一、可弯曲大画面低温多晶硅TFT-LCD（论文文献综述）
杨俊华[1]（2018）在《阳极氧化法制备MgAl2O4薄膜及其特性研究》文中研究指明TFT阵列作为液晶显示（LCD）和有机发光二极管显示（OLED）的核心部件,一直是科研工作者的重要研究对象。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（AOS-TFT）凭其迁移率高、在可见光区域透明、可低温制备,性能稳定等优点受到人们的青睐。而目前规模化生产的TFT制备必须在高真空条件下,真空设备不仅价格昂贵,而且薄膜沉积过程中容易产生氧空位,导致器件性能下降。本文使用的阳极氧化法,是在空气氛围室温条件下制备氧化物薄膜,操作简单,成本相对较低。本文在本实验室研究成果的基础上,改用酒石酸铵乙二醇溶液为电解液,探索不同原子比的Mg-Al合金膜阳极氧化处理后的结构、性能等。本文的主要工作和研究结果如下:1.利用电子束蒸发台,保持其它工艺参数不变,仅改变Mg靶的轰击束流,通过薄膜测试表征,发现电子束流越大,薄膜的粗糙度减小到一定程度后有增大的趋势,Mg掺杂浓度越来越大。2.本文阳极氧化的恒压均为85V,氧化时长为1.5h,将原子比相同的薄膜经不同氧化电流密度氧化处理后,进行AFM、EDS、XRD分析,氧化电流密度较大时,薄膜表面较为平整,均匀性良好,氧化电流密度越小,薄膜质量越差,流失到电解液中的Mg越多。氧化电流密度为1.2和1.5mA/cm2时,可以得到表面平整、均匀致密的复合金属氧化物薄膜。通过XRD图谱分析,阳极氧化制备的薄膜为非晶结构。3.经阳极氧化处理后,薄膜的MIM漏电流测试结果表明,适当增大氧化电流密度可以提高薄膜的绝缘性能和稳定性。最佳的氧化电流密度为1.2mA/cm2。此条件下制备的复合金属氧化物薄膜的漏电流为10-7A/cm2量级,击穿电压为25V。4.对比相同氧化电流密度氧化的不同原子比薄膜的J-V特性曲线,发现Mg、Al原子比为0.11、0.15薄膜,绝缘性最好,漏电流密度为10-7A/cm2量级,击穿电压相对较高。5.小氧化电流密度氧化的小比例掺杂的薄膜300℃退火处理后,漏电流明显降低,击穿电压由15V上升到22V。大氧化电流密度氧化的大比例薄膜,均匀致密,存在的缺陷较少,经退火处理后,绝缘性能基本不变。
何荣华[2]（2013）在《多晶硅薄膜晶体管的串联电阻模型》文中研究说明本文提出了多晶硅薄膜晶体管（Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors,Poly-Si TFTs）的串联电阻物理模型。该模型针对器件的物理结构，详细地分析了栅极与源漏极交叠区域（即源漏掺杂离子横向扩散进入本征沟道所形成的交叠区域）中存在的三种物理效应：栅压诱导产生的载流子积累效应、电流路径的发散效应以及晶粒间界势垒对载流子的调制效应。据此建立了多晶硅TFT串联电阻模型，该模型可以准确的描述多晶硅TFT串联电阻对栅压的非线性依赖关系。利用该模型计算得到的串联电阻值可以与实验提取值很好地吻合，并在MILC和ELA两种不同工艺的多晶硅TFT器件上都得到了验证。此外，我们还对上述模型进行了进一步的讨论与优化，得到了串联电阻模型的解析表达式，从解析表达式中可以看出器件参数对多晶硅TFT串联电阻的影响，并逐一澄清了串联电阻的各个分量。最终，本文提出了一些可以有效减小串联电阻的方法。
李杰[3]（2013）在《基于ARM的OLED模组测试系统的设计》文中研究说明鉴于OLED在显示领域地位的日益提升，设计合适的OLED模组的测试系统显得至关重要。然而，在不知道实际操作中所用的OLED屏是否为合格品的情况下，就将屏与驱动IC绑定，可能会造成不必要的损失。因此，设计一个OLED屏的电测机是非常有必要的。本论文将该模组做成电测机的形式，目的是为了测试尚未投入使用的OLED屏的亮度、灰度以及是否存在坏点等，避免把OLED屏与驱动IC绑定后才发现问题。本文主要介绍了基于ARM的OLED模组测试系统的设计，包括硬件与驱动程序的设计。硬件设计包括电源电路和OLED驱动接口电路的设计。驱动程序的设计主要包括实现INTEL8080时序的读、写指令和数据子程序，模组的初始化子程序和显示子程序。在此基础上设计了OLED屏的电测机。本论文所研究设计的电测机测试系统包括数据传输模块、指令传输模块、SSD1355初始化模块以及单色图片显示模块。过去的一段时间里，对于中、小尺寸的OLED模组，一般选用51系列单片机作为其核心即可。然而，在一个数据传输速度和数量上要求很高的显示系统中，51系列单片机略显乏力，难以胜任。因此，本论文选用ARM7系列中的LPC2138作为OLED模组的控制核心。而在驱动IC的选择上，我们使用的是SSD1355，它是由香港晶门科技（Solomon-Systech）在2006年推出，带有控制器的OLED彩色驱动IC，支持高达128RGB×160的点阵显示。本论文总共分五部分。第一章为引言，介绍论文的主要内容；第二章叙述了现有的OLED有源和无源驱动技术；第三章简要介绍系统芯片和驱动IC，并且叙述了系统硬件设计和电测机的制作过程；第四章是系统的驱动程序设计及调试；第五章是本文的结论部分。本论文的研究任务就是设计、制作基于ARM的OLED模组的接口电路以及电测机。基于ARM7系列的芯片LPC2138以及驱动IC-SSD1355的处理，生成一系列的行列驱动信号，从而达到驱动OLED屏显示的目的。本次设计主要是为科研服务，设计全彩OLED模块的驱动接口电路，并以此为基础，制作电测机。
张磊[4]（2010）在《有机电致发光显示屏的制备及其漏电流研究》文中指出有机发光二极管（organic light-emitting diodes, OLEDs）亦称有机电致发光器件（organic electroluminescence devices, OELDs）,具有自发光、响应快、全固态、制备工艺简单、高效率、宽视角、超薄、耐高低温、柔性等优点,被誉为最理想和最有潜力的下一代显示技术。但是,目前高的制造成本、有待于提高的发光效率和寿命是其主要的问题。OLED技术的进一步发展需要发展薄膜晶体管（Thin Film Transistor, TFT）-OLED技术,但现在可用于OLED的TFT基板技术还不成熟,大大影响了OLEDs器件的产业化步伐,针对上述问题,本论文在高分辨率无源矩阵器件的制备工艺和基于荫罩式的TFT基板上制备OLED显示屏等方面进行了一系列的探索性和创新性的工作,具体包括：1、针对OLED中红光染料的缺乏的现状,本文采用[7-diethylamino-3-（2-thienyl）chronmen-2-ylidene]-2,2-dicyanoviny-lamine （ACY）,红光染料采用旋涂工艺,制作了结构为：indium-tin-oxide （ITO）/poly（N-vinylcarbazole） （PVK）:ACY（xwt%）/2,9-imethyl4,7-diphenyl-1,10-phenan-throline （BCP）/tris（8-quinolinolato）aluminum （Alq3）/Mg:Ag/Ag的器件,研究了不同溶剂对器件的影响。结果表明,当采用三氯甲烷为溶剂,PVK:ACY质量比为0.7%时获得了最大亮度为1120 cd/m2,色坐标为（0.56,0.40）,最大流明效率为0.27 lm/W的红色OLED器件。2、设计了基于SSD1335芯片的高分辩率（2英寸,128x3×160个像素）的无源矩阵驱动方式的OLED基板图案。掩膜设计包括铬层、ITO层、绝缘层和隔离层四种图案。铬层图案和ITO层图案通过普通的光刻工艺流程加以完成,绝缘层使用AZ5214制备,隔离层图案采用ZPN2464负胶工艺实现了断面呈现上宽下窄的倒梯形的形状,比较了ZPN2464和AZ5214制备隔离柱的工艺,采用该基板制备了无源矩阵显示屏（passive matrix OLED, PMOLED）o3、基于Arm7嵌入式微处理器LPC2138,制作了全彩PMOLED的驱动控制电路,对比度达到256,可实现65 K全彩显示,分辨率为128x160；利用上述电路测试了台湾铼宝公司和实验室制备的PMOLED屏的驱动电流,进行了漏电流的对比,探讨了OLED显示屏漏电流的问题。针对上述问题,建立和分析了PMOLED屏的漏电流的数学模型,表明漏电流介于扫描行所有像素都点亮和扫描行上只有一行被点亮两种极端情况之间；并分析了PMOLED显示的整流特性要求。通过分析漏电流的原因,改进了PMOLED屏的制作工艺和结构,使漏电流降低为4.4 mA。1)将OLED基板绝缘层由单层改为双层,提高基板的绝缘性；2)利用大功率的等离子体轰击ITO,改善表面的平整度；3)HIL层由酞氰铜（CuPc）改为m-MTDATA,并且掺杂F4-TCNQ,制备PIN型结构的OLED,加厚HIL层的厚度,达到修饰ITO表面的目的,从而减小漏电流并且降低驱动电压和提高发光效率。4、提出了一种白光器件的结构,采用黄光和蓝光的方案制备了低电压驱动的白光器件,其结构为：ITO/m-MTDATA （100 nm）:F4-TCNQ （3%）/NPB （200 nm）/NPB （6 nm）:DCJTB （1%）/ADN（34）:TBPe （1%）/BeBq2/LiF （0.5 nm）/Al （150 nm）驱动电压为10V时,其亮度可达到38000cd/m2,电流效率为10.02 cd/A,色坐标为（0.29,0.34）。该器件结构成功地应用到白光PMOLED器件的制备。5.利了基于荫罩式TFT技术制备的TFT基板来制备了有源OLED （active matrix OLED） AMOLED器件。从应用基础角度研究了TFT基板与OLED器件的集成工艺,根据基板图案成功设计了集成OLED器件的方案,制备了可用于TFT基板与OLED器件集成的集成层。同时,优化了顶发射OLED器件的复合阴极结构,得到了最优化的OLED顶发射器件的复合阴极方案。通过RGB三色的空穴注入层（hole injection layer, HIL）结构优化,提高了顶发射器件的效率,针对顶发射器件中的微腔效应带来的问题,通过调整HIL层的厚度,调节微腔效应带来的偏色问题,得到了最佳的RGB三色的顶发射器件结构。通过采用新的电子传输材料BeBq2代替Alq3成功提高了顶发射器件的效率。最后使用优化了HIL层,解决了微腔效应问题,优化了ETL层的顶发射器件结构,成功制备了4英寸分辨率为320x240的AMOLED显示屏。
马若玉[5]（2009）在《液晶导光板改进设计与扩展应用》文中进行了进一步梳理液晶显示器具有较薄的厚度、艳丽的色彩、无辐射、绿色环保等诸多优点,已经成为平板显示的主流。但其显示效果还有很大的改善空间,尤其是在亮度、均匀性、色彩表现力等方面。本文深入研究了解决液晶显示系统中光能量损失的途径,针对其中主要的光能损失因素分别提出了相应的解决方案,旨在提高液晶显示系统的光能利用率、亮度、均匀性等光学性能并降低成本。针对液晶显示系统中彩色滤光片的损失,本文进行了色序法显示的探索研究。色序法显示亦即利用时间混色实现液晶的彩色显示,采用这种方法能够解决液晶背光模组中由彩色滤光片导致的像素利用率低,能量损耗大,色彩输出能力差等问题,能够大幅度提高液晶显示的光能利用率,显示亮度和色彩表现力并有效降低背光源的功率损耗。同时,本文设计了与色序法显示相匹配的,以三基色LED作为光源的大尺寸液晶导光板,对未来液晶显示技术的发展方向进行了有意义的探索。针对液晶显示系统中导光板的光能损失,本文完成了用于仪器仪表显示的高性能中小尺寸导光板设计。采用放射性、贝塞尔、多项式等多种方式对导光板表面微结构进行布局,通过模拟验证,得到了较为理想的多项式排列方式;在此基础上,通过改变导光板表面微结构自身的参数,得到了性能优良的导光板设计方案。本文对模拟和测量的数据进行了处理、分析,总结出了具有实际应用意义的规律。按照此设计方案加工出的中等尺寸导光板经测试亮度可达到53.8cd/㎡,均匀性可达到83.5%,光学性能优良。点烟器可视为导光板的扩展应用,在前期工作基础上,本文探索了提高点烟器发光面亮度和均匀性的方法。通过光线追踪分析了点烟器各部件的导光情况,提出了改进方案,从而提高了点烟器显示面的亮度和均匀性。
代君利[6]（2007）在《需求推动发展 OLED商机浮现》文中研究指明OLED市场发展据CCID预测,2005年仅中国市场,有机发光二极管（OLED）的销售量就已达到5,903.2万片,到2009年将增加至25,167.5万片（见表1）。根据DisplaySearch资料显示,预计在2010年OLED有46亿美元营业额,占平面显示器
陈亮亮[7]（2007）在《非晶硅薄膜晶体管有机发光显示模块的研制》文中认为有机电致发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,OLED）显示器是21世纪继LCD之后最具发展前景的新型显示器。OLED的有源驱动方式不仅分辨率高而且易于实现大面积显示,OLED显示技术要进一步的发展,必须结合有源驱动技术。本文对非晶硅薄膜晶体管OLED的有源驱动技术进行了研究,设计并制作了采用分场数字驱动技术的5英寸（320×240）彩色有源OLED显示屏驱动模块。在模块设计中,引入了“反场”的概念,在两管像素单元电路的公共电极上加上可控电压,有效抑制了非晶硅薄膜晶体管阈值电压不可逆的漂移;在FPGA程序设计中,把FPGA内部一部分空间做为片内缓存区域,实现了数据信号的二级缓存,加上FPGA外部的两片SRAM片外缓存,使数据信号经过三级缓存后被送到显示屏上,解决了非晶硅薄膜晶体管载流子迁移率低所带来的屏幕响应速度慢问题。另外,两片SRAM工作在并行模式下,大大降低了数据信号写入OLED屏幕的时间,提高了驱动模块的工作效率。仿真结果显示,分场信号与显示屏视频输出数据信号一致,说明了该驱动模块可以实现4级灰度的显示效果。对驱动IC输出引脚信号的实测以及彩色OLED屏的单色显示结果说明本文设计的驱动模块能驱动非晶硅薄膜晶体管有源OLED显示屏。
王昕[8]（2006）在《光电显示技术发展研究》文中指出光电显示技术作为光电技术的重要组成部分,近年来发展迅速,应用广泛.研究了CRT器件技术的发展特征,综合分析了平板显示技术的研究进展,着重介绍了液晶显示（LCD）,等离子显示（PDP）、场致发射显示（FED）、有机电致发光显示（OLED）及数字光处理投影技术的发展现状和趋势,对新型微显技术———液晶硅显示和环保型电子纸技术的未来应用进行了探讨和说明.
付新虎,刘高霞,郑喜凤,丁铁夫[9]（2005）在《OLED无源驱动技术应用》文中认为就现有OLED的技术状况进行了阐述,并结合对实验用OLED显示屏驱动电路的设计讲述OLED的无源驱动方式。
冯涛[10]（2002）在《新型平板显示器件的研究》文中研究说明本论文主要包括“有机发光器件的薄膜封装”及“碳纳米管场发射显示器的研究”两部分工作。 一、有机发光器件的薄膜封装 在国家<八六三>计划资助下，我们较系统地研究了FAD方法制备的DLC膜和PECVD制备的氮化硅薄膜的防水汽渗透能力，确定了适合封装OLED器件的最佳工艺参数，最终成功地采用氮化硅薄膜实现了OLED器件的薄膜封装。经过寿命测试发现封装后的器件的寿命比未封装器件提高了两个数量级以上。 二、碳纳米管场发射显示器的研究 在国家自然科学基金的资助下，我们对CNT的场发射性能进行了研究，包括图形化CNT阴极的实现、后处理手段的选择、电子场发射性能的研究、三极管结构的试验及样管的设计和封装。 采用原始的涂敷法制备CNT阴极，并测试了它的场发射性能，结果表明CNT的电子场发射性能全面优于DLC薄膜 采用丝网印刷法实现了阴极的图形化。考察了退火处理工艺和氢等离子体处理对印刷法制备的CNT薄膜场发射性能的影响，发现退火处理可以提高CNT薄膜场发射电流密度，发现氢等离子体处理可以降低CNT薄膜的阈值电场（～1V/μm），大大提高发射点密度（～106个/cm2），使发射点密度达到FED实用化程度。首次发现了CNT的一种新的形貌，我们称之为Nodose Carbon Nanotubes（NCNT），并对发射机制进行了探讨。氢等离子体处理方法对原始的CNT粉末无特殊要求、简单、实用、成本低、可以处理大面积的样品，为丝网印刷法制备的CNT薄膜阴极的实用化解决了一个关键技术问题。 对正栅极和背栅极结构进行了初步的实验，证实了两种结构的可行性，并设计和封装了正栅极结构的无矩阵选址的单色FED样管。
二、可弯曲大画面低温多晶硅TFT-LCD（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、可弯曲大画面低温多晶硅TFT-LCD（论文提纲范文）
（1）阳极氧化法制备MgAl2O4薄膜及其特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 氧化物TFT的发展历程 |
| 1.3 本论文的提出与工作内容 |
| 1.4 本章小结 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 薄膜晶体管的特性 |
| 2.2 阳极氧化的基本原理 |
| 2.2.1 高电场传导理论 |
| 2.2.2 界面的基本反应 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 实验制备和薄膜表征 |
| 3.1 实验设备简介 |
| 3.1.1 电子束蒸发台的工作原理 |
| 3.1.2 Keithley2400测试平台 |
| 3.2 薄膜测试设备简介 |
| 3.2.1 台阶轮廓测试仪 |
| 3.2.2 X射线衍射分析仪(XRD) |
| 3.2.3 扫描电子显微镜(SEM)和能量色散光谱仪(EDS) |
| 3.2.4 原子力显微镜(AFM) |
| 3.3 实验流程设计 |
| 3.3.1 实验材料的准备 |
| 3.3.2 薄膜的蒸镀 |
| 3.3.3 阳极氧化处理 |
| 3.3.4 退火处理、制备MIM结构及电学性能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 实验结果与分析 |
| 4.1 Mg掺杂浓度对Mg-Al合金薄膜质量的影响 |
| 4.1.1 镁蒸镀束流对薄膜表面形貌的影响 |
| 4.1.2 镁蒸镀束流对薄膜成分的影响 |
| 4.1.3 合金薄膜的结构分析 |
| 4.2 不同掺杂浓度合金薄膜的阳极氧化 |
| 4.2.1 氧化电流密度对薄膜形貌的影响 |
| 4.2.2 氧化电流密度对薄膜结构的影响 |
| 4.2.3 氧化物薄膜的能谱分析 |
| 4.2.4 氧化电流密度对薄膜电学性能的影响 |
| 4.3 不同Mg、Al原子比合金薄膜的氧化分析 |
| 4.3.1 不同原子比合金膜的氧化 |
| 4.3.2 不同原子比合金膜氧化后的性能表征 |
| 4.3.3 不同原子比合金膜氧化后的电学性能分析 |
| 4.4 退火工艺对氧化物薄膜质量的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
（2）多晶硅薄膜晶体管的串联电阻模型（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 平板显示技术 |
| 1.1.1 液晶显示器 |
| 1.1.2 有机发光显示器 |
| 1.1.3 等离子显示器 |
| 1.2 多晶硅 TFT 概论 |
| 1.2.1 多晶硅 TFT 技术的优点 |
| 1.2.2 多晶硅 TFT 结构 |
| 1.2.3 低温多晶硅 TFT 制造工艺简介 |
| 1.3 实验样品的制备及测试仪器 |
| 1.3.1 多晶硅薄膜晶体管的制备 |
| 1.3.2 实验测试仪器 |
| 参考文献 |
| 第二章 串联电阻模型的研究现状 |
| 2.1 Rs模型研究进展综述 |
| 2.2 非晶硅中的 Rs模型 |
| 2.3 MOSFET 中的 Rs模型 |
| 2.3.1 MOSFET 串联结构的 Rs模型 |
| 2.3.2 MOSFET 并联结构的 Rs模型 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 多晶硅 TFT 的串联电阻模型 |
| 3.1 Rs的构成 |
| 3.2 多晶硅的晶粒间界势垒模型 |
| 3.2.1 多晶硅的晶粒间界缺陷 |
| 3.2.2 多晶硅的晶粒间界势垒对载流子迁移率的调制 |
| 3.3 Rs模型的推导 |
| 3.4 Rs提取方法 |
| 3.5 实验结果与模型的验证 |
| 3.5.1 实验结果的比较 |
| 3.5.2 模型参数的合理性验证 |
| 3.6 模型的优化与解析表达式 |
| 3.6.1 模型的优化 |
| 3.6.2 串联电阻的解析表达式 |
| 3.7 减小串联电阻的方法 |
| 3.8 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 结论及未来工作 |
| 致谢 |
（3）基于ARM的OLED模组测试系统的设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 课题研究意义及主要研究内容 |
| 1.2.1 课题研究意义 |
| 1.2.2 课题的主要研究内容 |
| 第二章 OLED 驱动技术 |
| 2.1 OLED 显示原理 |
| 2.2 OLED 驱动特点 |
| 2.3 无源驱动技术 |
| 2.4 有源驱动技术 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 OLED 模组电路设计 |
| 3.1 LPC2138 的概述 |
| 3.2 SSD1355 概述 |
| 3.2.1 SSD1355 的特性 |
| 3.2.2 SSD1355 引脚描述 |
| 3.3 OLED 模组的电路设计 |
| 3.3.1 电源电路设计 |
| 3.3.2 LPC2138 的外围电路设计 |
| 3.3.3 JTAG 接口电路设计 |
| 3.3.4 LPC2138 和 SSD1355 的接口电路设计 |
| 3.3.5 OLED 模组电路板的设计 |
| 3.3.6 LPC2138 可插拔式 PACK 电路设计 |
| 3.4 电测机的设计 |
| 3.4.1 电测机的设计构想 |
| 3.4.2 电测机按键控制电路的设计 |
| 3.4.3 电测机的设计 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 系统程序设计 |
| 4.1 ARM 开发工具 RealView MDK |
| 4.1.1 uVision3 的主要特征 |
| 4.1.2 uVision IDE 简介 |
| 4.1.3 RealView C/C++编译器 |
| 4.1.4 uVision 3 调试器 |
| 4.2 Image2LCD 软件 |
| 4.3 程序总流程及主要模块 |
| 4.3.1 SSD1355 初始化设置 |
| 4.3.2 写指令/数据模块 |
| 4.3.3 特殊图片显示模块 |
| 4.3.4 按键控制电路模块 |
| 4.4 系统调试及显示效果图 |
| 4.4.1 调试过程 |
| 4.4.2 设计显示效果图 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士在学期间的研究成果 |
（4）有机电致发光显示屏的制备及其漏电流研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机电致发光发展历程及技术特点 |
| 1.2.1 有机电致发光发展历程 |
| 1.2.2 有机电致发光技术特点 |
| 1.3 国内外研究现状及其产业化 |
| 1.3.1 国内外研究现状 |
| 1.3.2 OLED的产业化 |
| 1.4 有机电致发光器件存在的问题和发展方向 |
| 1.4.1 OLED器件存在的问题 |
| 1.4.2 有机电致发光器件的发展方向 |
| 1.5 本论文的研究内容 |
| 第二章 混合工艺荧光红光器件的比较及其优化 |
| 2.1 有机电致发光器件的基础 |
| 2.2 有机电致发光的材料 |
| 2.3 有机电致发光器件的工作原理 |
| 2.4 有机电致发光器件结构 |
| 2.5 混合工艺制备红光荧光器件的制备 |
| 2.5.1 材料的选择 |
| 2.5.2 器件的制备 |
| 2.5.3 器件的性能测试与分析 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 无源点阵OLED屏的制备及其漏电流研究 |
| 3.1 无源点阵OLED屏的制备 |
| 3.1.1 研究背景 |
| 3.1.2 无源OLED器件的制备 |
| 3.1.3 OLED屏驱动电路设计 |
| 3.1.4 OLED屏漏电流测试 |
| 3.2 OLED屏漏电流的数学模型 |
| 3.2.1 PMOLED屏漏电流 |
| 3.2.2 PMOLED像素的整流特性要求 |
| 3.3 器件漏电流的改进 |
| 3.3.1 绝缘层的改进 |
| 3.3.2 ITO表面形貌 |
| 3.3.3 OLED器件结构的优化 |
| 3.3.4 OLED白光器件的优化 |
| 3.4 改善工艺和结构后的OLED器件的显示 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 荫罩式TFT基板上制备全彩显示屏的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 OLED器件的驱动方式 |
| 4.1.2 OLED器件实现彩色的方式 |
| 4.2 荫罩式TFT-OLED器件的结构 |
| 4.3 TFT基板和OLED器件的集成 |
| 4.3.1 集成层的结构 |
| 4.3.2 实验部分 |
| 4.3.3 集成层的制备 |
| 4.4 顶发射器件的半透明阴极优化 |
| 4.4.1 顶发射器件的制备及性能表征 |
| 4.4.2 阴极厚度对透过率的影响 |
| 4.5 HIL层对器件性能的影响 |
| 4.5.1 HIL层材料的选择 |
| 4.5.2 基于PIN结构的HIL器件的制备 |
| 4.5.3 HIL层的掺杂浓度对器件性能的影响 |
| 4.5.4 HIL层的厚度对器件性能的影响 |
| 4.5.5 小结 |
| 4.6 微腔效应对顶发射器件的影响 |
| 4.6.1 微腔效应对绿光器件的影响 |
| 4.6.2 微腔效应对红光器件的影响 |
| 4.6.3 微腔效应对蓝光器件的影响 |
| 4.6.4 小结 |
| 4.7 电子传输材料对器件的影响 |
| 4.8 全彩荫罩式TFT-AMOLED显示屏 |
| 4.8.1 彩色掩膜的调整 |
| 4.8.2 全彩显示屏的制备 |
| 4.9 小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 博士在学期间的研究成果 |
（5）液晶导光板改进设计与扩展应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景概述 |
| 1.2 课题研究意义 |
| 1.3 液晶显示技术发展历程及研究现状 |
| 1.4 液晶显示技术主要发展趋势 |
| 1.4.1 大尺寸液晶面板的发展趋势 |
| 1.4.2 小尺寸液晶面板的发展趋势 |
| 1.4.3 其他重要发展趋势 |
| 1.5 课题主要研究内容 |
| 第二章 液晶显示系统光能损失分析及解决方案的提出 |
| 2.1 液晶显示系统的构成 |
| 2.2 液晶显示系统光能量损失分析 |
| 2.3 提高光能利用率的方法 |
| 2.3.1 偏振分光重利用 |
| 2.3.2 导光板设计的优化 |
| 2.3.3 时间混色法 |
| 2.3.4 其他背光增亮方法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 基于三基色LED 光源的大尺寸导光板设计 |
| 3.1 概述 |
| 3.2 液晶显示的时序显示原理 |
| 3.3 色序法液晶显示光源的选择 |
| 3.4 基于三基色LED 色序法显示的大尺寸导光板设计 |
| 3.4.1 Light Tools 光学系统模拟软件介绍 |
| 3.4.2 导光板设计过程 |
| 3.4.3 软件模拟与结果分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 用于仪器仪表的中小尺寸导光板设计 |
| 4.1 中型尺寸导光板设计 |
| 4.1.1 网点高度对导光板导光性能的影响 |
| 4.1.2 网点排布方式对导光板性能的影响 |
| 4.1.3 导光板性能仿真结果与试验检测结果的对比 |
| 4.2 小尺寸导光板的设计 |
| 4.2.1 小尺寸导光板表面微结构的选择 |
| 4.2.2 小尺寸导光板设计规律总结 |
| 4.3 导光板产品缺陷及解决方法 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 点烟器光学性能研究 |
| 5.1 概述 |
| 5.2 点烟器光学性能的研究和改进 |
| 5.2.1 点烟器导光性能模拟分析 |
| 5.2.2 点烟器光学性能影响因素分析 |
| 5.2.3 点烟器性能改善结果 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 论文创新点 |
| 6.3 课题展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（7）非晶硅薄膜晶体管有机发光显示模块的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 OLED简介 |
| 1.3 OLED的驱动技术 |
| 2 方案设计 |
| 2.1 课题简介 |
| 2.2 方案设计关键 |
| 2.3 两管单元非晶硅TFT AM-OLED的灰度实现 |
| 2.4 两管单元非晶硅TFT AM-OLED的驱动技术 |
| 2.5 驱动电路设计 |
| 3 FPGA程序设计 |
| 3.1 Quautus 工作平台 |
| 3.2 FPGA总体规划 |
| 3.3 2 分频模块 |
| 3.4 预处理模块 |
| 3.5 状态机模块 |
| 3.6 数据处理模块 |
| 3.7 地址发生器模块 |
| 3.8 程序的改进 |
| 4 电路板的制作与程序的调试 |
| 4.1 电路板的制作 |
| 4.2 程序的调试 |
| 5 总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录Ⅰ内存地址发生器代码 |
（8）光电显示技术发展研究（论文提纲范文）
| 1 阴极射线管技术 (Cathode ray tube, CRT) |
| 2 平板显示技术 |
| 2.1 液晶显示 (Liquid crystal display, LCD) [2-4] |
| 2.2 等离子显示 (Plasma display panel, PDP) [5-6] |
| 2.3 场致发射显示 (Field emission display, FED) |
| 2.4 发光二极管 (Light emitting diodes, LED) [8-9] |
| 2.5 有机电致发光显示 (Organic light emitting display, OLED) [10-14] |
| 2.6 数字光处理投影技术 (Digital light processing, DLP) |
| 2.7 液晶硅显示 (Liquid crystal on silicon, LCOS) [15-16] |
| 2.8 电子纸显示器 (Electronic paper display, EPD) [17-19] |
| 3 结束语 |
（10）新型平板显示器件的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 发表论文目录及申请专利 |
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 平板显示器件综述 |
| 1.1 平板显示器件的发展简况 |
| 1.2 常见的平板显示器件 |
| 1.3 本论文的研究工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 有机发光器件的薄膜封装 |
| 第一节 有机发光器件简介 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机发光器件的原理 |
| 第二节 有机发光器件的薄膜封装 |
| 2.1 有机发光器件实用化的主要问题 |
| 2.2 有机发光器件的薄膜封装 |
| 2.3 封装选用的薄膜材料 |
| 2.3.1 类金刚石薄膜 |
| 2.3.2 氮化硅薄膜 |
| 2.4 测试薄膜材料防水性能的方法 |
| 2.5 薄膜材料防水性能的测试结果 |
| 2.5.1 DIC薄膜防水性能的测试 |
| 2.5.2 氮化硅薄膜防水性能的测试 |
| 2.6 有机发光器件薄膜封装结果 |
| 2.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 碳纳米管场发射显示器的研究 |
| 第一节 场发射显示器 |
| 1.1 场发射显示器原理 |
| 1.2 CRT与FED的异同 |
| 1.3 FED用阴极场发射材料 |
| 1.4 FED器件研制和产业化进展 |
| 1.5 本工作的研究思路 |
| 第二节 碳纳米管电子场发射性能测试 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 CNT的历史，应用和制备 |
| 2.2.1 碳纳米管简介 |
| 2.2.2 CNT历史 |
| 2.2.3 CNT制法 |
| 2.2.4 CNT的性能和应用 |
| 2.3 CNT阴极的制备 |
| 2.4 CNT的电子场发射性能的初步测试 |
| 第三节 丝网印刷法制备碳纳米管薄膜阴极的性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 丝网印刷法制备图形化的CNT阴极 |
| 3.3 丝网印刷法制备的CNT阴极场发射性能测试 |
| 3.4 后处理工艺对碳纳米管薄膜阴极发射性能的影响 |
| 3.4.1 退火对碳纳米管薄膜阴极发射性能的影响 |
| 3.4.2 氢等离子体处理对碳纳米管薄膜阴极发射性能的影响 |
| 第四节 场发射显示器样管的设计和制作 |
| 4.1 DLC—FED样管的封装 |
| 4.1.1 设计方案 |
| 4.1.2 DLC—FED样管的封装 |
| 4.1.3 封装结果 |
| 4.2 CNT—FED样管的设计和封装 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 三极管结构的初步实验 |
| 4.2.3 三极管结构器件的设计 |
| 4.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 结语 |
| 简历 |
四、可弯曲大画面低温多晶硅TFT-LCD（论文参考文献）
- [1]阳极氧化法制备MgAl2O4薄膜及其特性研究[D]. 杨俊华. 深圳大学, 2018(07)
- [2]多晶硅薄膜晶体管的串联电阻模型[D]. 何荣华. 苏州大学, 2013(11)
- [3]基于ARM的OLED模组测试系统的设计[D]. 李杰. 电子科技大学, 2013(01)
- [4]有机电致发光显示屏的制备及其漏电流研究[D]. 张磊. 电子科技大学, 2010(06)
- [5]液晶导光板改进设计与扩展应用[D]. 马若玉. 天津大学, 2009(S2)
- [6]需求推动发展 OLED商机浮现[J]. 代君利. 中国电子商情(基础电子), 2007(09)
- [7]非晶硅薄膜晶体管有机发光显示模块的研制[D]. 陈亮亮. 华中科技大学, 2007(05)
- [8]光电显示技术发展研究[J]. 王昕. 光电技术应用, 2006(03)
- [9]OLED无源驱动技术应用[J]. 付新虎,刘高霞,郑喜凤,丁铁夫. 微计算机信息, 2005(19)
- [10]新型平板显示器件的研究[D]. 冯涛. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）, 2002(02)