
| 参考文献 |
| 第三章 原子层沉积栅介质材料与高迁移率GaAs/Ge半导体的界面结构及其电学性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 高k栅介质/GaAs-MOS器件的界面结构及电学性能研究 |
| 3.2.1 金属前驱体对GaAs沉积的联合自清洁效应 |
| 3.2.2 引入AlN界面钝化层对HfO_2/GaAs性能的影响 |
| 3.3 高k栅介质/Ge半导体的界面结构及其电学性能研究 |
| 3.3.1 原位氨气等离子体预处理对HfO_2/Ge性能的影响 |
| 3.3.2 PEALD SiO_2界面钝化层对HfO_2/Ge性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 石墨烯基Al_2O_3栅介质的ALD生长及其顶栅FET器件阵列制备研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 石墨烯上ALD沉积Al_2O_3栅介质的研究 |
| 4.2.1 石墨烯的制备与表面预处理 |
| 4.2.2 物理吸附水对石墨烯上ALD沉积Al_2O_3的影响 |
| 4.3 基于可转移ALD栅介质薄膜的石墨烯顶栅FET阵列的制备工艺与性能研究 |
| 4.3.1 ALD栅介质薄膜的转移工艺 |
| 4.3.2 基于可转移ALD栅介质薄膜石墨烯顶栅FET的制备与性能表征 |
| 4.4 二维TMDs材料HfS_2的ALD生长研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 钛基-富马酸杂化薄膜的MLD生长及其在电荷俘获型存储器和储能器件中的应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 钛基-富马酸杂化薄膜的生长工艺与机制研究 |
| 5.2.1 钛基-富马酸杂化薄膜的生长工艺研究 |
| 5.2.2 钛基-富马酸杂化薄膜的MLD生长机制 |
| 5.3 钛基-富马酸杂化薄膜的稳定性研究 |
| 5.3.1 钛基-富马酸杂化薄膜在化学溶剂和空气中的稳定性 |
| 5.3.2 钛基-富马酸杂化薄膜的热稳定性研究 |
| 5.3.3 钛基-富马酸杂化薄膜的溅射分解 |
| 5.4 钛基-富马酸杂化薄膜作为电荷存储层在电荷俘获型存储器中的应用研究 |
| 5.5 基于钛基-富马酸杂化薄膜的多孔TiO_2在储能领域的应用研究 |
| 5.5.1 多孔TiO_2超级电容器的电化学性能研究 |
| 5.5.2 多孔TiO_2负极的锂离子电池性能研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 ALD技术对锂电池中金属锂负极的保护研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 ALD沉积Li_xAl_yS固态电解质保护锂金属负极 |
| 6.2.1 Li_xAl_yS固态电解质的ALD沉积研究 |
| 6.2.2 Lix_Al_yS固态电解质对金属锂负极的保护作用 |
| 6.3 悬浮氧化物薄膜对锂金属负极的保护研究 |
| 6.3.1 悬浮氧化物薄膜/铜箔结构的制备与表征 |
| 6.3.2 悬浮氧化物薄膜对金属锂的保护研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 ALD技术制备表面增强拉曼散射基底的研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 间隙可控的Au NPs/纳米间隙/Au NPs基底的SERS效应研究 |
| 7.2.1 Au NPs/纳米间隙/Au NPs结构的制备与表征 |
| 7.2.2 Au NPs/纳米间隙/Au NPs基底对亚甲基蓝分子的SERS效应 |
| 7.2.3 Au NPs/纳米间隙/Au NPs基底的有限时域差分计算模拟 |
| 7.3 Ir纳米颗粒/ZnO纳米线复合结构的表面增强拉曼效应研究 |
| 7.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 未来工作展望 |
| Publication list |
| 致谢 |
（2）堆栈高k栅介质（In）GaAs MOS器件电子迁移率模型及界面特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 MOS器件按比例缩小及面临的挑战 |
| 1.3 化合物半导体(In)GaAs材料的优势 |
| 1.4 高k栅介质/(In)GaAs MOS器件研究现状 |
| 1.5 高k栅介质InGaAs MOSFET沟道迁移率研究进展 |
| 1.6 本文主要工作及内容安排 |
| 第二章 高k栅介质(In)GaAs MOS制备工艺及测试方法 |
| 2.1 MOS器件制备工艺 |
| 2.2 薄膜性能表征 |
| 2.3 MOS器件电特性测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 堆栈高k栅介质InGaAs n-MOSFET电子迁移率模型 |
| 3.1 玻尔兹曼输运理论 |
| 3.2 载流子散射机制 |
| 3.3 迁移率模型的建立 |
| 3.4 模拟结果和讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 堆栈高k栅介质GaAs MOS界面特性及电性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 HfTiON/TaON/GaAs MOS器件 |
| 4.3 HfTiON/AlON/GaAs MOS器件 |
| 4.4 HfTiON/GGO/GaAs MOS器件 |
| 4.5 三种界面层样品的性能比较 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 堆栈高k栅介质InGaAs MOS界面特性及电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 HfTiON/GGON/InGaAs MOS器件 |
| 5.3 多层TiON/TaON栅介质InGaAs MOS器件 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结与创新点 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 |
（3）高k栅介质/半导体衬底界面的钝化和性能提升（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路器件与工艺的发展 |
| 1.2 SiO_2作为栅极介质材料的限制 |
| 1.3 高k栅介质 |
| 1.3.1 高k栅介质的性能要求 |
| 1.3.2 几种高k栅介质材料 |
| 1.3.3 高k材料的研究现状 |
| 1.4 砷化镓(GaAs)衬底 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 第二章 高k栅介质的制备工艺和表征技术及相关理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 高k栅介质的淀积方法 |
| 2.2.1 原子层淀积的原理和技术 |
| 2.2.2 原子层淀积表面化学机制 |
| 2.2.3 ALD制备金属氧化物栅介质薄膜 |
| 2.3 高k栅介质的物理性质表征技术 |
| 2.3.1 薄膜厚度的表征:椭圆偏振仪 |
| 2.3.2 薄膜表面分析技术:X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.4 高k栅介质结构的电学测量技术 |
| 2.4.1 MOS结构的电容-电压(C-V)测量 |
| 2.4.2 MOS结构的电流-电压(I-V)测量 |
| 第三章 具有Al_2O_3缓冲层的HfAlO高k栅介质MOS结构的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 实验设备和反应前躯体 |
| 3.2.2 Si片的清洗 |
| 3.2.3 原子层淀积Al_2O_3和HfAlO薄膜 |
| 3.2.4 具有Al_2O_3缓冲层的Ru/HfO_2/Al_2O_3 MOS结构 |
| 3.3 高k栅介质MOS结构的电学测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 砷化镓(GaAs)衬底上淀积Al_2O_3薄膜和硫钝化研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.2.1 GaAs衬底表面的清洗和硫钝化 |
| 4.2.2 原子层淀积Al_2O_3薄膜 |
| 4.3 Al_2O_3和GaAs界面的分析 |
| 4.4 Au/Ti/Al_2O_3/GaAs MOS结构的制备和电学分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 硕士阶段发表的学术论文 |
| 致谢 |
（4）大功率半导体激光器腔面钝化工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高功率半导体激光器的发展状况和可靠性研究现状分析 |
| 1.3 论文研究的主要内容 |
| 第二章 激光器腔面的表面态的分析研究 |
| 2.1 表面态的由来和意义 |
| 2.2 表面分析技术的研究 |
| 2.3 表面态在激光器退化中的所起的作用 |
| 2.4 表面钝化的概念 |
| 2.5 化合物半导体表面钝化的方法介绍 |
| 第三章 激光器腔面钝化工艺的分析研究 |
| 3.1 含硫溶液的湿法钝化方法 |
| 3.2 硫化氢+氩气等离子体干法钝化的方法研究 |
| 3.3 干法钝化和湿法钝化方法的效果的比较 |
| 第四章 半导体激光器腔面的镀膜工艺 |
| 4.1 激光器腔面镀膜的设计 |
| 4.2 高功率半导体激光器腔面反射率的优化 |
| 4.3 高反射膜的制备 |
| 4.4 增透膜的制备 |
| 4.5 激光器腔面钝化工艺的比较 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（5）半导体激光器腔面钝化的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 半导体激光器的发展 |
| 1.2 半导体激光器的应用 |
| 1.3 论文研究目的及内容 |
| 第二章 半导体激光器的物理基础及基本结构 |
| 2.1 半导体内粒子跃迁的过程 |
| 2.2 半导体激光器的工作原理 |
| 2.3 激光器的基本结构 |
| 第三章 半导体激光器腔面分析 |
| 3.1 半导体激光器腔面的退化现象 |
| 3.2 半导体激光器腔面钝化概念 |
| 3.3 几种常用的评价钝化效果的方法 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 半导体激光器腔面钝化层 |
| 4.1 半导体表面的自然氧化物 |
| 4.2 氧钝化 |
| 4.3 硫钝化 |
| 4.4 氢钝化 |
| 4.5 氮钝化 |
| 4.6 硫化氢等离子体钝化 |
| 4.7 钝化层的保护 |
| 4.8 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（6）Au在Si（001）表面及Fe在Au钝化的Si（001）表面的化学吸附（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 历史回顾 |
| 1.2 目前状况 |
| 第二章 理论基础和计算方法 |
| 2.1 紧束缚方法 |
| 2.2 Muffin-tin 势 |
| 2.3 Muffin-tin 轨道 |
| 2.4 LMTO 与 TB-LMTO 方法 |
| 第三章 Au 在 Si(001)表面的化学吸附 |
| 3.1 方法和模型 |
| 3.2 计算结果、分析和讨论 |
| 3.2.1 吸附能 |
| 3.2.2 态密度 |
| 3.2.3 电子转移 |
| 3.3 结论 |
| 第四章 Fe 在 Au 钝化的 Si(001)表面的化学吸附 |
| 4.1 方法和模型 |
| 4.2 计算结果、分析和讨论 |
| 4.2.1 Fe 在清洁 Si(001)表面的化学吸附 |
| 4.2.1.1 模型的选取 |
| 4.2.1.2 吸附能 |
| 4.2.1.3 态密度 |
| 4.2.2 Fe 在 Au 钝化的 Si(001)表面的吸附 |
| 4.2.2.1 吸附能 |
| 4.2.2.2 态密度 |
| 4.2.2.3 电子转移 |
| 4.3 结论 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 硕士期间完成的论文 |
| 致谢 |
（7）砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 砷化镓材料 |
| 1.1.1 砷化镓基本性质 |
| 1.1.2 砷化镓表面 |
| 1.2 表面研究方法 |
| 1.3 砷化镓表面研究现状 |
| 1.3.1 表面基本化学特性的研究 |
| 1.3.1.1 表面几何结构研究 |
| 1.3.1.2 表面化学组成研究 |
| 1.3.1.3 表面反应特性研究 |
| 1 3.2 表面钝化研究 |
| 1.3.2.1 表面氧化 |
| 1.3.2.2 表面硫钝化 |
| 1.3.2.3 其他钝化 |
| 1.4 论文研究内容 |
| 1.5 本课题研究意义 |
| 第二章 实验装置及分析方法 |
| 2.1 实验装置 |
| 2.1.1 惰性气体或氮气保护进样装置 |
| 2.1.2 紫外光/臭氧处理装置 |
| 2.2 X射线光电子能谱(XPS)分析方法 |
| 2.2.1 基本原理 |
| 2.2.2 XPS测量半导体材料结合能的原理 |
| 2.2.3 XPS测量表面化学计量比的原理 |
| 2.2.4 XPS测量氧化层厚度的原理 |
| 2.2.5 仪器构成 |
| 2.2.6 XPS测试条件设定 |
| 2.2.6.1 谱线选择 |
| 2.2.6.2 通过能选择 |
| 2.2.6.3 样品位置调节 |
| 第三章 砷化镓晶片表面自然氧化层特性研究 |
| 3.1 研究方法 |
| 3.2 结果及讨论 |
| 3.2.1 砷化镓晶片表面污染物 |
| 3.2.2 砷化镓晶片表面晶体完整性 |
| 3.2.3 砷化镓晶片表面化学元素组成及价态 |
| 3.2.3.1 表面元素组成 |
| 3.2.3.2 表面化合物组成 |
| 3.2.3.3 表面自然氧化层镓砷比及厚度 |
| 3.2.4 砷化镓抛光片表面氧的深度分布 |
| 3.3 砷化镓表面自然氧化层形成机理分析 |
| 3.3.1 砷化镓表面晶体完整性对自然氧化层形成的影响 |
| 3.3.2 砷化镓表面自然氧化的热力学分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 砷化镓晶片表面硫钝化研究 |
| 4.1 研究方法 |
| 4.2 结果与讨论: |
| 4.2.1 用Na2S?9H2O 溶液进行钝化处理 |
| 4.2.2 用(NH4)2S溶液进行钝化处理 |
| 4.3 用Lewis酸碱理论分析砷化镓表面硫钝化 |
| 4.3.1 Lewis酸碱理论简介 |
| 4.3.2 硫化物在溶液中软硬度的变化以及与GaAs表面的作用 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 紫外光激发下砷化镓的表面氧化反应 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 研究方法 |
| 5.2.1 样品 |
| 5.2.2 样品编号及处理过程 |
| 5.2.3 XPS测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 紫外光/臭氧氧化处理对GaAs表面组成的影响 |
| 5.3.2 反应气氛对紫外光激发GaAs表面氧化的影响 |
| 5.3.2.1 大气环境中紫外光激发的砷化镓表面氧化 |
| 5.3.2.2 高纯氧环境中紫外光激发的砷化镓表面氧化 |
| 5.3.3 紫外光辐照强度对砷化镓表面氧化的影响 |
| 5.3.4 砷化镓表面与紫外光源的距离对GaAs表面氧化的影响 |
| 5.3.5 辅助臭氧发生装置对砷化镓表面紫外光氧化的影响 |
| 5.4 反应机理及动力学分析 |
| 5.4.1 反应机理分析 |
| 5.4.2 反应过程动力学分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 紫外光/臭氧处理后砷化镓表面特性研究 |
| 6.1 研究方法 |
| 6.2 结果与讨论: |
| 6.2.1 处理法法对砷化镓晶片表面形貌的影响 |
| 6.2.2 处理方法对砷化镓晶片在空气中的化学稳定性的影响 |
| 6.2.3 处理方法对砷化镓晶片光致发光性能的影响 |
| 6.3 本章小结 |
| 第七章 紫外光/臭氧处理在砷化镓器件中的应用 |
| 7.1 实验 |
| 7.1.1 器件结构 |
| 7.1.2 器件制作工艺过程 |
| 7.1.3 砷化镓晶片表面处理 |
| 7.1.4 GaAs MESFET性能测试 |
| 7.2 应用结果: |
| 7.3 本章小结 |
| 第八章 全文总结 |
| 8.1 主要成果及创新 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 |
| 附录 |
| 致 谢 |
（8）GaAs MESFET击穿特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| §1-1 GaAs微波功率场效应晶体管和单片微波集成电路的发展及其重要地位 |
| §1-2 GaAs MESFET击穿特性研究状况及其存在的问题 |
| §1-3 研究GaAs MESFET击穿特性的意义 |
| §1-4 论文主要研究内容 |
| 第二章 砷化镓微波场效应晶体管的工作原理及其制备 |
| §2-1 GaAs MESFET的工作原理 |
| 2-1-1 电子漂移速度与电场的关系 |
| 2-1-2 电流饱和特性 |
| 2-1-3 速度过冲过程概念 |
| 2-1-4 GaAs MESFET的结构和特性 |
| §2-2 GaAs MESFET的制备 |
| 2-2-1 GaAs MESFET的主要工艺 |
| 2-2-2 GaAs MESFET结构和制备 |
| 第三章 GaAs MESFET击穿机理研究 |
| §3-1 表面电荷密度固定的物理模型 |
| §3-2 动态表面电荷模型 |
| 第四章 不同的表面处理方法对GaAs MESFET击穿特性的影响 |
| §4-1 GaAs MESFET表面硫钝化研究 |
| 4-1-1 GaAs表面硫钝化研究进展 |
| 4-1-2 钝化表面的成分与结构 |
| 4-1-3 GaAs表面硫钝化的机理 |
| 4-1-4 实验与结果分析 |
| §4-2 GaAs MESFET的等离子体表面预处理研究 |
| 4-2-1 等离子体表面预处理的概念及其研究进展 |
| 4-2-2 GaAs表面的NH_3等离子体预处理 |
| 4-2-3 实验与结果分析 |
| §4-3 GaAs MESFET表面的去离子水处理研究 |
| §4-4 实验方法与结果讨论 |
| 4-4-1 实验方法 |
| 4-4-2 实验结果和讨论 |
| 4-4-3 小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（10）表面S钝化技术与金属/GaAs界面异质结构（论文提纲范文）
| 1 S钝化技术 |
| 2 铁磁金属/GaAs异质结构 |
| 3 结论 |
四、Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究（论文参考文献）
- [1]原子层沉积制备几种纳米薄膜、纳米复合结构及其在微电子和储能器件中的应用研究[D]. 曹燕强. 南京大学, 2016(02)
- [2]堆栈高k栅介质（In）GaAs MOS器件电子迁移率模型及界面特性研究[D]. 汪礼胜. 华中科技大学, 2015(07)
- [3]高k栅介质/半导体衬底界面的钝化和性能提升[D]. 谭葛明. 复旦大学, 2011(04)
- [4]大功率半导体激光器腔面钝化工艺研究[D]. 杨晶. 长春理工大学, 2011(04)
- [5]半导体激光器腔面钝化的研究[D]. 邱忠阳. 长春理工大学, 2010(08)
- [6]Au在Si（001）表面及Fe在Au钝化的Si（001）表面的化学吸附[D]. 汪建广. 河南师范大学, 2004(10)
- [7]砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究[D]. 任殿胜. 天津大学, 2003(04)
- [8]GaAs MESFET击穿特性研究[D]. 刘立浩. 河北工业大学, 2003(02)
- [9]CH3CSNH2钝化对铁磁金属与GaAs界面扩散的影响[J]. 祝传刚,徐彭寿,陆尔东,徐法强,潘海斌. 物理学报, 2001(11)
- [10]表面S钝化技术与金属/GaAs界面异质结构[J]. 祝传刚. 青岛大学学报(自然科学版), 2001(03)